Продукція > MRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| MRF5812G | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Gain: 13dB ~ 15.5dB Power - Max: 1.25W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz Supplier Device Package: 8-SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5812GR1 | MICROSEMI | SOIC 8/BIPOLAR/LDMOS TRANSISTOR MRF5812 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5812GR1 | Advanced Semiconductor, Inc. | RF Bipolar Transistors RF Transistor | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5812GR1 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Gain: 13dB ~ 15.5dB Power - Max: 1.25W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5812GR1 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Gain: 13dB ~ 15.5dB Power - Max: 1.25W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5812GR1 | Microsemi | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5812GR2 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Gain: 13dB ~ 15.5dB Power - Max: 1.25W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz Supplier Device Package: 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5812GR2 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Gain: 13dB ~ 15.5dB Power - Max: 1.25W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz Supplier Device Package: 8-SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5812LF | Advanced Semiconductor, Inc. | RF Bipolar Transistors RF Transistor | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5812LF-CP | Advanced Semiconductor, Inc. | RF Bipolar Transistors RF Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5812LFR2 | на замовлення 1398 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MRF5812M | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 15V 200MA Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5812MR1 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 15V 200MA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5812MR1 | MICROSEMI | 2004 | на замовлення 548 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5812MR2 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 15V 200MA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5812R1 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Gain: 13dB ~ 15.5dB Power - Max: 1.25W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz Supplier Device Package: 8-SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5812R1/R2 | на замовлення 722 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MRF5812R2 | MICROSEMI | на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| MRF581A | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ MICRO-X Packaging: Bulk Package / Case: Micro-X ceramic (84C) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB ~ 15.5dB Power - Max: 1.25W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz Supplier Device Package: Micro-X ceramic (84C) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF581A | Advanced Semiconductor, Inc. | RF Bipolar Transistors RF Transistor | на замовлення 2804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF581AG | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ MACRO X Packaging: Bulk Package / Case: Macro-X Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB ~ 15.5dB Power - Max: 1.25W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz Supplier Device Package: Macro-X | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF581G | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X Packaging: Bulk Package / Case: Micro-X ceramic (84C) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB ~ 15.5dB Power - Max: 1.25W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz Supplier Device Package: Micro-X ceramic (84C) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF586 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Gain: 13.5dB Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 17V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 3GHz Supplier Device Package: TO-39 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF586 | Microchip Technology | RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF586 | MICROSEMI | TO-39/RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS MRF586 кількість в упаковці: 1000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF586G | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF587 | Advanced Semiconductor, Inc. | RF Bipolar Transistors RF Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF587 | MACOM Technology Solutions | Description: TRANS RF NPN 17A 200MA 244A-01 Packaging: Tray Package / Case: 244A-01 Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Gain: 13dB Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 17V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 5.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 0.5GHz Supplier Device Package: 244A-01, STYLE 1 | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MRF587 | MACOM | RF Bipolar Transistors Transistor,0.17W,500MHz,15V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5943 | MOTOROLA | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| MRF5943 | Advanced Semiconductor, Inc. | RF Bipolar Transistors RF Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5943C | MOTOROLA | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| MRF5943R1 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MRF5943R2 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MRF5A | на замовлення 26800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MRF5AMMO | Bel Fuse | Fuses with Leads - Through Hole 5A 250V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5P19100S | MOTOROLA | TO-55 | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5P20180 | MOTOROLA | на замовлення 115 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| MRF5P20180b | на замовлення 114 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MRF5P20180H | FSL | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| MRF5P20180HR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5P20180HR6 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5P20180R6 | на замовлення 328 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MRF5P21045NR1 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-270AB Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.11GHz ~ 2.17GHz Configuration: Dual Power - Output: 10W Gain: 14.