Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFR3518PBF | Infineon Technologies | MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 29mOhms 37nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3518PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 38A DPAK Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3518PBF Код товару: 84591
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFR3518PBF | International Rectifier | (замена для IRFR3418) DPAK=TO-252AA Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3518TRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3518TRL | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3518TRLHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3518TRLPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3518TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 80V 38A 29mOhm 37nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3518TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3518TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 38 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 38 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 110 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3518TRPBF | International Rectifier | DPAK=TO-252AA Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3518TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 38A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3518TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3518TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 38 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3518TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 38A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3518TRR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3518TRRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3518TRRPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3607 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFR3607PBF | International Rectifier | D-PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3607PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 56nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3607PBF Код товару: 75593
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFR3607PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3607TR | International Rectifier | Transistor N-MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 80A; 140W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFR3607TR; IRFR3607-GURT; IRFR3607; CJU60SN08/TO-252-2L; IRFR3607TR-VB; IRFR3607TR TIRFR3607 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR3607TR-ML | MOSLEADER | Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 60A; 56W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR3607; IRFR3607TR; SP001571628; SP001567010; IRFR3607TR-ML MOSLEADER TIRFR3607 MOS кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V | на замовлення 5616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR3607TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm | на замовлення 10156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR3607TRPBF | Infineon | N-Channel 75V 56A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg | на замовлення 763 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3607TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 56 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3070 @ 50, Qg, нКл = 84 @ 10 В, Rds = 9 мОм @ 46 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 100 мкА, Р, Вт = 140, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3607TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR3607TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm | на замовлення 10156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFR3704 | IR | 07+ TO-252 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D-Pak Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1996 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704HR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704PBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 19nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704TR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1996 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1996 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRL | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRL | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR3704TRLHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRLPBF | IR | 0620+ | на замовлення 7090 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRLPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 20V 62A 9.5mOhm 19nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1996 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 90W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V SINGLE N-CH 9.5mOhms 19nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D-Pak Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1996 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1996 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1996 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704TRRPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704Z | IR | TO-252 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZCPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 60A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZCPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZPBF | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR3704ZPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 9.3nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 60A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZPBF Код товару: 3873
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFR3704ZTR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZTRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 60A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZTRL | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZTRL | IR | 04+ SOT252 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZTRLHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZTRLPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 20V 60A 8.4mOh m 9.3nC | на замовлення 246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 60A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZTRPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 9.3nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 60A DPAK Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZTRPBF | IR | SOT252 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZTRR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZTRRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 60A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3704ZTRRPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 9.3nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3706 | IR | 07+ TO-252 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3706 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3706CPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3706CTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3706CTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3706PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3706PBF | International Rectifier | DPAK=TO-252AA Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3706PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 23nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3706PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR3706PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 75 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 88 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3706PBF | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFR3706TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3706TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3706TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3706TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3706TRPBF | IOR | 08+PB | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

