Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 25 30 35 40 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN004-25P
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-36B
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-36B,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 36V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 36 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-36B/PNXP SemiconductorsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-36P
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-55WNXP SemiconductorsMOSFET RAIL PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-55W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-55W,127NXP SemiconductorsMOSFET RAIL PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-55W,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+120.13 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN004-60B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 3600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+111.45 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+128.66 грн
100+119.61 грн
500+111.54 грн
800+103.55 грн
2400+94.90 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+133.99 грн
100+123.58 грн
800+116.11 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118NexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 3666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+97.53 грн
1600+87.56 грн
2400+86.94 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+152.05 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN004-60B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 3600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+134.10 грн
115+123.67 грн
800+116.20 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+180.09 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+130.69 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+111.45 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+190.28 грн
2400+186.51 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60P
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60P,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN005-25D
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN005-25DNXP SemiconductorsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN005-25D /T3NXP SemiconductorsMOSFET TRENCH<=30
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN005-25D,118NXP SemiconductorsMOSFET TRENCH<=30
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN005-25D,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN005-30KNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN005-30K
на замовлення 4223 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN005-30K /T3NXP SemiconductorsMOSFETs TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN005-30K,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+54.84 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN005-30K,518NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN005-30K,518 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN005-30K,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN005-30K,518NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
577+61.30 грн
1000+56.54 грн
Мінімальне замовлення: 577 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN005-30K,518NexperiaMOSFETs TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN005-55BPHILIPS
на замовлення 683 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN005-55B,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN005-55P
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN005-55P,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
psmn005-75b
Код товару: 61523
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN005-75B
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN005-75B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+89.48 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN005-75B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 75V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN005-75B,118NexperiaMOSFETs PSMN005-75B/SOT404/D2PAK
на замовлення 4138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN005-75B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
на замовлення 2077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.39 грн
10+148.01 грн
100+107.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN005-75PNexperiaMOSFET RAIL PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN005-75PNXP0719+ TO-220
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN005-75P,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN005-75P,127NexperiaMOSFET PSMN005-75P/SOT78/SIL3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN00530K518NexperiaPSMN00530K518
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.09 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN006-20KNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN006-20KNXP SemiconductorsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN006-20K /T3NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN006-20K,518NexperiaNexperia TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN006-20K,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 32A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 2.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN008-75B
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN008-75B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.17 грн
10+121.52 грн
100+83.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN008-75B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 75V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.10 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN008-75B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+66.19 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN008-75B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 75V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN008-75B,118NexperiaMOSFETs PSMN008-75B/SOT404/D2PAK
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN008-75B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 75V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN008-75PNXP SemiconductorsMOSFET RAIL PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN008-75P
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN008-75P,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN008-75P,127NXP SemiconductorsMOSFET PSMN008-75P/SIL3P/RAILH//
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100B
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+247.51 грн
500+234.55 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100B,118Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA PSMN009-100B - 75A, 100
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
на замовлення 3762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+90.45 грн
Мінімальне замовлення: 241 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100B,118NexperiaMOSFET PSMN009-100B/SOT404/D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100B,118NXPТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+247.51 грн
500+234.55 грн
1000+221.58 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+247.51 грн
500+234.55 грн
1000+221.58 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+247.51 грн
500+234.55 грн
1000+221.58 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127NexperiaMOSFET PSMN009-100P/SOT78/SIL3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PSMN009-100P - 75A, 100
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+113.61 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+275.80 грн
500+260.48 грн
1000+246.33 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+275.80 грн
500+260.48 грн
1000+246.33 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
на замовлення 781 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+184.50 грн
10+176.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+275.80 грн
500+260.48 грн
1000+246.33 грн
10000+223.90 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+275.80 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100W
Код товару: 18400
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 100 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,009 Ом
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100WNXP SemiconductorsMOSFET RAIL PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100WPHILIPS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100W,127NXP SemiconductorsMOSFET RAIL PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 25 30 35 40 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]