Продукція > MRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MRF555 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MRF555M | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MRF555T | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 16V POWER MACRO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Power Macro Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Gain: 11dB ~ 12.5dB Power - Max: 3W Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V Supplier Device Package: Power Macro | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF555T | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 16V POWER MACRO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Power Macro Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Gain: 11dB ~ 12.5dB Power - Max: 3W Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V Supplier Device Package: Power Macro | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF555T | Advanced Semiconductor, Inc. | RF Bipolar Transistors RF Transistor | на замовлення 313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MRF555T | Microsemi | на замовлення 269 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MRF557 | Advanced Semiconductor, Inc. | RF Bipolar Transistors RF Transistor | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MRF557 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MRF557M | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MRF557T | Advanced Semiconductor, Inc. | RF Bipolar Transistors RF Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF559 | Qorvo | Qorvo RF Bipolar Trans | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF559 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ MACRO X | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF559 Код товару: 158531
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MRF559 | Microchip / Microsemi | RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF559 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MRF559G | MICROSEMI | MACRO-X/BIPOLAR/LDMOS TRANSISTOR MRF559 кількість в упаковці: 1000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF559G | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ MICRO X | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF559GT | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF559LF | Advanced Semiconductor, Inc. | RF Bipolar Transistors RF Transistor | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MRF559T | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 16V 870MHZ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF571 | MOT | 9416 | на замовлення 730 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF571 Код товару: 161946
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MRF5711L | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MRF5711LT1 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MRF5711LT1G | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MRF571LT1 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MRF577 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MRF580 | на замовлення 319 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MRF581 | MOT | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MRF581 | Advanced Semiconductor, Inc. | RF Bipolar Transistors NPN SILICON RF TRANSISTOR | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MRF581 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X Supplier Device Package: Micro-X ceramic (84C) Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz Frequency - Transition: 5GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Power - Max: 1.25W Gain: 13dB ~ 15.5dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Micro-X ceramic (84C) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5811 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MRF5811L | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MRF5812 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC Power - Max: 1.25W Gain: 13dB ~ 15.5dB Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Bulk Supplier Device Package: 8-SOIC Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz Frequency - Transition: 5GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V Current - Collector (Ic) (Max): 200mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5812 | Qorvo | RF Bipolar Transistors RF Bipolar Trans | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5812 Код товару: 116227
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MRF5812 | MICROSEMI | SOIC 8/ MRF5812 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5812 | Microchip Technology | RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5812G | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC Supplier Device Package: 8-SOIC Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz Frequency - Transition: 5GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Power - Max: 1.25W Gain: 13dB ~ 15.5dB Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5812GR1 | Advanced Semiconductor, Inc. | RF Bipolar Transistors RF Transistor | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5812GR1 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC Supplier Device Package: 8-SOIC Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz Frequency - Transition: 5GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Power - Max: 1.25W Gain: 13dB ~ 15.5dB Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5812GR1 | MICROSEMI | SOIC 8/BIPOLAR/LDMOS TRANSISTOR MRF5812 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5812GR1 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz Frequency - Transition: 5GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Power - Max: 1.25W Gain: 13dB ~ 15.5dB Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5812GR1 | Microsemi | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5812GR2 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: 8-SOIC Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz Frequency - Transition: 5GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Power - Max: 1.25W Gain: 13dB ~ 15.5dB Transistor Type: NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5812GR2 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC Supplier Device Package: 8-SOIC Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz Frequency - Transition: 5GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Power - Max: 1.25W Gain: 13dB ~ 15.5dB Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5812LF | Advanced Semiconductor, Inc. | RF Bipolar Transistors RF Transistor | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5812LF-CP | Advanced Semiconductor, Inc. | RF Bipolar Transistors RF Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5812LFR2 | на замовлення 1398 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MRF5812M | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 15V 200MA Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5812MR1 | MICROSEMI | 2004 | на замовлення 548 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5812MR1 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 15V 200MA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5812MR2 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 15V 200MA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5812R1 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8-SOIC