Продукція > FDD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDD6688onsemiMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6688onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
10000+113.54 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6688Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 146976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+112.58 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
500+143.79 грн
1000+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6688SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 88A D-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6688SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 88A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.44 грн
500+133.18 грн
1000+126.11 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6688SFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6688SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 88A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 15 V
на замовлення 6966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+105.25 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6690AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6690AONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46 A, 0.0077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 46
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.92 грн
10+97.54 грн
100+75.92 грн
500+45.97 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6690AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6690AFairchildN-Channel 30V 12A (Ta), 46A (Tc) 3.3W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-25) FDD6690A ON Semiconductor TFDD6690a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6690AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6690A
Код товару: 183764
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6690Aonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6690SFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6690SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+68.13 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6692Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 15 V
на замовлення 66982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+59.36 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6692FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6696FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6696Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/50A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715 pF @ 15 V
на замовлення 217895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6696ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6696 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 217895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
782+39.91 грн
Мінімальне замовлення: 782 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6733FAIRCHILDTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6760AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET NCH 25V 27A DPAK
на замовлення 4435000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6760AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET NCH 25V 27A DPAK
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6760AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET NCH 25V 27A DPAK
на замовлення 4435000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6770AFairchild SemiconductorDescription: 24A, 25V, 0.004OHM, N-CHANNEL ,
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2405 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 50A (Tc)
на замовлення 4705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+57.78 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6770AON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V 50A N-Channel PowerTrench
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6776AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 17.7A/30A DPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.7A, 10V
на замовлення 27440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6776AON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V 30A N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6778AON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6778ARochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 128596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 610 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6778AON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6778AON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V 10A N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6778AON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6780Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 16.5A/30A DPAK
на замовлення 12410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6780ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 16.5A/30A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6780ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 16.5A/30A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6780A
Код товару: 175313
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6780AFairchild SemiconductorDescription: 16.4A, 25V, 0.0086OHM, N-CHANNEL
на замовлення 52350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
628+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 628 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6782AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 20A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6782AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 20A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6782AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 20A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6796Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 20A/40A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 13 V
на замовлення 15248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+48.96 грн
Мінімальне замовлення: 452 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6796ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6796 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+57.47 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6796AON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V 40A N-Channel PowerTrench
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6796AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 20A/40A TO252
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
на замовлення 749738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 533 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N20TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N20TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
628+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 628 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N20TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N20TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+55.17 грн
100+42.29 грн
500+31.38 грн
1000+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.49 грн
15+52.80 грн
100+40.30 грн
500+32.20 грн
1000+25.03 грн
2500+19.91 грн
5000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N20TMonsemi / FairchildMOSFET 200V N Chanel MOSFET
на замовлення 10432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N20TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N25fairchild07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N25TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N25TMonsemi / FairchildMOSFET 250V N-CH MOSFET
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N25TMFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 1038784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N25TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50onsemi / FairchildMOSFETs UF 500V 0.9OHM DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50fairchild07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50F TM
Код товару: 129279
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50FTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50FTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
на замовлення 8587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.19 грн
10+77.52 грн
100+52.18 грн
500+38.79 грн
1000+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50FTMonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50FTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.38 грн
5000+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50FTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50RTFRochester Electronics, LLCDescription: 6A, 500V, N-CHANNEL, MOSFET
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50TMonsemi / FairchildMOSFET 500V 6A 760mOhms
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50TM-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50TM-F085onsemi / FairchildMOSFET Trans MOS N-Ch 500V 6A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 5032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50TM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50TM-WSonsemi / FairchildMOSFET 500V 6A N-Channel
на замовлення 28850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50TM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50TM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7030BLONSEMIDescription: ONSEMI - FDD7030BL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 80423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
821+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 821 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7030BLFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 80423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+43.01 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7030BLUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7030BLFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7030BLonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7030BLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7030BLUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7030BL_NLonsemi / FairchildMOSFET 30/20V, 9.5/13mO, NCH, DPAK, 400A GOX, PTI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7030BL_Qonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7030RLFAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15AonsemiDescription: MOSFET N CH 150V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+68.17 грн
211+67.30 грн
272+52.05 грн
274+49.83 грн
500+38.63 грн
1000+34.39 грн
3000+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A
Код товару: 100267
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15AONSEMIDescription: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.061 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.88 грн
500+37.29 грн
1000+31.98 грн
5000+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]