Продукція > STB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STB42N60M2-EPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+239.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB42N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+311.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB42N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB42N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+311.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB42N60M2-EPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+484.85 грн
10+341.49 грн
100+257.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB42N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK packa
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+434.11 грн
10+304.06 грн
100+193.99 грн
1000+164.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB42N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+580.66 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB42N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+562.28 грн
50+395.96 грн
100+380.84 грн
500+277.02 грн
1000+255.66 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB42N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.43 грн
10+300.87 грн
100+217.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB42N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+244.19 грн
2000+242.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB42N65DM5STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB42N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+393.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB42N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB42N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+605.74 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB42N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+862.06 грн
10+577.80 грн
100+463.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB42N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB42N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+690.23 грн
5+641.90 грн
10+593.58 грн
50+527.25 грн
100+463.91 грн
250+454.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB42N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-ch 650 Volt 33Amp
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+649.15 грн
10+550.17 грн
100+436.99 грн
500+425.94 грн
1000+371.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB42N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1031.09 грн
10+893.78 грн
25+865.53 грн
100+741.12 грн
250+540.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB42N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.8A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB4395ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB4395ASTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB43N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB43N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB43N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB43N65M5STMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ 42 A MDmesh M5 Power MOSFET
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+680.56 грн
10+574.78 грн
25+454.24 грн
100+416.97 грн
250+393.49 грн
500+367.26 грн
1000+330.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB43N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 42A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB43N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+435.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB43N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+283.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB43N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+518.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB43N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+435.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB43N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+671.79 грн
10+444.08 грн
100+334.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB43N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+511.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N03S
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N10STM07+ TO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N10LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N10LT4STMTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N30M5STMicroelectronicsDescription: NCHANNEL 300 V 0.037 OHM TYP. 53
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+211.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N30M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB45N30M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 53 A, 0.037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Mdmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+597.61 грн
5+503.37 грн
10+409.14 грн
50+330.56 грн
100+258.88 грн
250+254.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N30M5STMicroelectronicsDescription: NCHANNEL 300 V 0.037 OHM TYP. 53
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 100 V
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+502.48 грн
10+328.02 грн
100+249.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N30M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 53A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N30M5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a D2PAK Package
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+565.39 грн
10+377.89 грн
100+239.55 грн
500+234.03 грн
1000+218.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N30M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB45N30M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 53 A, 0.037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Mdmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+362.43 грн
50+311.86 грн
100+264.40 грн
250+241.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N40DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+328.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N40DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+384.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N40DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N40DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+328.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N40DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+579.08 грн
10+387.42 грн
100+247.14 грн
500+241.62 грн
1000+224.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N40DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N40DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+385.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N40DM2AGSTMMOSFET, N-CH, 400V, 38A, TO263AB-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N40DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+556.07 грн
10+363.69 грн
100+266.41 грн
500+244.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N40DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 38A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+328.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N50DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N50DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+211.34 грн
2000+203.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N50DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N50DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+515.45 грн
10+354.87 грн
100+232.64 грн
500+229.88 грн
1000+217.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N50DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+538.21 грн
10+351.20 грн
100+256.69 грн
500+233.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N60DM2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB45N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+472.77 грн
50+322.33 грн
100+273.38 грн
250+251.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N60DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+286.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+534.32 грн
10+348.81 грн
100+255.04 грн
500+232.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N60DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+561.36 грн
10+374.72 грн
100+238.86 грн
500+231.26 грн
1000+218.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N60DM2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB45N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+670.90 грн
5+515.45 грн
10+472.77 грн
50+322.33 грн
100+273.38 грн
250+251.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N60DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+359.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+210.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N60DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+359.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N60DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+286.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N60DM6STMicroelectronicsDescription: HV MOSFET MDMESH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+642.69 грн
28+514.46 грн
100+357.49 грн
1000+337.16 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+363.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+707.80 грн
27+541.48 грн
50+480.06 грн
100+386.37 грн
200+350.16 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+415.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 22A; Idm: 140A; 210W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Case: D2PAK
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 140A
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 22A
Power dissipation: 210W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
на замовлення 1219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+633.85 грн
10+427.11 грн
100+273.38 грн
500+272.68 грн
1000+257.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+414.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+674.12 грн
5+567.81 грн
10+461.49 грн
50+383.66 грн
100+312.03 грн
250+305.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+363.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+642.69 грн
10+514.46 грн
100+357.49 грн
1000+337.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.88 грн
10+400.26 грн
100+294.88 грн
500+275.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB45NF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB45NF06STMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB45NF06ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB45NF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45NF06LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB45NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45NF06T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB45NF06T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45NF06T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 60V-0.022ohms 38A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45NF3LLST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB45NF3LLT4
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB45NF3LLT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 27 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB46N30M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB46N30M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 53 A, 0.037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+884.33 грн
5+652.37 грн
10+548.48 грн
50+462.93 грн
100+391.42 грн
250+361.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB46N30M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 53A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB46N30M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB46N30M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 53A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+599.51 грн
10+518.71 грн
25+513.51 грн
100+417.81 грн
250+382.98 грн
500+328.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB46N30M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+665.57 грн
10+439.37 грн
100+330.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]