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 500 mA | на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MRF5P21180 | freescale | TO-55 | на замовлення 58 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5P21180b | на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MRF5P21180H | MOTOROLA | на замовлення 72 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| MRF5P21180HR5 | NXP (VIA ROCHESTER) | Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5P21180HR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 530 W, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-1230 tariffCode: 85423190 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz euEccn: TBC Verlustleistung: 530W Bauform - Transistor: NI-1230 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5P21180HR5 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230 Packaging: Bulk Package / Case: NI-1230 Frequency: 2.16GHz Power - Output: 38W Gain: 14dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Part Status: Active Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.6 A | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MRF5P21180HR6 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 2.16GHZ NI-1230 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5P21180R5 | MOT | 07+; | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5P21240 | MOTOROLA | TO-55 | на замовлення 32 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5P21240H | FREESCALE | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| MRF5P21240HR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 65V 2.17GHZ NI-1230 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5P21240HR6 | Freescale Semiconductor | Description: RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: NI-1230 Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.11GHz ~ 2.17GHz Power - Output: 52W Gain: 13dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Part Status: Active Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 2.2 A | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MRF5P21240R6 | MOTOROLA | TO-55 | на замовлення 32 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S18060NBR1 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 1.88GHZ TO-272-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S18060NR1 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 1.88GHZ TO-270-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S190130HS | на замовлення 238 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MRF5S19060MBR1 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO272-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-272BB Frequency: 1.93GHz ~ 1.99GHz Power - Output: 12W Gain: 14dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 750 mA | на замовлення 393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MRF5S19060MBR1 | NXP | Description: NXP - MRF5S19060MBR1 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S19060MR1 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-270AB Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.93GHz ~ 1.99GHz Power - Output: 12W Gain: 14dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 750 mA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MRF5S19060N | на замовлення 4200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MRF5S19060NB | FREESCALE | TO-55 | на замовлення 16 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S19060NBR1 | NXP | Description: NXP - MRF5S19060NBR1 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S19060NBR1 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO272-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-272BB Frequency: 1.99GHz Power - Output: 12W Gain: 14dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 750 mA | на замовлення 332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MRF5S19060NR1 | Freescale Semiconductor | Description: RF L BAND, N-CHANNEL , TO-270 | на замовлення 972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S19060NR1 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S19060NR1 | NXP | Description: NXP - MRF5S19060NR1 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S19060NR1 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S19090(PRF)b | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MRF5S19090HR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S19090HR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S19090HSR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S19090HSR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S19090LS | MOTOROLA | TO-55 | на замовлення 11 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S19100 | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MRF5S19100H | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MRF5S19100HR | NXP (VIA ROCHESTER) | Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S19100HR - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 269 W, 1.9 GHz, 2 GHz, NI-780 tariffCode: 85423190 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 2GHz Betriebsfrequenz, min.: 1.9GHz euEccn: TBC Verlustleistung: 269W Bauform - Transistor: NI-780 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S19100HR3 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S19100HR5 | NXP (VIA ROCHESTER) | Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S19100HR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 269 W, 1.9 GHz, 2 GHz, NI-780 tariffCode: 85423190 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 2GHz Betriebsfrequenz, min.: 1.9GHz euEccn: TBC Verlustleistung: 269W Bauform - Transistor: NI-780 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S19100HR5 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Bulk Package / Case: NI-780 Frequency: 1.93GHz ~ 1.99GHz Power - Output: 22W Gain: 13.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780 Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1 A | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MRF5S19100HS | MOTOROLA | на замовлення 115 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| MRF5S19100HSR3 | MOTOROLA | 2004 | на замовлення 246 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S19100HSR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S19100HSR5 | NXP (VIA ROCHESTER) | Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S19100HSR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 269 W, 1.9 GHz, 2 GHz, NI-780S tariffCode: 85423190 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 2GHz Betriebsfrequenz, min.: 1.9GHz euEccn: TBC Verlustleistung: 269W Bauform - Transistor: NI-780S Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S19100HSR5 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Bulk Package / Case: NI-780S Frequency: 1.93GHz ~ 1.99GHz Power - Output: 22W Gain: 13.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S Part Status: Active Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1 A | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MRF5S19130 | MOTOROLA | TO-55 | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S19130H | MOTOROLA | на замовлення 212 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| MRF5S19130HR3 | Freescale Semiconductor | Description: RF L BAND, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: SOT-957A Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2GHz Power - Output: 26W Gain: 13dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-880H-2L Part Status: Active Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.2 A | на замовлення 3330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MRF5S19130HR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S19130HS | FREESCALE | на замовлення 825 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| MRF5S19130HSR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S19130HSR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S19150 | MOTOROLA | TO-55 | на замовлення 13 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S19150H | FREESCALE | на замовлення 265 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| MRF5S19150HR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S19150HR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF5S19150HS | FREESCALE | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| MRF5S19150HSR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. |

