Продукція > STL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STL325N4F8AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive N-Channel 40 V, 0.85 mOhm max., 350A STripFET F8 Power MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.72 грн
10+194.70 грн
25+160.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL325N4F8AGSTMicroelectronicsDescription: POWERFLAT 5X6 WF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 373A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.33 грн
10+135.86 грн
100+94.33 грн
500+75.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL325N4F8AGSTMicroelectronicsDescription: POWERFLAT 5X6 WF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 373A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL325N4LF8AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 373A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL325N4LF8AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL325N4LF8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 373 A, 550 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 373A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.82 грн
10+129.24 грн
100+102.42 грн
500+90.57 грн
1000+79.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL325N4LF8AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 40V 373A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerFLAT EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL325N4LF8AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 373A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.22 грн
10+112.24 грн
100+91.80 грн
500+83.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL325N4LF8AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.29 грн
10+158.64 грн
100+96.15 грн
500+78.03 грн
1000+76.64 грн
3000+69.53 грн
6000+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL325N4LF8AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL325N4LF8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 373 A, 550 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 373A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.04 грн
500+90.57 грн
1000+78.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL33N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL33N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.115 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+474.70 грн
10+334.08 грн
100+245.48 грн
500+195.49 грн
1000+176.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL33N60DM2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 150W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL33N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL33N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+412.11 грн
10+271.62 грн
100+169.30 грн
500+153.28 грн
1000+144.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STL33N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.69 грн
10+252.63 грн
100+181.12 грн
500+154.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STL33N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL33N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL33N60DM6STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 80A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL33N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 125 mOhm typ., 21 A MDmesh DM6 Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL33N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 22A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 10.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL33N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 88A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 150W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL33N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+414.55 грн
10+267.61 грн
100+173.48 грн
500+144.92 грн
1000+135.16 грн
3000+126.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STL33N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 22A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 10.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL33N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 115 mOhm typ 21 A MDmesh M6 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL33N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET 600V 21A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL33N60M6STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 78A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 150W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 137mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL33N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A PWRFLAT HV
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 154mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL33N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A PWRFLAT HV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 154mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL33N65M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 150W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 20A
Gate charge: 41.5nC
On-state resistance: 154mΩ
Power dissipation: 150W
Pulsed drain current: 80A
Case: PowerFLAT 8x8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL33N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL34N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 3.2A PWRFLAT88
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL34N65M5STMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL34N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 3.2A PWRFLAT88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 150W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL34NF06STQFN8 06+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL34NK60Z
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL35N10
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL35N15F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 150V 33A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL35N6F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 35A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL35N6F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 35A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL35N75LF3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 32A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL35NF10STQFN8 06+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL35NF3LL
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL36DN6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.02 грн
10+80.17 грн
25+79.36 грн
100+60.43 грн
250+55.40 грн
500+45.66 грн
1000+37.18 грн
3000+32.78 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL36DN6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 58W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL36DN6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+89.85 грн
159+88.97 грн
202+70.14 грн
250+65.94 грн
500+50.87 грн
1000+39.27 грн
3000+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL36DN6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL36DN6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 58W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.11 грн
10+61.59 грн
100+40.84 грн
500+29.98 грн
1000+27.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL36DN6F7STMicroelectronicsMOSFETs Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
на замовлення 41879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.48 грн
10+66.18 грн
100+38.18 грн
500+29.82 грн
1000+27.17 грн
3000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL36N55M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 22.5A 4PWRFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL36N55M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 22.5A 4PWRFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 100 V
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+460.88 грн
10+298.06 грн
100+215.61 грн
500+189.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STL36N55M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL36N60DM6STMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL36N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL36N60M6STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 100A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 160W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 44.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL36N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL36N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 91 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL36N60M6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL36N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.11 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+332.45 грн
10+248.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL36N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.29 грн
10+285.46 грн
100+206.13 грн
500+179.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STL3842.B2
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL3842.C2
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL3886-2ASTL
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL3886-PA
на замовлення 9050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL38DN6F7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 60 V, 24 mOhm typ., 10 A STripFET F7 Power MOSFET in
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL38DN6F7AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE DUAL N-CHANNEL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL38N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+480.48 грн
10+311.95 грн
100+226.34 грн
500+200.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STL38N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL38N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.71 грн
10+332.51 грн
100+210.41 грн
500+199.26 грн
1000+169.30 грн
3000+168.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 408 pF @ 25 V
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+43.70 грн
100+30.24 грн
500+23.72 грн
1000+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ 4 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 4412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.63 грн
10+33.17 грн
100+19.72 грн
500+15.54 грн
1000+14.63 грн
3000+13.38 грн
9000+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 408 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 30324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+43.92 грн
361+39.28 грн
500+36.16 грн
1000+31.12 грн
3000+27.49 грн
6000+25.64 грн
9000+24.78 грн
24000+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 1.6 Ohm typ 2.3 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 11658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.20 грн
10+38.22 грн
100+24.46 грн
3000+22.30 грн
6000+21.81 грн
9000+21.74 грн
24000+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+53.26 грн
267+52.99 грн
306+46.32 грн
308+44.42 грн
500+32.79 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.96 грн
15+53.26 грн
25+52.99 грн
100+44.67 грн
250+41.13 грн
500+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.78 грн
6000+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 30324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.73 грн
18+43.92 грн
100+39.28 грн
500+34.87 грн
1000+28.82 грн
3000+26.39 грн
6000+25.51 грн
9000+24.78 грн
24000+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.12 грн
6000+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 100 V
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.90 грн
10+61.89 грн
100+41.04 грн
500+30.12 грн
1000+27.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 2.8 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3NK40STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 430MA POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PowerFLAT™ (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3NK40STMicroelectronicsMOSFET N-channel 400 V, 4.5 Ohm typ 0.43 A SuperMESH Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3NK40STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 430MA POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PowerFLAT™ (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL3NK60Z
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL3NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.65A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3NM60N
Код товару: 130677
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL3NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.65A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta), 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 50 V
на замовлення 7355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.95 грн
10+140.99 грн
100+97.69 грн
500+74.30 грн
1000+72.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3NM60NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.2A; Idm: 2.6A; 22W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 22W
Case: PowerFLAT 3.3x3.3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.5nC
Pulsed drain current: 2.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL3NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.65A 8-Pin Power Flat T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 1.5Ohm 2.2A MDMesh II MOS
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.40 грн
10+115.38 грн
100+75.25 грн
500+65.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.65A 8-Pin Power Flat T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta), 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+68.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3P6F6STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL3P6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 3A POWERFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL40C30H3LLSTMicroelectronicsMOSFET LGS LV MOSFET
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.73 грн
10+84.93 грн
100+57.55 грн
500+47.59 грн
1000+39.16 грн
3000+33.23 грн
9000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40C30H3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N/P-CH 30V 40A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40DN3LLH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin Power Flat T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40DN3LLH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin Power Flat T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]