Продукція > RN2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RN2901,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: US6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2901,LXHF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2901,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4 Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2901,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNPx2 BRT, 4.7kOhm 4.7kOhm 4.7kOhm 4.7kOhm -50V (SOT-363) | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2901,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4 Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2901FE | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN2901FE(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=200MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2901FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 100mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: ES6 Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2901FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Supplier Device Package: ES6 Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 100mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2901FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: ES6 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2901FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Supplier Device Package: ES6 Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 100mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2901FE,LXHF(CT | Toshiba | RN2901FE,LXHF(CT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2901FE,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT563) | на замовлення 7460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2902 | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN2902 | TOSHIBA | SOT-363 | на замовлення 324000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2902(T5L | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN2902(T5L,F,T) | TOSHIBA | 2007 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2902(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2902(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2902(TE85L,F) | Toshiba | Digital Transistors Pb-F US6-PLN(LF),ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2902(TE85LF) | Toshiba | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2902,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2902,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2902,LF(CB | Toshiba | RN2902,LF(CB | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2902,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2902,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor | на замовлення 8695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2902,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2902,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 2564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2902,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 6-Pin US T/R | на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2902,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2902,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 2564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2902,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | на замовлення 33038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2902,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 6-Pin US T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2902,LXHF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2902,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2902,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) PNP x 2 , R1=10kOhm, R2=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-363) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2902,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2902-XB | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN2902-YB | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN2902/YB | TOSHIBA | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN2902FE | на замовлення 3887 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN2902FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2902FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2902FE(T5LCANO,F) | TOSHIBA | SOT26/SOT363 | на замовлення 3797 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2902FE(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT26/SOT363 | на замовлення 10638 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2902FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2902FE,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2902FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2902FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR | на замовлення 7975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2902FE,LXHF(CT | Toshiba | RN2902FE,LXHF(CT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2902FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2902FE,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563) | на замовлення 7948 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2903 | TOSHIBA | на замовлення 57200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN2903 | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2903(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL PNP US6 -50V -100A | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2903(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL PNP US6 -50V -100A | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2903(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL PNP US6 -50V -100A | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2903(T5L.T) | TOSHIBA | SOT363-YC | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2903(T5L.T) SOT363-YC | TOSHIBA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN2903(T5L.T) SOT363-YC | TOSHIBA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN2903(T5L.T)SOT363-YC | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN2903,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6 Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2903,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6 Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2903,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: US6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2903,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 29 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2903,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 6-Pin US T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2903,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: US6 | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2903,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6 Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2903,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) PNP x 2 , R1=22kOhm, R2=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-363) | на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2903,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6 Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2903,LXHF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2903-I/RM095 | Microchip Technology | Description: RF TXRX MOD ISM < 1GHZ SMA SMD Packaging: Tray Package / Case: Module Sensitivity: -146dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 915MHz Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.1V ~ 3.6V Power - Output: 18.5dBm Data Rate: 300kbps Protocol: LoRa™ Current - Receiving: 13.5mA Current - Transmitting: 125mA Antenna Type: Antenna Not Included, SMA Modulation: FSK, GFSK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I²C, SPI, UART DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2903/YC | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN2903A-I/RM098 | Microchip Technology | RF Modules LoRa Transceiver Module 915MHz | на замовлення 511 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2903A-I/RM098 | Microchip Technology | Description: RF TXRX MOD ISM<1GHZ CAST SMD Antenna Type: Antenna Not Included, Castellation Current - Transmitting: 42.6mA ~ 124.4mA Current - Receiving: 1.8mA ~ 3.1mA Protocol: LoRa™ Data Rate: 300kbps Power - Output: 18.5dBm Voltage - Supply: 2.1V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency: 902MHz ~ 928MHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -146dBm Package / Case: Module Packaging: Tray DigiKey Programmable: Not Verified Serial Interfaces: UART RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Modulation: FSK, GFSK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2903A-I/RM103 | Microchip Technology | RF Transceiver FSK/GFSK 3.3V 47-Pin SMD Module Tray | на замовлення 948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2903A-I/RM103 | Microchip Technology | RF Transceiver FSK/GFSK 3.3V 47-Pin SMD Module Tray | на замовлення 1998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2903A-I/RM103 | Microchip Technology | RF Transceiver FSK/GFSK 3.3V 47-Pin SMD Module Tray | на замовлення 948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2903A-I/RM103 | Microchip Technology | RF Transceiver FSK/GFSK 3.3V 47-Pin SMD Module Tray | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2903A-I/RM103 | Microchip Technology | Description: RF TXRX MOD ISM<1GHZ CAST SMD Packaging: Tray Package / Case: Module Sensitivity: -146dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 902MHz ~ 928MHz Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.1V ~ 3.6V Power - Output: 18.5dBm Data Rate: 300kbps Protocol: LoRa™ Antenna Type: Antenna Not Included, Castellation Modulation: FSK, GFSK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: UART Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 21292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2903A-I/RM103 | Microchip Technology | RF Transceiver FSK/GFSK 3.3V 47-Pin SMD Module Tray | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2903A-I/RM103 | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - RN2903A-I/RM103 - HF-Transceiver, FSK, GFSK, 300kbit/s, 928MHz, -146dBm, 2.1V bis 3.6V, UART tariffCode: 85176200 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Modulschnittstelle: UART isCanonical: Y Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Automatische Zählerablesung (AMR), drahtlose Sensornetze, Haus- und Gebäudeautomatisierung Übertragungsrate, max.: 300Kbps HF-Modulation: FSK, GFSK Versorgungsspannung, min.: 2.1V Empfindlichkeit (dBm): -146dBm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Versorgungsstrom: 124.4mA Produktpalette: LoRa Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 5A992.c Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 928MHz Sendeleistung: 18.5dBm | на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2903A-I/RM103 | Microchip Technology | RF Transceiver FSK/GFSK 3.3V 47-Pin SMD Module Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 650 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2903A-I/RM103 | Microchip Technology | Sub-GHz Modules LoRa Transceiver Module 915MHz | на замовлення 11248 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2903A-I/RM105 | Microchip Technology | RF Transceiver FSK/GFSK 3.3V 47-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 650 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2903A-I/RM105 | Microchip Technology | Description: RF TXRX MOD ISM<1GHZ CAST SMD Packaging: Tray Package / Case: Module Sensitivity: -146dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 902MHz ~ 928MHz Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.1V ~ 3.6V Power - Output: 18.5dBm Data Rate: 300kbps Protocol: LoRa™ Current - Transmitting: 42.6mA ~ 124.4mA Antenna Type: Antenna Not Included, Castellation Modulation: FSK, GFSK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: I2C, SPI, UART Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 15830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2903A-I/RM105 Код товару: 158852
Додати до обраних
Обраний товар
| Модульні елементи > Радіомодулі | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN2903A-I/RM105 | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - RN2903A-I/RM105 - Transceiver-Modul, energiesparend, FSK, GFSK, LoRa, 300kB/s, 928MHz, -146dBm, 2.1V bis 3.6V tariffCode: 85176200 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Modulschnittstelle: I2C, SPI, UART isCanonical: Y Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Automatische Zählerablesung (AMR), drahtlose Sensornetze, Haus- und Gebäudeautomatisierung Übertragungsrate, max.: 300Kbps HF-Modulation: FSK, GFSK, LoRa Versorgungsspannung, min.: 2.1V Empfindlichkeit (dBm): -146dBm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Versorgungsstrom: 124.4mA Produktpalette: LoRa Series productTraceability: No usEccn: 5A992.c Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 928MHz Sendeleistung: 18.5dBm | на замовлення 321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2903A-I/RM105 | Microchip Technology | Sub-GHz Modules LoRa Transceiver Module 915MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2903A-I/RM105 | Microchip Technology | RF Transceiver FSK/GFSK 3.3V 47-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 650 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2903A-I/RMSA103 | Microchip Technology | Sub-GHz Modules LoRa Transceiver Module South America | на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2903A-I/RMSA103 | Microchip Technology | RF Transceiver FSK/GFSK 3.3V 47-Pin Tray | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2903A-I/RMSA103 | Microchip Technology | RF Transceiver FSK/GFSK 3.3V 47-Pin Tray | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2903A-I/RMSA103 | Microchip Technology | Description: RF TXRX MOD ISM<1GHZ CAST SMD Packaging: Tray Package / Case: 47-SMD Module Sensitivity: -146dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 902MHz ~ 928MHz Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.1V ~ 3.6V Power - Output: 18.5dBm Data Rate: 300kbps Protocol: LoRa™ Current - Receiving: 1.8mA ~ 3.1mA Current - Transmitting: 105mA ~ 122mA Antenna Type: Antenna Not Included, Castellation Modulation: FSK, GFSK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: UART Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 4588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2903A-I/RMSA103 | Microchip Technology | RF Transceiver FSK/GFSK 3.3V 47-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 650 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2903FE(TE85L,F) | Toshiba | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 100mW 6-Pin ES T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2903FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6 Part Status: Active Supplier Device Package: ES6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 100mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2903FE(TE85L,F) | Toshiba | Digital Transistors ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=200MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN2903FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6 Part Status: Active Supplier Device Package: ES6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 100mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2903FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2903FE,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563) | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN2903FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