Supplier Device Package: 8-SOIC Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz Frequency - Transition: 5GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Power - Max: 1.25W Gain: 13dB ~ 15.5dB Packaging: Tape & Reel (TR) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5812R1/R2 | на замовлення 722 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MRF5812R2 | MICROSEMI | на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MRF581A | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ MICRO-X Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Micro-X ceramic (84C) Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz Frequency - Transition: 5GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Power - Max: 1.25W Gain: 13dB ~ 15.5dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Micro-X ceramic (84C) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF581A | Advanced Semiconductor, Inc. | RF Bipolar Transistors RF Transistor | на замовлення 2804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MRF581A | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MRF581AG | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ MACRO X Supplier Device Package: Macro-X Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz Frequency - Transition: 5GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Power - Max: 1.25W Gain: 13dB ~ 15.5dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Macro-X Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF581G | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X Supplier Device Package: Micro-X ceramic (84C) Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz Frequency - Transition: 5GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Power - Max: 1.25W Gain: 13dB ~ 15.5dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Micro-X ceramic (84C) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF586 | Advanced Semiconductor, Inc. | RF Bipolar Transistors RF Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF586 | MICROSEMI | TO-39/RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS MRF586 кількість в упаковці: 1000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF586 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39 Supplier Device Package: TO-39 Frequency - Transition: 3GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 17V Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Power - Max: 1W Gain: 13.5dB Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF586G | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF587 | Advanced Semiconductor, Inc. | RF Bipolar Transistors RF Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF587 | MACOM Technology Solutions | Description: TRANS RF NPN 17A 200MA 244A-01 Supplier Device Package: 244A-01, STYLE 1 Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 0.5GHz Frequency - Transition: 5.5GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 17V Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Gain: 13dB Operating Temperature: 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Stud Mount Package / Case: 244A-01 Packaging: Tray | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MRF587 | mot | 03+ | на замовлення 280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF587 | MACOM | RF Bipolar Transistors Transistor,0.17W,500MHz,15V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5943 | Advanced Semiconductor, Inc. | RF Bipolar Transistors RF Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5943 | MOTOROLA | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MRF5943C | MOTOROLA | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MRF5943R1 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MRF5943R2 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MRF5A | на замовлення 26800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MRF5AMMO | Bel Fuse | Fuses with Leads - Through Hole 5A 250V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5P19100S | MOTOROLA | TO-55 | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5P20180 | MOTOROLA | на замовлення 115 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MRF5P20180b | на замовлення 114 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MRF5P20180H | FSL | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MRF5P20180HR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5P20180HR6 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5P20180R6 | на замовлення 328 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MRF5P21045NR1 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-270AB Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.11GHz ~ 2.17GHz Configuration: Dual Power - Output: 10W Gain: 14.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 500 mA | на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MRF5P21180 | freescale | TO-55 | на замовлення 58 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5P21180b | на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MRF5P21180H | MOTOROLA | на замовлення 72 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MRF5P21180HR5 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230 Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Active Supplier Device Package: NI-1230 Technology: LDMOS Gain: 14dB Power - Output: 38W Frequency: 2.16GHz Package / Case: NI-1230 Packaging: Bulk Current - Test: 1.6 A | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MRF5P21180HR5 | на замовлення 230 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MRF5P21180HR5 | NXP (VIA ROCHESTER) | Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5P21180HR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 530 W, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-1230 tariffCode: 85423190 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz euEccn: TBC Verlustleistung: 530W Bauform - Transistor: NI-1230 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5P21180HR6 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 65V 2.16GHZ NI-1230 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5P21180R5 | MOT | 07+; | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5P21240 | MOTOROLA | TO-55 | на замовлення 32 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5P21240H | FREESCALE | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MRF5P21240HR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 65V 2.17GHZ NI-1230 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5P21240HR6 | Freescale Semiconductor | Description: RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: NI-1230 Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.11GHz ~ 2.17GHz Power - Output: 52W Gain: 13dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Part Status: Active Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 2.2 A | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MRF5P21240R6 | MOTOROLA | TO-55 | на замовлення 32 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5S18060NBR1 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 1.88GHZ TO-272-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5S18060NR1 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 1.88GHZ TO-270-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MRF5S190130HS | на замовлення 238 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

