Продукція > DMT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMTH4001SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4001STLW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI1012-8 T&R 1.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4001STLW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI101 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: POWERDI1012-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13185 pF @ 20 V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4001STLW-13 | Diodes Zetex | DMTH4001STLW-13 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4001STLWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI101 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: POWERDI1012-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13185 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4001STLWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI1012-8 T&R 1.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4002SCTB-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 6W; TO263AB Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Case: TO263AB On-state resistance: 3mΩ Power dissipation: 6W Gate charge: 77.5nC Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4002SCTB-13 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4002SCTB-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO263 T&R 0.8K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4002SCTB-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTB-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 2220 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 166.7W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2220µohm | на замовлення 685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4002SCTB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V TO263 T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4002SCTB-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTB-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 2220 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 166.7W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2220µohm | на замовлення 685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4002SCTBQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTBQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 0.00222 ohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 166.7W Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00222ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4002SCTBQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V TO263 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 166.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4002SCTBQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTBQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 0.00222 ohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 166.7W Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00222ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4002SCTBQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 6W; TO263AB Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Case: TO263AB On-state resistance: 3mΩ Power dissipation: 6W Gate charge: 77.5nC Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4002SCTBQ-13 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4002SCTBQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO263 T&R 0.8K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V N-Ch Enh FET 3mOhm 10Vgs 100A | на замовлення 2381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-4L | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004LK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4450 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004LK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004LK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004LK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4450 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004LK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004LK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004LPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 26A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 138W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4508 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004LPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 26A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004LPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 26A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 138W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4508 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 2370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004LPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 26A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004LPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004LPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004LPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004LPSWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SCTB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V | на замовлення 567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SCTB-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SCTB-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB Case: TO263AB Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 4.7W Gate charge: 68.6nC Polarisation: unipolar Drain current: 100A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SCTB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SCTB-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SCTB-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A | на замовлення 356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SCTB-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH4004SCTBQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 251200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH4004SCTBQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB Case: TO263AB Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 4.7W Gate charge: 68.6nC Polarisation: unipolar Drain current: 100A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 3.9W; TO252/DPAK Case: TO252/DPAK Mounting: SMD Power dissipation: 3.9W Gate charge: 68.6nC Polarisation: unipolar Drain current: 100A Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 3.2mΩ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252 | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SK3Q-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 3.9W; TO252/DPAK Case: TO252/DPAK Mounting: SMD Power dissipation: 3.9W Gate charge: 68.6nC Polarisation: unipolar Drain current: 100A Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 3.2mΩ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 472500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 182500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V | на замовлення 7463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH4004SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 167W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm | на замовлення 4419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode Fet 40Vdss 20Vgss | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH4004SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 4419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V | на замовлення 442494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V N-Ch Enh FET Low Rdson | на замовлення 2363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4004SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 2952500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 3492500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V | на замовлення 440000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4004SPSWQ-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 31V40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4005SCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4005SCT | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4005SCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4005SCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 7250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4005SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 95A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4005SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 95A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4005SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 95A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4005SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 95A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4005SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: | на замовлення 1768 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 230000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH4005SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 2221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 95A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 23330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

