Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFP460LCSiliconixN-MOSFET 20A 500V 280W 0.27Ω IRFP460LC TIRFP460lc
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+173.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460LCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460LC(MFET,LC,N-CH,280W,500V,20A,TO-247AC) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460LCVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460LCPBF
Код товару: 22653
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/120
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460LCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+803.63 грн
25+472.85 грн
100+401.32 грн
500+323.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460LCPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+511.42 грн
5+390.84 грн
10+327.80 грн
25+252.16 грн
50+224.42 грн
100+215.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460LCPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP460LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 280W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+514.86 грн
10+295.72 грн
100+244.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460LCPBFVishay BC ComponentsN-канальный ПТ (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460LCPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 500V 20A N-CH MOSFET
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+609.36 грн
10+298.72 грн
100+211.58 грн
500+210.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460LCPBFTO-247 Транзистори
на замовлення 28 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+249.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+596.67 грн
31+459.08 грн
50+408.81 грн
100+377.62 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460LCPBF..VISHAYDescription: VISHAY - IRFP460LCPBF.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 280W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+743.78 грн
5+614.25 грн
10+572.70 грн
50+441.78 грн
100+381.96 грн
250+355.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460NVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 500V 20 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460N
Код товару: 142442
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460NPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 500V 20 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 460500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+285.11 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 20 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 4200 @ 25, Qg, нКл = 210 @ 10 В, Rds = 270 мОм @ 12 А, 10 В, Ugs(th) = 4 @ 250 мкА, Р, Вт = 280 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+551.31 грн
36+396.62 грн
100+342.85 грн
500+274.92 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+526.02 грн
30+481.32 грн
50+474.16 грн
100+327.74 грн
500+271.22 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBF
Код товару: 23707
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4200/210
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+96.00 грн
10+84.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 500V 20A N-CH MOSFET
на замовлення 6609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+496.94 грн
10+309.16 грн
100+222.05 грн
500+210.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 460500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+285.11 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBF
Код товару: 192334
2 Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4200/210
Монтаж: THT
у наявності: 37 шт
  • 10 шт - склад
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+135.00 грн
10+122.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP460PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 280W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+620.77 грн
5+547.45 грн
10+477.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+551.31 грн
10+396.62 грн
100+342.85 грн
500+274.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+556.35 грн
10+401.77 грн
100+347.76 грн
500+279.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+554.94 грн
36+400.75 грн
100+346.88 грн
500+278.44 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+375.65 грн
5+298.38 грн
10+269.81 грн
25+238.71 грн
50+221.06 грн
100+209.29 грн
125+206.77 грн
150+204.25 грн
500+194.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBF
Код товару: 149448
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4200/210
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+110.00 грн
10+102.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
на замовлення 19519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+631.59 грн
25+365.07 грн
100+307.03 грн
500+244.58 грн
1000+235.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP460_R4943onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP462HARRISIRFP462
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+457.14 грн
100+434.70 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP462Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+328.39 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668
Код товару: 83053
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668International RectifierTranzystor N-MOSFET; 200V; 30V; 9,7mOhm; 130A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4668; IRFP4668XKMA1; IRFP4668; IRFP4668 TIRFP4668
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+161.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668International RectifierTranzystor N-MOSFET; 200V; 30V; 9,7mOhm; 130A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4668; IRFP4668XKMA1; IRFP4668; IRFP4668 TIRFP4668
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+161.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 220V; 20V; 27mOhm; 130A; 700W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP4668; IRFP4668XKMA1; SP001572854; SP005732696; IRFP4668 JSMICRO TIRFP4668 JSM
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+114.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFMOSFET N-Ch 200V 130A TO-247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+236.72 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP4668PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 9700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.19 грн
10+281.87 грн
100+227.29 грн
500+161.88 грн
1000+146.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFInfineonMOSFET N-Ch 200V 130A TO247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+303.23 грн
5+258.88 грн
10+237.87 грн
25+200.88 грн
50+175.67 грн
100+164.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+236.72 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBF
Код товару: 32680
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10720/161
Монтаж: THT
у наявності: 142 шт
  • 115 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+295.00 грн
10+279.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+315.91 грн
400+280.20 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+748.64 грн
25+714.08 грн
50+685.34 грн
100+637.57 грн
250+572.03 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1Infineon TechnologiesPower MOSFET
на замовлення 6615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+367.81 грн
56+255.50 грн
100+221.15 грн
400+196.21 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 10225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+432.58 грн
10+278.65 грн
100+170.38 грн
400+150.13 грн
1200+140.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1Infineon TechnologiesPower MOSFET
на замовлення 6615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+366.63 грн
10+254.68 грн
100+220.43 грн
400+195.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1Infineon TechnologiesPower MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1InfineonN-Channel 200 V 130A (Tc) 520W Through Hole TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+416.29 грн
10+241.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1Infineon TechnologiesPower MOSFET
на замовлення 13300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+242.16 грн
500+229.16 грн
1000+217.35 грн
10000+197.06 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+578.96 грн
25+328.09 грн
100+273.38 грн
500+215.47 грн
1000+202.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP470IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP470IXYSMOSFETs 24 Amps 500V 0.23 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4710International RectifierHEXFET power MOSFET. VDSS = 100 V, RDS(on) = 0.014 Ohm, ID = 72 A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4710PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 72A TO247AC
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4710PBF
Код товару: 83493
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 23375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+177.19 грн
500+167.74 грн
1000+158.29 грн
10000+143.52 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4710PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 72A 14mOhm 110nCAC
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+375.56 грн
25+322.01 грн
1000+162.00 грн
2500+159.21 грн
5000+157.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4710PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFP4710PBF - IRFP4710 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+143.38 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4710PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 22467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+177.19 грн
500+167.74 грн
1000+158.29 грн
10000+143.52 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4710PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 72 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6160 @ 25, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 14 мОм @ 45 A, 10 В, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 190 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768International RectifierTranzystor N-MOSFET; 250V; 20V; 17,5mOhm; 93A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4768; IRFP4768XKMA1; IRFP4768 TIRFP4768
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+414.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768International RectifierTranzystor N-MOSFET; 250V; 20V; 17,5mOhm; 93A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4768; IRFP4768XKMA1; IRFP4768 TIRFP4768
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+414.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+635.30 грн
32+451.01 грн
50+426.01 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+722.96 грн
25+689.59 грн
50+661.83 грн
100+615.70 грн
250+552.40 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 250V 83A 21mOhm 195nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 370A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+473.54 грн
33+434.52 грн
50+406.46 грн
100+342.29 грн
250+325.28 грн
800+304.73 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBF
Код товару: 55495
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 250 V
Idd,A: 93 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10880/180
Монтаж: THT
у наявності: 4 шт
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+415.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP4768PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 56 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.40 грн
10+214.25 грн
100+177.59 грн
500+147.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesTransistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+339.41 грн
47+304.46 грн
100+291.84 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+466.80 грн
10+278.65 грн
100+192.03 грн
400+164.79 грн
1200+145.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Pulsed drain current: 370A
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+381.98 грн
10+231.98 грн
25+206.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesTransistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+224.53 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesTransistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.56 грн
25+303.04 грн
100+229.69 грн
500+219.27 грн
1000+189.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+359.00 грн
25+200.31 грн
100+165.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesTransistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+338.70 грн
47+302.28 грн
100+229.11 грн
500+218.72 грн
1000+189.37 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+411.40 грн
10+243.58 грн
100+201.22 грн
500+174.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesTransistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+224.53 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1Infineon TechnologiesTransistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 13400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+250.42 грн
500+237.43 грн
1000+224.44 грн
10000+202.75 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 300V; -/+20V; 25,5mOhm; 70A; 517W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP4868; IRFP4868 INFINEON TIRFP4868
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+407.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]