Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF341Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+118.31 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3415 TIRF3415
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415
Код товару: 23681
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Idd, А: 43 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,042 Ом
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+23.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.45 грн
10+157.61 грн
100+112.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 43 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2400 @ 25, Qg, нКл = 200 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 22 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+285.83 грн
10+184.69 грн
100+127.05 грн
500+98.75 грн
1000+84.35 грн
2000+75.27 грн
5000+69.10 грн
10000+67.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+183.79 грн
112+126.42 грн
500+101.90 грн
1000+90.67 грн
2000+78.03 грн
5000+68.77 грн
10000+67.58 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 42mΩ
Gate charge: 133.3nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 413 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+136.97 грн
10+94.56 грн
50+74.47 грн
100+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBFIRF3415PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 96 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.31 грн
10+110.18 грн
100+75.21 грн
500+56.54 грн
1000+52.03 грн
2000+48.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF
Код товару: 34305
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Idd, А: 43 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,042 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2400/200
Монтаж: THT
у наявності: 43 шт
  • 34 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 2 шт
  • 2 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+55.00 грн
10+49.50 грн
100+44.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+228.45 грн
90+157.61 грн
126+112.30 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415SInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415SIRT0-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 133.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 8949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+91.66 грн
500+82.50 грн
1000+76.07 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STR
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+286.37 грн
75+189.67 грн
106+133.33 грн
500+104.12 грн
800+90.54 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFInfineonMOSFET N-CH 150V 43A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 3578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.53 грн
10+109.80 грн
100+74.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+249.34 грн
80+177.00 грн
109+129.52 грн
500+103.45 грн
800+79.35 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.37 грн
10+189.67 грн
100+133.33 грн
500+104.12 грн
800+90.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.34 грн
10+177.00 грн
100+129.52 грн
500+103.45 грн
800+79.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+103.95 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.90 грн
1600+52.45 грн
2400+50.28 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+103.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+101.40 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+101.40 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF343Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF343International RectifierDescription: MOSFET N-CH 350V 8A TO3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF350Infineon / IRMOSFETs 400V Single N-Channel Hi-Rel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF350International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 400V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF350IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF350NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CH 400V 14A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1813.62 грн
10+1659.09 грн
20+1571.73 грн
50+1393.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF350
Код товару: 23682
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-3
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 14 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+41.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF350STMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF350-QRTT Electronics - IoT SolutionsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF350-QRSemelab (TT electronics)IRF350-QR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3500EZKACRFMD04+
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF350RHARRIS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF351Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+150.61 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3515IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3515LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3515L-103
на замовлення 21200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3515SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3515SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3515SHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3515STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3515STRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3515STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3515STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3515STRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF353HARRISIRF353
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+458.64 грн
100+436.30 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF353Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+324.37 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF353D2IR09+
на замовлення 968 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3546MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 4N-CH 25V 16A 41QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 41-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: 41-PQFN (6x8)
Part Status: Obsolete
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+282.49 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3546MTRPBFInfineon / IRMOSFET 60A Dual Intg Pwr Block
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3546MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 16A/20A 42-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+399.84 грн
100+379.85 грн
500+359.86 грн
1000+327.73 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3546MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 4N-CH 25V 16A 41QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 41-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: 41-PQFN (6x8)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3575DTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF3575DTRPBF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+201.10 грн
500+190.51 грн
1000+179.93 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3575DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 60A Exposed Top Intg Pwr Block
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3575DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 303A 30-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+201.10 грн
500+190.51 грн
1000+179.93 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3575DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 303A 32QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 303A (Tc)
Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3575DTRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF3575DTRPBF - IRF3575D 20V-30V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF360International RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF360
Код товару: 26643
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF360IR/MOT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF360International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 400V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF360Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF360IRF460IR
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF360PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3610SInfineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3610SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 62A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3610STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 103A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 94400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+170.52 грн
500+162.29 грн
1000+152.88 грн
10000+138.35 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3610STRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF3610STRLPBF
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+170.52 грн
500+162.29 грн
1000+152.88 грн
10000+138.35 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3610STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 103A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+365.97 грн
500+353.74 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3610STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs PLANAR 40<-<100V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3610STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 103A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+266.24 грн
65+218.91 грн
70+201.91 грн
100+184.94 грн
500+165.78 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3610STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 62A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3610STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 103A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+170.52 грн
500+162.29 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF362Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF362International Rectifier HiRel ProductsIRF362
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+1061.93 грн
100+1009.01 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF362International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+750.44 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER100KVishay / DaleRF inductors - Leaded 10uH 10% Axial Leaded
на замовлення 12677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]