Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFR3410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3410TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3410TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V | на замовлення 912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3410TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 31A Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3410TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3410TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3410TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 31A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3410TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3410TRPBF | International Rectifier | DPAK=TO-252 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3410TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V | на замовлення 946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3410TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V SINGLE N-CH 39mOhms 37nC | на замовлення 2338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3410TRPBF IRFR3410PBF | International Rectifier | DPAK=TO-252AA Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3410TRPBF транзистор Код товару: 201152
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFR3410TRR | IR | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFR3410TRR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3410TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3411PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3411PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 48nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3411PBF Код товару: 131087
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFR3411PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 32A DPAK Транзистори | на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3411PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3411TR | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 30A; 42W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR3411; IRFR3411TR; SP001560590; SP001564934; IRFR3411TR HXY MOSFET TIRFR3411 HXY кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3411TR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3411TRL | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3411TRLPBF | Infineon / IR | MOSFET D-PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3411TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 106000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3411TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V | на замовлення 2624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3411TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 11900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3411TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3411TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 32A 44mOhm 48nC | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3411TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3411TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3411TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3411TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3411TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3411TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 106000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3411TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3411TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3412 Код товару: 153302
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFR3412PBF | International Rectifier | DPAK=TO-252AA Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3412PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 48A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 29A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3412TR | IR | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFR3412TRLPBF | IR | 10+ SMD | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3412TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 48A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 29A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3412TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 48A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3412TRRPBF | IR | 09+ SOP | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3412TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 48A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 29A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3418 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3418 | IRFR3418 Транзисторы HEXFET | на замовлення 11 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFR3418HR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3418PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 70A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3418PBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3418PBF Код товару: 108147
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFR3418TR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3418TRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3418TRL | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3418TRL | International Rectifier | MOSFET N-CH 80V 70A DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3418TRLHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3418TRLPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3418TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 70A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3418TRPBF | International Rectifier | DPAK=TO-252AA Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3418TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 70A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3418TRPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3418TRR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3418TRRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3418TRRPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3504 | IR | 07+ TO-252 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3504PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 30A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3504PBF | IR | 07+ | на замовлення 9600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3504TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 30A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3504TRPBF | IR | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFR3504TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 30A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3504TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 30A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3504Z | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3504Z | IR | 07+ TO-252 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3504ZPBF | Infineon / IR | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 30nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3504ZPBF Код товару: 40368
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D-Pak (TO-252) Uds,V: 40 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 0,09 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1510/30 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRFR3504ZTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3504ZTR | JGSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 50A; 54W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR3504Z; IRFR3504ZTRL; IRFR3504ZTR; IRFR3504ZTRR; SP001555064; SP001552130; SP001556956; IRFR3504ZTR JGSEMI TIRFR3504z JGS кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3504ZTR-ML | MOSLEADER | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 15mOhm; 80A; 44,6W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR3504Z; IRFR3504ZTRL; IRFR3504ZTR; IRFR3504ZTRR; SP001555064; SP001552130; SP001556956; IRFR3504ZTR-ML MOSLEADER TIRFR3504z MOS кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3504ZTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3504ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3504ZTRLPBF | Infineon / IR | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 30nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3504ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 77A Power dissipation: 90W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR3504ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 77A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3504ZTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3504ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 12583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3504ZTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR3504ZTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 77A 9mOhm 30nC Qg | на замовлення 2368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|