Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 28 32 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB120N08S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+208.62 грн
500+196.83 грн
1000+186.22 грн
10000+169.34 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 2549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S403ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB120N10S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S403ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+374.66 грн
10+239.19 грн
50+186.90 грн
100+159.60 грн
500+132.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S403ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 100+
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S403ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S403ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB120N10S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S403ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+136.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S405ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S405ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB120N10S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 32203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S405ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+101.06 грн
3000+87.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S405ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 100+
на замовлення 14111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S405ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S405ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB120N10S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 32203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S405ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S405ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.44 грн
10+182.13 грн
50+141.14 грн
100+120.05 грн
500+100.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4-04Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -120A D2PAK-2 OptiMOS-P2
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB120P04P404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB120P04P404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.63 грн
10+169.45 грн
50+130.92 грн
100+111.22 грн
500+91.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+327.58 грн
64+224.05 грн
100+161.02 грн
500+143.09 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+134.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB120P04P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.21 грн
3000+80.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+241.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+132.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB120P04P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+327.02 грн
10+223.67 грн
100+160.75 грн
500+142.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L-03Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -120A D2PAK-2 OptiMOS-P2
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L-03Infineon
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB120P04P4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -120A D2PAK-2 OptiMOS-P2
на замовлення 16966 шт:
термін постачання 654-663 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA1Infineon
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB120P04P4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA1InfineonТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.85 грн
10+169.22 грн
50+130.74 грн
100+111.05 грн
500+91.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+311.32 грн
10+230.84 грн
100+165.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2InfineonТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+538.58 грн
42+343.83 грн
51+278.91 грн
100+251.56 грн
500+206.09 грн
1000+184.45 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.06 грн
3000+80.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+311.85 грн
62+231.24 грн
100+165.39 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 58A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 3691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+190.81 грн
10+174.63 грн
25+164.94 грн
100+128.41 грн
250+114.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 100V 58A D2PAK-2 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB123N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+190.81 грн
81+174.63 грн
86+164.94 грн
107+128.41 грн
250+114.93 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB123N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 94W
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 58A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 58A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB12CN10N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 67A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 67A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB12CN10NGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB12CN10NGATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB12CNE8N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 85V 67A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB12CNE8NGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB133N12NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB133N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 55 A, 0.0133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB133N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB133N12NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB133N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 55 A, 0.0133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB133N12NM6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB133N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB136N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 45A D2PAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB136N08N3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB136N08N3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 45A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB136N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+49.35 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB13N03LBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1355 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB13N03LBinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB13N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1355 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB13N03LB GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
703+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 703 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB13N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1355 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB13N03LBGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
506+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 506 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB140N08S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 140A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.83 грн
500+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB140N08S404ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB140N08S404ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 140A TO263-7
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 56A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3 GInfineon
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 120V 56A TO263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB144N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 28 32 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]