Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF3205ZS Код товару: 53829
Додати до обраних
Обраний товар
| 8542 39 90 00 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF3205ZSP Код товару: 99464
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 55 V Idd,A: 75 A Rds(on), Ohm: 6,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRF3205ZSPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 76nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3205ZSTRL | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V | на замовлення 4167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3205ZSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel Polarisation: unipolar Gate charge: 110nC On-state resistance: 6.5mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 170W Drain-source voltage: 55V Drain current: 78A Pulsed drain current: 440A | на замовлення 37 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3205ZSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 170W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm | на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3205ZSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 170W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm | на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg | на замовлення 2424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3205ZSTRR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3205ZSTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF321 | International Rectifier | Description: IRFN-CHANNHERMETMHEXFET Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF322 | International Rectifier | Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Power Dissipation (Max): 50W Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A FET Type: N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF323 | International Rectifier | Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A Power Dissipation (Max): 50W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V | на замовлення 901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF323 | International Rectifier HiRel Products | IRF323 | на замовлення 555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF330 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF330 | International Rectifier | TO-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF330 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF330 | IR | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF3305 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3305PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3305PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 100nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF331 | IR | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF331 | HARRIS | IRF331 | на замовлення 2691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF331 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V | на замовлення 2691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3314STRL | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3314STRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3315 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 27A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3315 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF3315 TIRF3315 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 44 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3315-010 | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3315-010HR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3315HR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3315L | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3315L | IR | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF3315LPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3315LPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3315PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3315PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3315PBF | International Rectifier | TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3315PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF3315PBF - IRF3315 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3315PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 70mOhm 63.3nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3315S | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3315S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3315SHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3315SPBF | Infineon Technologies | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 82mOhms 63.3nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3315SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3315STRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3315STRLHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3315STRLPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 150V 21A 82mOhm 63.3nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3315STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3315STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3315STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 94W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 21A Power dissipation: 94W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3315STRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3315STRRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3315STRRPBF | Infineon / IR | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 82mOhms 63.3nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3315STRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF332 | International Rectifier | Description: 4.5A, 400V, 1.5OHM, N-CHANNEL PO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF340 | IR/MOT | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF340 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF340 | International Rectifier | TO-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF340 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF340PBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF341 | HARRIS | IRF341 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF341 | International Rectifier | Description: IRF341 - 10A, 350V, N-CHANNEL, P Packaging: Bulk | на замовлення 2744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF341 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF341 | International Rectifier HiRel Products | IRF341 | на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF341 | HARRIS | IRF341 | на замовлення 2534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF341 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V | на замовлення 3034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3415 Код товару: 23681
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 150 V Idd,A: 43 A Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRF3415 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3415 TIRF3415 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3415 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3415L | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3415PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 14706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3415PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3415PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3415PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 43A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 133.3nC | на замовлення 413 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3415PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3415PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC | на замовлення 2504 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3415PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 14713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3415PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3415PBF Код товару: 34305
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 150 V Idd,A: 43 A Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200 Монтаж: THT | у наявності: 43 шт
|
| ||||||||||||||
| IRF3415PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 49000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3415PBF | IRF3415PBF Транзисторы HEXFET | на замовлення 96 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF3415PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3415PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3415PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | на замовлення 3094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF3415PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 43 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2400 @ 25, Qg, нКл = 200 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 22 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3415S | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3415S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3415S | IR | T0-263 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF3415SPBF | Infineon Technologies | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 133.3nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |