Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFP4668PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 130A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 161nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 32 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | на замовлення 7563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | на замовлення 7565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 520W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm | на замовлення 474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP470 | IXYS | MOSFETs 24 Amps 500V 0.23 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP470 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP4710 | International Rectifier | HEXFET power MOSFET. VDSS = 100 V, RDS(on) = 0.014 Ohm, ID = 72 A Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP4710PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 11467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4710PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 72A 14mOhm 110nCAC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP4710PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFP4710PBF - IRFP4710 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 167 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP4710PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 72A TO247AC Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP4710PBF Код товару: 83493
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFP4710PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 72 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6160 @ 25, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 14 мОм @ 45 A, 10 В, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 190 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт кількість в упаковці: 25 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP4710PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 22375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4768 | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 250V; 20V; 17,5mOhm; 93A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4768; IRFP4768XKMA1; IRFP4768 TIRFP4768 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 13 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4768 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFP4768 | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 250V; 20V; 17,5mOhm; 93A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4768; IRFP4768XKMA1; IRFP4768 TIRFP4768 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4768PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP4768PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 66A Pulsed drain current: 370A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP4768PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4768PBF Код товару: 55495
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Напруга сток-витік Uds, В: 250 В Струм стоку Idd, А: 93 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 17,5 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 10880/180 Монтаж: THT | у наявності: 4 шт
|
| |||||||||||||||
| IRFP4768PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP4768PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 250V 83A 21mOhm 195nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP4768PBF | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP4768PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4768PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4768PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4768PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4768PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 56 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 520W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm | на замовлення 761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | на замовлення 1029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | на замовлення 3228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | на замовлення 3228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | на замовлення 3229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 520W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm | на замовлення 1021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-901 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V | на замовлення 433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 66A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 370A Technology: HEXFET® | на замовлення 54 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 | на замовлення 13400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4868 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 300V; -/+20V; 25,5mOhm; 70A; 517W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP4868; IRFP4868 INFINEON TIRFP4868 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 14 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4868 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP4868PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4868PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 70 A, 0.0255 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 517W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP4868PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 300V 70A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10774 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP4868PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 300V, 70A, 32 mOhm 180 nC Qg, TO-247AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP4868PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 1504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4868PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 70A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 32mΩ Power dissipation: 517W Gate charge: 180nC Technology: HEXFET® Gate-source voltage: ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP4868PBF | Infineon | Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP4868PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP4868PBF (TO-247AC, Infineon) Код товару: 56397
1
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Напруга сток-витік Uds, В: 300 В Струм стоку Idd, А: 70 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 25,5 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 10774/180 Монтаж: THT | у наявності: 10 шт
на замовлення: 7 шт
|
| ||||||||||||||
| IRFP4868PBFAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4868PBFAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 1023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4868PBFAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP4868PBFAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 1025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4868PBFAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-901 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10774 pF @ 50 V | на замовлення 1674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4868PBFAKMA1 | Infineon Technologies | TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP4868PBFAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP4868PBFAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 70A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP540 транзистор Код товару: 92457
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFP640 Код товару: 153105
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFP640N | IR | TO-220 10+ | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP7430 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP7430 | International Rectifier | N-MOSFET 404A 40V 366W IRFP7430 TO247AC TIRFP7430 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 1889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP7430PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 195A 1.4mOhm HEXFET 366W 300nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP7430PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 366W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V | на замовлення 394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP7430PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 404A; 366W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 404A Power dissipation: 366W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET Technology: HEXFET® | на замовлення 207 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 10404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 2396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP7430PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 366W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm | на замовлення 561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 404A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP7530 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP7530PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC Mounting: THT Power dissipation: 341W Gate charge: 274nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 281A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO247AC On-state resistance: 2mΩ Trade name: StrongIRFET | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP7530PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 2238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP7530PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP7530PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO247 | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP7530PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP7530PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 341W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm | на замовлення 424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP7530PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP7530PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP7530PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP7530PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP7530PBF Код товару: 202365
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFP7530PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 1097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP7530PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP7530PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP7530PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP7530PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFP7530PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V | на замовлення 1335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFP7530PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IR FET UP TO 60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

