Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFR320TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 1.8Ω
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.52 грн
11+40.12 грн
100+34.03 грн
500+30.64 грн
1000+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 4907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+58.78 грн
243+58.20 грн
270+52.35 грн
273+49.97 грн
500+44.74 грн
1000+34.48 грн
Мінімальне замовлення: 241 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+64.26 грн
241+58.61 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 3071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.00 грн
10+76.72 грн
100+51.40 грн
500+38.05 грн
1000+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR320TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBFVishay (passive)N-канальний ПТ , Udss, В = 400, Id = 3,1 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 20 (10 В), Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 10 В,... Транзистори Корпус: D-Pak Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+69.71 грн
4000+49.94 грн
10000+39.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+64.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+70.45 грн
4000+50.48 грн
10000+39.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.45 грн
13+58.78 грн
25+58.20 грн
100+50.48 грн
250+46.27 грн
500+42.95 грн
1000+34.48 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR320TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.76 грн
10+113.14 грн
100+77.41 грн
500+58.29 грн
1000+53.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 24392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRR
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR321Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
519+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303International RectifierN-MOSFET HEXFET 33A 30V 57W 0.031Ω IRFR3303 TIRFR3303
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303CPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303CPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303PBF
Код товару: 49895
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 19.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRIRD-PAK 0440+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 33A 31mOhm 19.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRLPBFIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 19.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRPBFIRD-PAK 0831+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRPBFInternational RectifierDescription: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3303TRRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR330BFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR330BTFonsemi / FairchildMOSFET 400V Single
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR330BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR330BTMonsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel B-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR330BTM-F
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR330BTM_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH/400V/4.5A/1OHM/Substitute of IRFR330ATM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR330PBF
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3355INTERNATIONAL RECTIFIERMOSFET N-CH 550V DPAK
на замовлення 145 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
7+49.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410International RectifierN-MOSFET HEXFET 31A 100V 3W 0.039Ω IRFR3410 TIRFR3410
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.42 грн
10+83.64 грн
100+65.61 грн
500+56.03 грн
1000+41.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 39mOhms 37nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410PBF
Код товару: 115743
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 250 µA, Ptot, Вт = 3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1690 @ 25, Qg, нКл = 56 @ 10 В, Rds = 39 мОм @ 18 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, P2 = 100 Вт,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: ш
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
663+53.26 грн
1000+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 663 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 31A 39mOhm 37nC
на замовлення 4560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.88 грн
9000+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+130.64 грн
158+89.43 грн
202+70.03 грн
224+60.95 грн
500+42.92 грн
3000+35.34 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.72 грн
10+70.09 грн
50+52.42 грн
100+43.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.70 грн
10+90.17 грн
50+70.61 грн
100+61.45 грн
500+43.28 грн
3000+35.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.37 грн
9000+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
663+53.26 грн
1000+49.12 грн
10000+43.79 грн
Мінімальне замовлення: 663 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
663+53.26 грн
1000+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 663 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+114.32 грн
212+66.77 грн
237+59.56 грн
500+46.66 грн
1000+41.62 грн
2000+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBFInternational RectifierDPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.25 грн
12+67.31 грн
100+60.05 грн
500+47.04 грн
1000+41.97 грн
2000+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
713+49.52 грн
1000+45.68 грн
10000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBFInternational RectifierIRFR3410TRPBF IRFR3410PBF DPAK=TO-252AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.76 грн
10+67.12 грн
50+50.15 грн
100+41.91 грн
500+32.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V SINGLE N-CH 39mOhms 37nC
на замовлення 9826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
713+49.52 грн
1000+45.68 грн
10000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF транзистор
Код товару: 201152
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRRIR
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411PBF
Код товару: 131087
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]