Продукція > DTC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DTC115GU3T106ROHMDescription: ROHM - DTC115GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GU3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.31 грн
32+9.57 грн
100+5.89 грн
500+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GUAT106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 100MA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GUT106
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115KTA
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TCAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TCAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TCAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+15.02 грн
100+9.35 грн
500+6.79 грн
1000+5.72 грн
3000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TCAT116ROHM SemiconductorDigital Transistors Digital Trans w/Res SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TCAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1204+11.77 грн
1633+8.68 грн
1850+7.66 грн
2159+6.33 грн
3000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 1204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TCAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
944+15.02 грн
1517+9.35 грн
2090+6.79 грн
2389+5.72 грн
3000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 944 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TCAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
26+11.89 грн
100+7.41 грн
500+5.12 грн
1000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TEROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TET1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416; 100kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 160...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 100kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TET1GonsemiDigital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TETLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 100MA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.30 грн
23+13.46 грн
100+8.41 грн
500+5.83 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TKROHM
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TKAROHM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TKA T146ROHMSOT23/SOT323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TKA/09ROHM
на замовлення 539 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 5994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4274+3.32 грн
4412+3.21 грн
5000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 4274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TKAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 100MA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TKT146
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TM3T5GAptina ImagingTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10453+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 10453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC115TM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TM3T5GAptina ImagingTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10453+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 10453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TM3T5GonsemiDigital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
на замовлення 152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8535+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 8535 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TM3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; 100kΩ
Quantity in set/package: 8000pcs.
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Polarisation: bipolar
Current gain: 160...350
Base resistor: 100kΩ
Case: SOT723
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors DIGITAL NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
на замовлення 7595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4274+3.32 грн
4412+3.21 грн
5000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 4274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TMT2LROHMDescription: ROHM - DTC115TMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 6263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TMT2LROHMDescription: ROHM - DTC115TMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 6263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
на замовлення 15550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4022+3.52 грн
4044+3.51 грн
4574+3.10 грн
8000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 4022 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TUROHM
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TU3T106ROHMDescription: ROHM - DTC115TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TU3T106Rohm SemiconductorDescription: NPN, SOT-323, R1 ALONE TYPE DIGI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.97 грн
25+11.97 грн
100+7.46 грн
500+5.16 грн
1000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 552 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TU3T106ROHMDescription: ROHM - DTC115TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115T Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TU3T106Rohm SemiconductorDescription: NPN, SOT-323, R1 ALONE TYPE DIGI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TU3T106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-323, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+16.98 грн
100+10.58 грн
500+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TUAROHMSOT323
на замовлення 53972 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMT T/R
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4688+3.02 грн
4703+3.01 грн
5209+2.72 грн
5396+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 4688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+12.90 грн
100+7.96 грн
500+5.83 грн
1000+4.95 грн
3000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.53 грн
33+9.12 грн
100+5.62 грн
500+3.85 грн
1000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TUAT106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 100MA
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1099+12.90 грн
1782+7.96 грн
2432+5.83 грн
2763+4.95 грн
3547+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 1099 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115TUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115UUROHM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC11YKAROHM04+ SOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ROHMTO-92S
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC1235ZT1GROHM
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EonsemiDescription: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
на замовлення 63320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7869+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 7869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123Eonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EONSEMIDescription: ONSEMI - DTC123E - DTC123E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 63320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin TO-92 Box
на замовлення 63320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAMicrodiode Electronics (MDD)DTC123ECA
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+1.80 грн
42000+1.65 грн
63000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAYangjie Electronic TechnologyDTC123ECA
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9741+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 9741 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECA-7DIODES04+ SOT-23
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECA-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECA-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN Digital Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECA-TPMicro Commercial ComponentsDigital Transistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 350 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.20 грн
38+8.08 грн
100+4.97 грн
500+3.39 грн
1000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 2.2kO Input Resist
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTC123ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 350 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.28 грн
6000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTC123ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
17+17.65 грн
100+11.12 грн
500+7.78 грн
1000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAT116ROHMDescription: ROHM - DTC123ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
805+17.62 грн
835+16.99 грн
1000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 805 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAT116ROHMDescription: ROHM - DTC123ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ECAT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 100mA 50V w/bias resistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EEShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 20@20MA,5V 150MW 100MA 50V SOT-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.99 грн
71+4.26 грн
114+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EE
Код товару: 139287
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EEonsemi SS SC75 BR XSTR NPN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EEShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 20@20MA,5V 150MW 100MA 50V SOT-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.39 грн
6000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.