Продукція > FDC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDC6335N-NL.FAI
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC633NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.2A SUPERSOT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC633Nonsemi / FairchildMOSFET SSOT-6 N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC633NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.2A SUPERSOT6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC633N-NLFairchild
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC633N_F095onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.2A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634FAIRCHILD07+ SOT23-6
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1370+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 1370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 20971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.04 грн
18+42.03 грн
100+31.79 грн
500+25.19 грн
1000+21.25 грн
3000+16.92 грн
6000+16.19 грн
9000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+43.75 грн
100+28.51 грн
500+20.60 грн
1000+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PonsemiMOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 3437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.73 грн
10+44.54 грн
100+23.40 грн
500+19.47 грн
1000+16.98 грн
3000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1370+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 1370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.81 грн
6000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A SUPERSOT6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 4.5V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.81 грн
6000+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1370+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 1370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Gate charge: 10nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.14 грн
10+38.42 грн
100+22.92 грн
500+18.16 грн
1000+16.15 грн
3000+13.05 грн
6000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P/634FAIRCHIL09+
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC636FAIRCHILD
на замовлення 16100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC636PFAIRCHILDSOT163
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC636PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.8A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC636P-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6372CFSC
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.20 грн
500+25.35 грн
1000+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 10 V
на замовлення 5839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.33 грн
10+45.55 грн
100+29.94 грн
500+21.79 грн
1000+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1089+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 1089 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.37 грн
16+53.56 грн
100+35.20 грн
500+25.35 грн
1000+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANonsemiMOSFETs SSOT-6 N-CH 20V
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.65 грн
10+49.30 грн
100+28.23 грн
500+21.61 грн
1000+19.74 грн
3000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.91 грн
6000+24.51 грн
9000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.91 грн
6000+24.51 грн
9000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1089+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 1089 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN-NB5E023AonsemiDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 2.
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN-NLFAIRCHILD
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN/637FAIR
на замовлення 20500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANNB5E023AonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637ANSOT163-637PB-FREEFAIRCHLD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2195+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZonsemiMOSFETs 20V N-Channel 2.5V Spec PowerTrench
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.48 грн
11+29.53 грн
100+12.50 грн
500+10.15 грн
1000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZONS/FAIN-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 20V, 6.2A, 24mOm SuperSOT-6 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2195+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
727+19.52 грн
1000+17.53 грн
3000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 727 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.60 грн
11+27.82 грн
100+17.86 грн
500+12.73 грн
1000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.41 грн
6000+12.36 грн
9000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZONSEMIDescription: ONSEMI - FDC637BNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.48 грн
27+29.96 грн
100+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.69 грн
6000+11.07 грн
9000+10.96 грн
15000+10.46 грн
21000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZonsemi / FairchildMOSFETs 20V N-Channel 2.5V Spec PowerTrench
на замовлення 14868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.82 грн
12+26.91 грн
100+16.22 грн
500+12.50 грн
1000+11.05 грн
3000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.68 грн
6000+11.07 грн
9000+10.95 грн
15000+10.46 грн
21000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.82 грн
6000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2195+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 2195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.33 грн
6000+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.49 грн
6000+17.66 грн
9000+17.15 грн
15000+15.99 грн
21000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.07 грн
6000+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.72 грн
6000+18.07 грн
9000+17.64 грн
15000+16.51 грн
21000+14.77 грн
30000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZONSEMIDescription: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 25246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.48 грн
50+41.64 грн
100+27.06 грн
500+19.30 грн
1500+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.69 грн
6000+18.04 грн
9000+17.62 грн
15000+16.49 грн
21000+14.76 грн
30000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+37.40 грн
1000+27.33 грн
3000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZonsemiMOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
на замовлення 7497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.61 грн
10+37.63 грн
100+20.64 грн
500+16.36 грн
1000+14.64 грн
3000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.48 грн
12+37.48 грн
50+25.43 грн
100+21.61 грн
500+15.62 грн
1000+14.04 грн
1500+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.46 грн
35+22.15 грн
100+20.09 грн
500+17.30 грн
1000+15.21 грн
3000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1574+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 1574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.28 грн
26+29.43 грн
27+28.59 грн
100+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.33 грн
6000+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+63.32 грн
417+34.02 грн
548+25.89 грн
1000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 18889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
10+37.47 грн
100+24.32 грн
500+17.50 грн
1000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZONSEMIDescription: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 25246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.06 грн
500+19.30 грн
1500+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
640+22.15 грн
706+20.09 грн
791+17.94 грн
1000+16.43 грн
3000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 640 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1574+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 1574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZonsemi / FairchildMOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
на замовлення 12984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.69 грн
10+37.63 грн
100+21.26 грн
500+16.29 грн
1000+14.22 грн
3000+10.70 грн
6000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ-PSBMS001onsemiDescription: RECTIFIERS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ-SBMS001ON SemiconductorP-Channel 2.5V Power Trench Specified MOSFET
на замовлення 365423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.55 грн
10000+13.85 грн
100000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ-SBMS001ON SemiconductorP-Channel 2.5V Power Trench Specified MOSFET
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ-SBMS001ON SemiconductorP-Channel 2.5V Power Trench Specified MOSFET
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.55 грн
10000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ-SBMS001ON SemiconductorP-Channel 2.5V Power Trench Specified MOSFET
на замовлення 354000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.55 грн
10000+13.85 грн
100000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ-SBMS001ON SemiconductorP-Channel 2.5V Power Trench Specified MOSFET
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.55 грн
10000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ-SBMS001onsemiDescription: LV FET / WBG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ_PSBMS001ON SemiconductorFDC638APZ-PSBMS001
на замовлення 22464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1576+22.49 грн
10000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 1576 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ_PSBMS001ON SemiconductorFDC638APZ-PSBMS001
на замовлення 62400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1576+22.49 грн
10000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 1576 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.12 грн
9+50.86 грн
10+42.63 грн
50+25.10 грн
100+20.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 6665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+44.87 грн
100+29.37 грн
500+21.29 грн
1000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+21.04 грн
100+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
420+33.78 грн
423+33.55 грн
426+33.30 грн
500+31.88 грн
1000+29.31 грн
3000+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
528+26.85 грн
3000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PONS/FAIМОП-транзистор SSOT-6 P-CH -20V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 17475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.20 грн
50+45.75 грн
100+22.95 грн
500+19.89 грн
1500+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.27 грн
6000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]