Продукція > DMT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMTH4004LPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004LPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004LPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004LPSWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SCTB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB T&R Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SCTB-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SCTB-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A | на замовлення 356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SCTB-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SCTB-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB Case: TO263AB Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 68.6nC On-state resistance: 3mΩ Power dissipation: 4.7W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Pulsed drain current: 200A Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SCTB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V | на замовлення 567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SCTB-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH4004SCTBQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB Case: TO263AB Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 68.6nC On-state resistance: 3mΩ Power dissipation: 4.7W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Pulsed drain current: 200A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH4004SCTBQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 251200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 3.9W; TO252/DPAK Case: TO252/DPAK Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 68.6nC On-state resistance: 3.2mΩ Power dissipation: 3.9W Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SK3Q-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 3.9W; TO252/DPAK Case: TO252/DPAK Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 68.6nC On-state resistance: 3.2mΩ Power dissipation: 3.9W Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 472500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252 | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 182500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH4004SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 4419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH4004SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 4419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode Fet 40Vdss 20Vgss | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V | на замовлення 7463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 3492500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 442494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V N-Ch Enh FET Low Rdson | на замовлення 2363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 440000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 2952500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SPSWQ-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 31V40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4005SCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 7250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4005SCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4005SCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4005SCT | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4005SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 95A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4005SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 95A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4005SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: | на замовлення 1768 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4005SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 95A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4005SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 95A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 232500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 95A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 23330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH4005SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 230000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 95A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH4005SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 2321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4005SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 20.9A PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.9A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V | на замовлення 7485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4005SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V 175c N-Ch Enh 3.7mOHm 10Vgs 100A | на замовлення 626 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4005SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 20.9A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4005SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 20.9A PWRDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.9A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4005SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 20.9A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4005SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3.7mOHm 10V 100A | на замовлення 4976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4005SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 20.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 1285000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4005SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 20.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4005SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 20.9A PWRDI5060 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.9A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4005SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 20.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4005SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 20.9A PWRDI5060 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.9A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4005SPSWQ-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 31V40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4007LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4007LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4007LK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 44A; Idm: 80A; 59W; TO252 Mounting: SMD Case: TO252 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 29.1nC On-state resistance: 7.3mΩ Power dissipation: 59W Drain current: 44A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 80A Kind of package: 13 inch reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4007LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4007LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4007LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A | на замовлення 6923 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4007LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4007LK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 67500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4007LK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 7.3mOhm 10Vgs 70A | на замовлення 1505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4007LK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 16.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 67500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4007LK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH4007LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4007LK3Q-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.9A; Idm: 80A; 2.6W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 13.9A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2.6W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29.1nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4007LK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH4007LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4007LK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252 Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA | на замовлення 69970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4007LK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 16.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4007LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4007LPS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; Idm: 340A; 83.3W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 29.1nC On-state resistance: 6.5mΩ Power dissipation: 83.3W Drain current: 85A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 340A Kind of package: 13 inch reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4007LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

