Продукція > STS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STS7P4LLF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 40V 7A POWER8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.90 грн
10+62.19 грн
100+41.45 грн
500+30.53 грн
1000+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS7P4LLF6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STS7P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.0175 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 3235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS7PF30LST
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS7PF30L
Код товару: 82723
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS7PF30LSTMicroelectronicsMOSFETs P-Ch 30 Volt 7 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS7PF30LSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS7PF30LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8BournsSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS802U2SRPIXYSDescription: SCR MODULE 800V 0.6A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Structure: Independent - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 20A, 24A
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 0.6 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.82 грн
10+196.24 грн
100+138.58 грн
500+113.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS802U2SRPLITTELFUSECategory: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 600mA; 1.5A; Igt: 100uA; SOIC8; SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOIC8
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 100µA
Max. load current: 0.6A
Load current: 1.5A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS802U2SRPIXYSDescription: SCR MODULE 800V 0.6A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Structure: Independent - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 20A, 24A
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 0.6 A
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS802U2SRPIXYSSCRs 1.5Amp Sensitive Dual SCR in SOP-8
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS8050
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS8050D
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS8201SMT
на замовлення 49819 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS8205
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS8208
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS8550
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS8816
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS8C5H30LSTMN-ch.+P-ch 30V - 2 W - 8A SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS8C5H30LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8-Pin SO N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8C5H30LVBsemiTransistor N/P-MOSFET; 30V; 16V; 25mOhm/75mOhm; 8A/5,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; STS8C5H30L-VB; STS8C5H30L TSTS8C5H30L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+31.45 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8C5H30LSTMicroelectronicsMOSFET N/P-Ch 30V 8/5 Amp
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS8C5H30LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8-Pin SO N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8C5H30LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8C5H30L N/P-MOSFET
Код товару: 168551
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS8C6H3LLSTMicroelectronicsSTMicroelectronics N-channel 30 V, 0.019 Ohm typ., 8 A, P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 6 A STripFET(TM) Power MOSFET in a SO-8 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN3LLH5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STS8DN3LLH5 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN3LLH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN3LLH5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STS8DN3LLH5 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN3LLH5STMicroelectronicsMOSFETs Dual N-Ch 30V 10A STripFET V Pwr
на замовлення 6627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN3LLH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 4113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.63 грн
10+94.88 грн
100+64.53 грн
500+48.37 грн
1000+46.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN3LLH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN6LF6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.60 грн
10+82.95 грн
50+62.35 грн
100+52.26 грн
500+41.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN6LF6AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STS8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 3.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN6LF6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SO N T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN6LF6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SO N T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SO N T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN6LF6AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STS8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 3.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.43 грн
164+86.26 грн
500+74.76 грн
1000+58.94 грн
2500+51.42 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DN6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.40 грн
177+80.10 грн
500+65.16 грн
1000+56.92 грн
2500+45.88 грн
5000+41.64 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DNF3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DNF3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DNF3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 6889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.19 грн
10+77.14 грн
100+51.74 грн
500+38.35 грн
1000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DNF3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DNF3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DNF3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.87 грн
5000+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DNF3LLSTMicroelectronicsCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Case: SO8
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DNF3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DNF3LLSTMMOSFET 2N-ch. Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DNF3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SO N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DNF3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DNF3LLSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 Volt 8 Amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DNFS30LST09+ SO-8
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DNH3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DNH3LLSTMMOSFET 2N-ch. Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DNH3LLSTMicroelectronicsMOSFET Dual N-Ch 30 Volt 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DNH3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8DNH3LLST
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS8N6LF6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8N6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8N6LF6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 60 V, 21 mOhm typ 8 A STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS8N6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8N6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8N6LF6AG
Код товару: 180614
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS8N6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
456+31.07 грн
Мінімальне замовлення: 456 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8N6LF6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+54.95 грн
50+40.74 грн
100+33.94 грн
500+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8N6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8N6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8N6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS8NF30LST09+ SO-8
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS8NFS30LST09+ SO-8
на замовлення 7136 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS8PF30L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS9012G
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS9013G
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS9014
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS9015
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS9015-C
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS9015B
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS9015C
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS9018
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS90NF30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS9311A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS9313A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS9313B
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS9411A
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS9D8NH3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 8A/9A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS9D8NH3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A/9A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS9D8NH3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 8A/9A 8-Pin SO N T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
612+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 612 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS9D8NH3LLSTMicroelectronicsMOSFET Dual N Ch 30V 0.012Ohm 9A
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS9D8NH3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A/9A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS9NF30LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STS9NF30LST09+
на замовлення 35018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STS9NF30LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STS9NF3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.