Продукція > IPB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB120P04P404ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.36 грн
10+165.90 грн
50+128.19 грн
100+108.89 грн
500+89.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+132.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+132.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB120P04P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+91.26 грн
3000+79.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+329.80 грн
63+225.39 грн
100+161.92 грн
500+147.02 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+329.80 грн
10+225.39 грн
100+161.92 грн
500+147.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L-03Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -40V -120A D2PAK-2 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L-03Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+369.62 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L-03INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -40V; -120A; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -120A
Case: D2PAK
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 947 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+270.95 грн
30+219.73 грн
50+213.02 грн
100+207.99 грн
200+185.34 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32135.54 грн
50+31639.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA1InfineonТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB120P04P4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 3449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB120P04P4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 3449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -120A D2PAK-2 OptiMOS-P2
на замовлення 16966 шт:
термін постачання 654-663 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.36 грн
10+165.68 грн
50+128.01 грн
100+108.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.00 грн
10+232.60 грн
100+166.21 грн
500+147.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+314.00 грн
61+232.60 грн
100+166.21 грн
500+147.02 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69804.77 грн
50+62349.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2InfineonТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 58A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 3691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB123N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+190.81 грн
10+174.63 грн
25+164.94 грн
100+128.41 грн
250+114.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+190.81 грн
81+174.63 грн
86+164.94 грн
107+128.41 грн
250+114.93 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 100V 58A D2PAK-2 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB123N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 58A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB12CN10N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 67A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB12CN10NGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB12CN10NGATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB12CNE8N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 85V 67A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB12CNE8NGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB133N12NM6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB133N12NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB133N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 55 A, 0.0133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB133N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB133N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB133N12NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB133N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 55 A, 0.0133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB136N08N3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 45A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB136N08N3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB136N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 45A D2PAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB136N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+53.08 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB13N03LBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1355 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB13N03LBinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB13N03LB GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
703+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 703 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB13N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1355 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB13N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1355 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB13N03LBGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
506+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 506 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB140N08S404ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 140A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB140N08S404ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB140N08S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 140A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+196.83 грн
500+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 56A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB144N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB144N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.52 грн
10+141.60 грн
100+98.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 56A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 120V 56A TO263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB147N03infineon07+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB147N03L GINFTO-263
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB147N03LGinfineon07+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB147N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB147N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A D2PAK
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
644+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 644 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB14N03INFINEONTO-263
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB14N03Linfineon04+
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB14N03LAInfineon TechnologiesMOSFET Discrete Semiconductor Products
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB14N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB14N03LAinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB14N03LA GINFTO-263
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB14N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB14N03LAGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB14N03LAP
на замовлення 734 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB14N03LATInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 220 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 110 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 220V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+436.09 грн
100+414.88 грн
500+392.48 грн
1000+358.01 грн
10000+311.49 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB156N22NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 72 A, 0.0129 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 220V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+724.21 грн
23+621.27 грн
26+551.44 грн
100+510.58 грн
500+468.43 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 220V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+436.09 грн
100+414.88 грн
500+392.48 грн
1000+358.01 грн
10000+311.49 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 220V; 72A; 300W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 220V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 12.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Drain current: 72A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB156N22NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 72 A, 0.0129 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 220 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 110 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+593.35 грн
10+388.94 грн
100+285.71 грн
500+238.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 220V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+436.09 грн
100+414.88 грн
500+392.48 грн
1000+358.01 грн
10000+311.49 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.