Продукція > MUN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MUN5314DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 242 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5314DW1T1G | ONSEMI | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.187W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | на замовлення 1699 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5315DW1 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5315DW1T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5315DW1T1 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5315DW1T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5315DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5315DW1T1 - TRANS PREBIAS NPN-PNP SOT363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5315DW1T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5315DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5315DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5315DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5315DW1T1G | на замовлення 12132 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5315DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5315DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5315DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5315DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 162990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5315DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5315DW1T1G | ONSEMI | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 10kΩ Mounting: SMD Case: SC70-6; SC88; SOT363 Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.385W Kind of transistor: BRT; complementary pair Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 160...350 Base resistor: 10kΩ Quantity in set/package: 3000pcs. Type of transistor: NPN / PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5315DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5315DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5315DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP | на замовлення 759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5315DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5316/16 | ON | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5316DW1 | onsemi | SS SC88 BR XSTR DUAL 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5316DW1 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5316DW1T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5316DW1T1 | на замовлення 720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5316DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5316DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 691808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5316DW1T1G | ONSEMI | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Case: SC70-6; SC88; SOT363 Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Kind of transistor: BRT; complementary pair Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 160...350 Base resistor: 4.7kΩ Type of transistor: NPN / PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5316DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 14725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5316DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5316DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5316DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 599083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5316DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 204 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5316DW1T1G | ON Semiconductor | на замовлення 12087 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MUN5316DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5316DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5316DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5316DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5316DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP | на замовлення 6957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5316DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5316DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5316DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5316DWITI | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5316\16 | ON | SOT-363 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5330DW1 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5330DW1T | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5330DW1T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5330DW1T1 | ON | 07+; | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5330DW1T1 | onsemi | Description: TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363 Packaging: Bulk | на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5330DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5330DW1T1 - TRANS PREBIAS NPN-PNP SOT363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5330DW1T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5330DW1T1G | на замовлення 5750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5330DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 1kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5330DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 247 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5330DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5330DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 1 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5330DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5330DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP | на замовлення 4788 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5330DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5330DW1T1G | On Semiconductor | Dual Bias Resistor Transistors, SOT-363 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5330DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 1kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | на замовлення 2962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5330DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5330DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5330DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 1 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5330DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 422950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5331DW1 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5331DW1T1 | на замовлення 720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5331DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP | на замовлення 10460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5331DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5331DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 121300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5331DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5331DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 205300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5331DW1T1G | On Semiconductor | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5331DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5331DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 4140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5331DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5332DW1 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5332DW1T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5332DW1T1 | на замовлення 720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5332DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5332DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5332DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5332DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5332DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5332DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP | на замовлення 20287 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5332DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | на замовлення 1798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5332DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 256 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5333D | на замовлення 2922 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5333DW1 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5333DW1T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5333DW1T1 | на замовлення 720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5333DW1T1G | ON-Semiconductor | Transistor PNP/NPN; Bipolarny; 50V; 10V; 4,7kOhm; 100mA; 187mW; -55°C ~ 150°C; MUN5333DW1T1G TMUN5333dw кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5333DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 26670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5333DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP | на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5333DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5333DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5333DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5333DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 26670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5333DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5333DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5333DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5333DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5333DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5333DWT1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5334DW1T1 | на замовлення 720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5334DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

