Продукція > BSS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS159NH6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 47 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS159NH6327XTSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm | на замовлення 33817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS159NH6327XTSA2 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8Ohm; 230mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS159NH6327; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6906XTSA1; BSS159N; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6327XTSA2 TBSS159n кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS159NH6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS159NH6327XTSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS159NH6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 19499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS159NH6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS159NH6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 45000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS159NH6906XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 | на замовлення 41602 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS159NH6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS159NH6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 53436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS159NH6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 40080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS159NH6906XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS159NH6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 27445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS159NH6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS159NH6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 40080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS159NH6906XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 27267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS159NH6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS159NH6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS159NH6906XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 On-state resistance: 1.7Ω Mounting: SMD Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS159NH6906XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS159NH6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 27445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS159NH6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 406057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS159NH6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 405000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS159NH6906XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS159NL6327 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS159NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS159NL6906 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) FET Feature: Depletion Mode Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS159NL6906HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS159NL6906HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS159NL6906HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS16 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| Bss160 | HBE | Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 160mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.160MXP; 179020.0,16; 0034.1508 Fuse: fast-acting; 160mA Bss160 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 686 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS169 E6327 | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS169 E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS169 E6906 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) FET Feature: Depletion Mode Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS169 E6906 | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS169 H6327 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 68 @ 25, Qg, нКл = 2.8 @ 7 В, Rds = 6 Ом @ 170 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,8 В @ 50 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS169 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3 | на замовлення 72057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS169 H6327 Код товару: 142538
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS169 H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS169 H6906 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3 | на замовлення 42786 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS169 L6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS169 L6906 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS169 L6906 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 68 @ 25, Qg, нКл = 2,8 @ 7 В, Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,8 В @ 50 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS169H6327 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS169H6327 | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS169 E6327; BSS169 E6906; BSS169H6327XTSA1; BSS169H6906XTSA1; BSS169H6327 HXY MOSFET TBSS169 HXY кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS169H6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3 | на замовлення 63134 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS169H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS169H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS169H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 2030 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS169H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3 | на замовлення 1323 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS169H6327XTSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 Транзистори | на замовлення 5000 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS169H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm | на замовлення 52316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS169H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS169H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm | на замовлення 52316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS169H6906XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL N-CH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 45000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS169H6906XTSA1 | Infineon | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS169H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-SOT23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 43881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS169H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 69918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS169H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS169H6906XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; 360mW; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Gate charge: 2.8nC Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 2.9Ω Drain-source voltage: 100V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS169IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS169IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS169IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS169IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS169IXTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS | на замовлення 7450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS169IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V | на замовлення 4734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS169IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS169IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 360mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.9ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS169IXUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS169IXUSA1 | Infineon Technologies | SMALL SIGNAL MOSFETS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS169L6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 190mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS169L6327 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSS169L6327 - BSS169 60V-600V N-CHANNEL DEPLETION MOD tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS169L6327 | на замовлення 5080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSS169L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS169L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS169L6906HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS169L6906HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS17 | PHILIPS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS18 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS19 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS192 | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSS192 | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS192 T/R | NXP Semiconductors | MOSFETs TAPE-7 MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS192,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS192,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS192,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SOT-89 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 12.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS192,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS192,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 13064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS192,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS192,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 2144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS192,115 | Nexperia | MOSFETs SOT89 200V 200A | на замовлення 8235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS192,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SOT-89 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 12.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS192,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 2144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS192,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm | на замовлення 12159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS192,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS192,135 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS192,135 | Nexperia | MOSFETs SOT89 240V 200A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS192,135 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS192,135 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS192,135 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: SOT-89 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 12.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS192.115 Код товару: 169689
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS192P | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

