Продукція > Jan

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
JANSR2N3636Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3636LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3637Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W RH Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3637Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 175V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3637LMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 175V 1A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3637LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W Long-Lead RH Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3637UBMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W RH Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3637UBMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 175V 1A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3637UB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 175V 1A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3637UB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W RH Small-Signal BJT THT TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3700Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW RH Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3700Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 1A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/391
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3700UBMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Round-End RH Small-Signal BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3700UBMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 1A UB
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/391
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3700UB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 1A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/391
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3700UB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Round-End RH Small-Signal BJT TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3810Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Dual RH Small-Signal BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3810Microchip TechnologyDescription: PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/336
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3810LMicrochip TechnologyDescription: DUAL RH SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3810LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Dual RH Small-Signal BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3810UMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 50mA 350mW Dual RH Small-Signal BJT SQ SMT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3810UMicrochip TechnologyDescription: RH SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Tray
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: 6-SMD
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/336
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3810U/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 50mA 350mW Dual RH Small-Signal BJT SQ SMT TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N3810U/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANSISTOR DUAL RH SMALL-SIGNAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: 6-SMD
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/336
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N4449Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N4449Microchip TechnologyDescription: RH SMALL-SIGNAL BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N5002Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 50UA TO59
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N5004Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 10A TO59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N5151Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT RH Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N5151Microchip TechnologyDescription: RH POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N5151LMicrochip TechnologyDescription: RH POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-5AA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N5151LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Long-Lead RH Power BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N5151U3Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT RH Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N5151U3Microchip TechnologyDescription: RH POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: U3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.16 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N5152Microchip TechnologyMicrochip Technology
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N5152LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN Long-Lead RH Power BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N5152U3Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN Low Profile CER RH Power BJT SMT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N5152U3Microsemi CorporationDescription: RH POWER BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N5153Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 2A TO39
Packaging: Tray
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/545
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N5153Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP RH Power BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N5153/TRMicrosemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N5153LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP RH Long-Lead Power BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N5153U3Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Low Profile CER RH Power BJT SMT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N5153U3Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 2A U3
Packaging: Tray
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: U3
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Qualification: MIL-PRF-19500/545
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N5153U3/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Low Profile CER RH Power BJT SMT TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N5154Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 2A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/544
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N5154Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN RH Power BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N5154LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT RH Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N5154U3Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 2A U3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: U3 (SMD-0.5)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/544
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N5154U3Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT RH Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N5154U3/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 2A U3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: U3 (SMD-0.5)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/544
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N5154U3/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN Low Profile CER RH Power BJT SMT TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N6193Semicoa SemiconductorsSwitching Silicon PNP Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N6193U3Microchip TechnologyDescription: RH POWER BJT _ U3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N6193U3Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT RH Power BJT _ U3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N6193U3Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 100V 5A 1000mW Case U3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7261UMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 8A 18ULCC
Packaging: Tray
Package / Case: 18-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49)
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 12 V
Qualification: MIL-PRF-19500/601
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7261UMicrosemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7262UMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC
Packaging: Tray
Package / Case: 18-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 364mOhm @ 5.5A, 12V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49)
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 12 V
Qualification: MIL-PRF-19500/601
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7262UMicrochip / MicrosemiMOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7268UMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 34A U1
Packaging: Tray
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 34A, 12V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: U1 (SMD-1)
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 12 V
Qualification: MIL-PRF-19500/603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7268UMicrosemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7269Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 26A TO254AA
Packaging: Tray
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 26A, 12V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-254AA
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 12 V
Qualification: MIL-PRF-19500/603
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7269Microchip / MicrosemiMOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7269UMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 26A U1
Packaging: Tray
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 26A, 12V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: U1 (SMD-1)
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 12 V
Qualification: MIL-PRF-19500/603
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7269UMicrochip / MicrosemiMOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7269UMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 200V 26A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7292Harris CorporationDescription: 25A, 100V, 0.070 OHM, RAD HARD,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-254AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 552 nC @ 20 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28262.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7373Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT RH Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7380Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 14.4A TO257
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7380Microchip TechnologyMOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7381Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A TO257
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7381Microchip TechnologyMOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7382Microchip / MicrosemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7382Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7389Microchip / MicrosemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7389UMicrochip TechnologyMOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7401onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7404onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7519U3Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7524T1Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7524U2Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7549T1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7550T1Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7550U2Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7555U3Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7583U2Microchip / MicrosemiMOSFETs RH MOSFET 200V SMD 2.0
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7584T1Microchip / MicrosemiMOSFET RH MOSFET 200V TO-254AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7585U2Microchip / MicrosemiMOSFETs RH MOSFET 250V U2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7586T1Microchip / MicrosemiMOSFET RH MOSFET 250V TO-254AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7587U3Microchip / MicrosemiMOSFETs RH MOSFET 100V U3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7589U3Microchip / MicrosemiMOSFETs RH MOSFET 150V U3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7589U3Microchip TechnologyDescription: RH MOSFET 150V U3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 12A, 12V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: U3 (SMD-0.5)
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 25 V
Qualification: MIL-STD-750
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7589U3/TRMicrochip TechnologyMOSFETs RH Mosfet _ U3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7591U3Microchip TechnologyDescription: RH MOSFET _ U3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7593U3Microchip / MicrosemiMOSFET RH Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSR2N7593U3Microchip TechnologyDescription: RH MOSFET _ U3
Packaging: Tray
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.8A, 12V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: U3 (SMD-0.5)
Grade: Military
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 12 V
Qualification: MIL-PRF-19500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSU2N2222AUBMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANSU2N2222AUBMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANSU2N2222AUB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.