Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFR310TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR310TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320
Код товару: 30171
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320SiliconixTranzystor N-MOSFET; 400V; 20V; 1,8Ohm; 3,1A; 42W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR320TR; IRFR320; IRFR320TRL; IRFR320TRR; IRFR320- IRFR320 smd TIRFR320
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320BFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320MTM
Код товару: 3504
Додати до обраних Обраний товар
FSТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 400 V
Idd,A: 3,1 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 385/19
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+18.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 8247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
495+28.67 грн
499+28.43 грн
514+27.59 грн
1000+25.99 грн
3000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 495 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320PBF
Код товару: 128330
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 400 V
Idd,A: 3,1 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/20
Монтаж: THT
у наявності: 640 шт
  • 611 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+25.00 грн
10+22.50 грн
100+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+98.17 грн
220+64.62 грн
750+59.04 грн
1125+52.98 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320PBFVishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 3,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 20, Rds = 1,8 Ом, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 2,5, 45, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK Очікується: 200 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.46 грн
10+112.34 грн
100+76.86 грн
500+57.88 грн
1000+53.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320PBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 714 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.32 грн
10+47.15 грн
75+40.77 грн
375+38.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 8247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+30.09 грн
27+28.48 грн
100+28.23 грн
500+26.43 грн
1000+23.90 грн
3000+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,1, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 20, Rds = 1,8 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2...4 В, Pb-free,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR320PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.16 грн
10+94.50 грн
100+51.65 грн
500+40.32 грн
1000+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320PBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 400V 3.1 Amp
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.16 грн
10+93.15 грн
100+44.27 грн
500+37.22 грн
1000+34.63 грн
3000+29.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320PBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.07 грн
10+121.26 грн
100+73.32 грн
500+62.43 грн
1000+54.81 грн
3000+51.74 грн
6000+49.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TM
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR320TRPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TR
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.12 грн
11+39.84 грн
100+33.79 грн
500+30.43 грн
1000+29.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.04 грн
10+114.03 грн
100+67.87 грн
500+54.26 грн
1000+53.77 грн
3000+43.50 грн
6000+43.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+97.32 грн
170+83.50 грн
500+80.20 грн
1000+64.56 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+70.02 грн
4000+50.16 грн
10000+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR320TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.62 грн
500+50.53 грн
1000+45.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBFVishay (passive)N-канальний ПТ , Udss, В = 400, Id = 3,1 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 20 (10 В), Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 10 В,... Транзистори Корпус: D-Pak Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 4907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.57 грн
10+72.51 грн
100+42.66 грн
500+34.22 грн
1000+30.72 грн
2000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+70.76 грн
4000+50.71 грн
10000+39.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.74 грн
13+59.04 грн
25+58.46 грн
100+50.70 грн
250+46.47 грн
500+43.14 грн
1000+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR320TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.12 грн
10+88.80 грн
100+63.62 грн
500+50.53 грн
1000+45.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+59.04 грн
243+58.46 грн
270+52.58 грн
273+50.19 грн
500+44.94 грн
1000+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 241 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 3071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.12 грн
10+76.18 грн
100+51.03 грн
500+37.78 грн
1000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+64.54 грн
241+58.87 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.46 грн
10+112.34 грн
100+76.86 грн
500+57.88 грн
1000+53.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 24407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.37 грн
10+119.65 грн
100+71.22 грн
500+56.91 грн
1000+52.65 грн
2000+49.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRR
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR321Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
519+39.08 грн
Мінімальне замовлення: 519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303International RectifierN-MOSFET HEXFET 33A 30V 57W 0.031Ω IRFR3303 TIRFR3303
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303CPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303CPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 19.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303PBF
Код товару: 49895
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRIRD-PAK 0440+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 33A 31mOhm 19.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRLPBFIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRPBFIRD-PAK 0831+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRPBFInternational RectifierDescription: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 19.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR330BFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR330BTFonsemi / FairchildMOSFET 400V Single
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR330BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR330BTMonsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel B-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR330BTM-F
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR330BTM_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH/400V/4.5A/1OHM/Substitute of IRFR330ATM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR330PBF
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3355INTERNATIONAL RECTIFIERMOSFET N-CH 550V DPAK
на замовлення 145 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
7+49.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410International RectifierN-MOSFET HEXFET 31A 100V 3W 0.039Ω IRFR3410 TIRFR3410
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 39mOhms 37nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.85 грн
10+84.01 грн
100+65.90 грн
500+56.28 грн
1000+41.45 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410PBF
Код товару: 115743
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 250 µA, Ptot, Вт = 3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1690 @ 25, Qg, нКл = 56 @ 10 В, Rds = 39 мОм @ 18 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, P2 = 100 Вт,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: ш
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.23 грн
6000+37.42 грн
9000+36.61 грн
15000+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.76 грн
500+42.14 грн
1000+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+129.76 грн
156+90.93 грн
220+64.69 грн
500+50.44 грн
1000+42.12 грн
3000+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 31A 39mOhm 37nC
на замовлення 6084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.75 грн
10+74.60 грн
100+43.29 грн
500+34.08 грн
1000+31.07 грн
3000+27.86 грн
6000+27.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]