Продукція > MMI

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MMIX1G120N120A3V1IXYSDescription: IGBT PT 1200V 220A 24-SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 700 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: 24-SMPD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/490ns
Switching Energy: 10mJ (on), 33mJ (off)
Test Condition: 960V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 700 A
Power - Max: 400 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1G120N120A3V1IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 105A; 400W; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 105A
Power dissipation: 400W
Case: SMPD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: SMD
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1G320N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V 400A 24-SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 66 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: 24-SMPD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/250ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 480V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 585 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A
Power - Max: 1000 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1G320N60B3IGBT транзистор 600 В 400 А нас. 1.2 В корпус SMPD Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1G320N60B3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 180A; 1kW; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 180A
Power dissipation: 1kW
Case: SMPD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1kA
Mounting: SMD
Gate charge: 585nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1G320N60B3IXYSIGBTs Disc IGBT SMPD Pkg-Standard SMPD-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1H60N150V1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - MMIX1H60N150V1 - Thyristor, 1.5 kV, SMPD, 24 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: -
RMS-Durchlassstrom: -
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: -
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.5kV
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Bauform - Thyristor: SMPD
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1H60N150V1IXYSSCRs SCR SMPD24 1.5KV THY
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1H60N150V1LittelfuseSCR Diode 1500V 32000A 21-Pin SMPD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1H60N150V1IXYSDescription: SCR 1.5KV 24-SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: 24-SMPD
Voltage - Off State: 1.5 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1H60N150V1IXYSCategory: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.5kV; SMPD; SMD; 32kA
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.5kV
Case: SMPD
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 32kA
Features of semiconductor devices: freewheelling diode; MOS-gated thyristor (MGT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1T132N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 63A POLAR3
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 22 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: Polar3™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1T132N50P3IXYSDiscrete Semiconductor Modules MSFT SMPD PKG-HIPERFET MSF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1T500N20X4-TULittelfuse Inc.Description: 200V < 2M X4 N-CHANNEL MOSFET IN
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.99mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 24-SMPD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 535 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41.5 nF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3183.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1T550N055T2IXYSMOSFETs SMPD MOSFETs Power Device
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1T550N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 550A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 24-SMPD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 595 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3517.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1T600N04T2IXYSMOSFETs 40V 600A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1T600N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 600A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 24-SMPD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1T600N04T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 40V; 600A; Idm: 2kA; 830W
Case: SMPD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 100ns
Gate charge: 590nC
On-state resistance: 1.3mΩ
Drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 2kA
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2821.47 грн
3+2317.19 грн
10+2081.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1T600N04T2N-CH MOSFET, 40V, 600A, SMPD-24 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1T660N04T4IXYSMOSFET Modules Disc MSFT SMPD Pkg-HiPerFETMSFT SMPD-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1T660N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 660A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 24-SMPD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 860 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1X100N60B3H1IXYSIGBTs Disc IGBT SMPD Pkg-Standard SMPD-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1X100N60B3H1IXYSDescription: IGBT 600V 145A 400W SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: 24-SMPD
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off)
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 143 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 440 A
Power - Max: 400 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1X200N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V 223A 24-SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: 24-SMPD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/160ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 360V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 223 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A
Power - Max: 625 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1X200N60B3IXYSIGBTs SMPD IGBTs Power Device
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1X200N60B3H1IXYSIGBTs SMPD IGBTs Power Device
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1X200N60B3H1IXYSDescription: IGBT 600V 175A 24-SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: 24-SMPD
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/160ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 360V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 175 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A
Power - Max: 520 W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3673.74 грн
20+2505.02 грн
100+2398.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1X340N65B4IXYSIGBTs SMPD 650V 295A XPT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1X340N65B4IXYSDescription: MOSFET N-CH
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1Y100N120C3H1IXYSIGBT Modules SMPD IGBTs Power Device
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1Y100N120C3H1IXYSDescription: IGBT 1200V 92A 24-SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 420 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: 24-SMPD
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/123ns
Switching Energy: 6.5mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 440 A
Power - Max: 400 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1Y82N120C3H1IXYSIGBT Modules Disc IGBT SMPD Pkg-Standard SMPD-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1Y82N120C3H1IXYSDescription: DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD SMPD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX2F60N50P3IXYSDescription: MOSFET 2N-CH 500V 30A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-SMD Module, 9 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320W
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: 24-SMPD
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX2F60N50P3IXYSCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Polar3™; unipolar; 500V; 30A; Idm: 150A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 320W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3005.72 грн
3+2462.27 грн
10+2214.03 грн
20+2066.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX2F60N50P3IXYSMOSFET Modules SMPD 500V 30A N-CH POLAR3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX4B20N300IXYSIGBTs SMPDB 3KV 34A IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX4B20N300IXYSDescription: IGBT F BRIDGE 3000V 34A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-SMD Module, 9 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 24-SMPD
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX4B22N300IXYSIGBTs SMPDB 3KV 22A IGBT
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX4G20N250LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 23A 100000mW 9-Pin SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX4G20N250IXYSDescription: IGBT ARR FBRIDGE 2500V 23A 24SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-SMD Module, 9 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 20A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 24-SMPD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Power - Max: 100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.19 nF @ 15 V
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7184.45 грн
20+5785.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX4G20N250IXYSIGBTs SMPDB 2500V 23A IGBT
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.