Продукція > 2N7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2N7002LT1SOT23-702
на замовлення 493 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT3onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1894+7.45 грн
2389+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 1894 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 53300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9037+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 9037 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5377+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 5377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT3GOn SemiconductorN-кан. MOSFET 60V, 0.115A, 0.20Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
62+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
584+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 584 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 53300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+3.25 грн
358+2.11 грн
482+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1040+13.58 грн
1780+7.93 грн
2287+6.17 грн
2924+4.65 грн
5000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 1040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT3GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3927+3.59 грн
5000+3.25 грн
10000+3.17 грн
30000+2.90 грн
50000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 3927 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT3GON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ptot, Вт = 0,225, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 10000 шт
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
10000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 1256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+13.58 грн
100+7.93 грн
500+6.17 грн
1000+4.65 грн
5000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.32 грн
20000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+13.71 грн
65+11.68 грн
70+10.82 грн
100+7.34 грн
250+6.65 грн
500+5.06 грн
1000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT3GonsemiMOSFETs 60V 115mA N-Channel
на замовлення 401760 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT3G.ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002LT3G. - N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT7GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+3.02 грн
417+1.81 грн
488+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT7GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6913+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 6913 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT7GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+2.79 грн
7000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT7GonsemiMOSFETs SOT23, N-Channel MOSFET - 60V 115MA 7.5Ohm SOT23, N-Ch Mosfet - 60V 115MA 7.5O
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT7GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+2.96 грн
369+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT7GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3927+3.59 грн
7000+3.36 грн
14000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3927 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT7GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 7916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.08 грн
37+8.36 грн
100+5.17 грн
500+3.55 грн
1000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002LT7HonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002MTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002MTFonsemiMOSFET N-CHANNEL 60V 115mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002MTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002MTFFAIRCHLDSOT-23
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKRTECH PUBLICTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002NXAKR SOT-23 TECH PUBLIC T2N7002NXAKR TEC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 370 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKRNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 265mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 80143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKRNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.86 грн
6000+1.59 грн
9000+1.49 грн
15000+1.29 грн
21000+1.22 грн
30000+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKRNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.12A; Idm: 0.76A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.76A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
84+5.41 грн
120+3.51 грн
144+2.91 грн
198+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKRNexperiaMOSFETs 2N7002NXAK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 872894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8022+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 8022 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002NXAKR T2N7002NXAKR
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+12.90 грн
95+7.99 грн
96+7.91 грн
152+4.78 грн
250+4.38 грн
500+3.03 грн
1000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKRNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 80143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKRTECH PUBLICTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002NXAKR SOT-23 TECH PUBLIC T2N7002NXAKR TEC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKRNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
на замовлення 332102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.38 грн
54+5.65 грн
100+3.48 грн
500+2.36 грн
1000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXAKRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKRNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), 330mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.17 грн
49+6.18 грн
100+3.77 грн
500+2.56 грн
1000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+13.82 грн
100+12.78 грн
250+12.27 грн
500+12.25 грн
1000+12.24 грн
3000+12.23 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 447 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKRNXP2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2N7002NXBKR T2N7002NXBKR
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+14.11 грн
87+8.75 грн
144+5.25 грн
500+3.62 грн
1000+2.88 грн
3000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKRNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 310mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 8440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKRNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), 330mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKRNexperiaMOSFETs 2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 9524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2689+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 2689 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
988+14.29 грн
1000+14.28 грн
3000+14.26 грн
6000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 988 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKRNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 8440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKRNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2527 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.21 грн
87+4.85 грн
99+4.27 грн
157+2.68 грн
500+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+16.76 грн
78+9.76 грн
126+6.01 грн
500+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002NXBKRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PNXP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 220091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 139947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.08 грн
38+7.98 грн
100+4.93 грн
500+3.36 грн
1000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17295 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.91 грн
71+5.94 грн
99+4.23 грн
113+3.71 грн
150+3.45 грн
500+2.69 грн
1000+2.22 грн
1500+1.97 грн
3000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215NXPMOSFET N-CH 60V 0.36A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 220091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 138980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.69 грн
6000+2.31 грн
9000+2.17 грн
15000+1.88 грн
21000+1.79 грн
30000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215NexperiaMOSFETs 2N7002P/SOT23/TO-236AB
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,235NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.8nC
Technology: Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,235NexperiaMOSFETs 2N7002P/SOT23/TO-236AB
на замовлення 55114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,235Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.08 грн
38+7.98 грн
100+4.93 грн
500+3.36 грн
1000+2.95 грн
2000+2.61 грн
5000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002P,235Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.22 грн
20000+1.93 грн
30000+1.82 грн
50000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PM,315NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA DFN1006-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DFN1006-3
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PSNXPTranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002PS.115; 2N7002PS,125; 2N7002PS,115; 2N7002PS NXP T2N7002PS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PSNexperiaMOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PSNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PS M8..NXP2N-MOSFET 60V 320mA 420mW 2N7002PS SOT363=TSSOP6 T2N7002 tssop6
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3857+9.15 грн
10000+8.15 грн
100000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 3857 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.24 грн
46+16.54 грн
100+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002PS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 420mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 8605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.12 грн
24+12.58 грн
100+7.82 грн
500+5.41 грн
1000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24  [ Наступна Сторінка >> ]