Продукція > FDD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDD6680SFairchild SemiconductorFDD6680S
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
на замовлення 31202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+119.25 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680SFairchild SemiconductorFDD6680S
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+147.33 грн
1000+139.08 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6680SFairchild SemiconductorFDD6680S
на замовлення 14646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+147.33 грн
1000+139.08 грн
10000+126.15 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6682Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
на замовлення 29312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6682_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+81.52 грн
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6685Fairchild/ON Semiconductor-... Транзистори Корпус: TO-252 Очікується: 2500 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
562+62.95 грн
Мінімальне замовлення: 562 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6685onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A/40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+110.93 грн
250+78.56 грн
1000+72.58 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6685ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
562+62.95 грн
1000+58.04 грн
Мінімальне замовлення: 562 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6685ONS/FAITO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6685onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A/40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715 pF @ 15 V
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.41 грн
10+76.91 грн
50+57.73 грн
100+48.38 грн
500+38.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6685ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6685onsemiMOSFETs 30V P-Channel PowerTrench
на замовлення 19217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6685ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6685-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6686SFAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6688FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
на замовлення 22200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
10000+113.54 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6688FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6688FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6688FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
на замовлення 47027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
10000+113.54 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6688Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
на замовлення 146976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+113.40 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6688FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6688onsemiMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6688FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
на замовлення 4406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6688FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
10000+113.54 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6688FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
на замовлення 34410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
10000+113.54 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6688onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6688SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 88A D-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6688SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 88A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.44 грн
500+133.18 грн
1000+126.11 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6690A
Код товару: 183764
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6690Aonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6690AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6690AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6690AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6690AFairchildN-Channel 30V 12A (Ta), 46A (Tc) 3.3W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-25) FDD6690A ON Semiconductor TFDD6690a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6690AONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46 A, 0.0077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 46
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6690SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+69.22 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6692Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 15 V
на замовлення 66982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6696Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/50A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715 pF @ 15 V
на замовлення 217895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6696ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6696 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 217895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 782 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6733FAIRCHILDTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6760AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET NCH 25V 27A DPAK
на замовлення 4435000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6760AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET NCH 25V 27A DPAK
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6760AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET NCH 25V 27A DPAK
на замовлення 4435000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6770AFairchild SemiconductorDescription: 24A, 25V, 0.004OHM, N-CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2405 pF @ 13 V
на замовлення 4705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+57.78 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6770AON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V 50A N-Channel PowerTrench
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6776AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 17.7A/30A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 13 V
на замовлення 27440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6776AON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V 30A N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6778AON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6778ARochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 128596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 610 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6778AON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6778AON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6778AON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V 10A N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6780ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 16.5A/30A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6780Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 16.5A/30A DPAK
на замовлення 12410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6780ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 16.5A/30A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6780A
Код товару: 175313
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6780AFairchild SemiconductorDescription: 16.4A, 25V, 0.0086OHM, N-CHANNEL
на замовлення 52350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
628+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 628 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6782AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 20A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6782AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 20A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6782AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 20A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6796ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6796 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6796Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 20A/40A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 13 V
на замовлення 15248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+48.96 грн
Мінімальне замовлення: 452 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6796AON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V 40A N-Channel PowerTrench
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6796AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 20A/40A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 13 V
на замовлення 749738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 533 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N20TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N20TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
628+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 628 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N20TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.49 грн
15+52.80 грн
100+40.30 грн
500+32.20 грн
1000+25.03 грн
2500+19.91 грн
5000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N20TMonsemi / FairchildMOSFET 200V N Chanel MOSFET
на замовлення 10432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N20TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N20TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+55.17 грн
100+42.29 грн
500+31.38 грн
1000+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N25fairchild07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N25TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N25TMFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 1038784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N25TMonsemi / FairchildMOSFET 250V N-CH MOSFET
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N25TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50onsemi / FairchildMOSFETs UF 500V 0.9OHM DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50fairchild07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50F TM
Код товару: 129279
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50FTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50FTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
на замовлення 8587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.19 грн
10+77.52 грн
100+52.18 грн
500+38.79 грн
1000+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50FTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50FTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.38 грн
5000+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50FTMonsemiMOSFETs 500V N-Channel
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50RTFRochester Electronics, LLCDescription: 6A, 500V, N-CHANNEL, MOSFET
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50TMonsemiMOSFETs 500V 6A 760mOhms
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50TM-F085onsemi / FairchildMOSFET Trans MOS N-Ch 500V 6A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 5032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.