Продукція > SI1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI1499DH-T1-BE3 | Vishay | SI1499DH-T1-BE3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1499DH-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A/1.6A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 2.78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 4 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1499DH-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 8V 1.6A 6-Pin SC-70 T/R | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1499DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 2.78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 4 V | на замовлення 4862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1499DH-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 8.0V 1.6A 2.78W 78 mohms @ 4.5V | на замовлення 8533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1499DH-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 8V 1.6A 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1499DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 4 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Vgs (Max): ±5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 2.78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| Si1499DH-T1-E3 Si1499DH | Vishay Siliconix | SOT-363 P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1499DH-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -8V -1.6A 2.78W | на замовлення 6525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1499DH-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 8V 1.6A 6-Pin SC-70 T/R | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1499DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 2.78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 4 V | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1499DH-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 8V 1.6A 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1499DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 4 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Vgs (Max): ±5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 2.78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1500 | Fairview Microwave | RF Adapters - In Series Matching Pad 75 Ohm BNC Male to 50 Ohm BNC Female Operating from DC to 2 GHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1500 500G BTL | 3M | Description: SCOTCH-WELD SURFACE INSENSITIVE Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1500 50G BTL | 3M | Description: SCOTCH-WELD SURFACE INSENSITIVE Part Status: Active Type: Acrylic For Use With/Related Products: Multi-Purpose Features: Clear, Fast Cure Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1500-CU | на замовлення 14 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1501DL | SI | 02+ SOT-323-6 | на замовлення 158535 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1501DL-T1 | SI | 0046+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1501DL-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1504CM208 | ALTERA | 09+ BGA | на замовлення 1615 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI150A | SI | T042AB | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI150N10YLHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: SMALL SIGNAL MOSFETS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI150N10YLHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1510 | Fairview Microwave | RF Adapters - In Series Matching Pad 50 Ohm BNC Male To 75 Ohm BNC Female Operating From DC to 1,000 MHz RoHS Compliant | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1510 | Fairview Microwave Inc. | SI1510 | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1516EDH-T1-E3 | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1520 | Fairview Microwave | RF Adapters - In Series Matching Pad 50 Ohm N Male To 75 Ohm N Female Operating From DC to 2 GHz RoHS Compliant | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1520 | Fairview Microwave | Description: MATCHING PAD TYPE N PLUG-TYPE N Packaging: Bag For Use With/Related Products: General Purpose Accessory Type: Impedance Matching Pad | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1530 | Fairview Microwave | Description: MATCHING PAD TYPE N PLUG-TYPE N Packaging: Bag For Use With/Related Products: General Purpose Accessory Type: Impedance Matching Pad | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1539CDL-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 290mW (Ta), 340mW (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 700mA (Tc), 400mA (Ta), 500mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 15V, 34pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 388mOhm @ 600mA, 10V, 890mOhm @ 400mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V, 3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1539CDL-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs SOT363 NPCH 30V .7A | на замовлення 34238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1539CDL-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 290mW (Ta), 340mW (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 700mA (Tc), 400mA (Ta), 500mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 15V, 34pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 388mOhm @ 600mA, 10V, 890mOhm @ 400mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V, 3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 | на замовлення 2016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1539CDL-T1-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1539CDL-T1-BE3 - MOSFET, N & P-CH, 30V, 0.7A, SOT-363 tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.323ohm Verlustleistung, p-Kanal: 340mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.323ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N and P Channel Verlustleistung, n-Kanal: 340mW Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 | на замовлення 1971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1971 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1539CDL-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1539CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 700 mA, 700 mA, 0.323 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.323ohm Verlustleistung, p-Kanal: 340mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.323ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 340mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1539CDL-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1539CDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 340mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 388mOhm @ 600mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active | на замовлення 83250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1539CDL-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1539CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 700 mA, 700 mA, 0.323 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.323ohm Verlustleistung, p-Kanal: 340mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.323ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 340mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1539CDL-T1-GE3 | на замовлення 66000000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1539CDL-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1539CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 700 mA, 700 mA, 0.323 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.323ohm Verlustleistung, p-Kanal: 340mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.323ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 340mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 13448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1539CDL-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1539CDL-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SC70-6 N&P PAIR | на замовлення 2926 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1539CDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 340mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 388mOhm @ 600mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active | на замовлення 83381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1539DDL-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.7A/0.42A 6-Pin SC-70 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1539DDL-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SOT-363 | на замовлення 4501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1539DDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V SC70-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1539DL | VISHAY | на замовлення 7200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI1539DL-T | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1539DL-T1 | VISHAY | SOT363-RCK | на замовлення 950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1539DL-T1 SOT363-RCK | VISHAY | на замовлення 950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI1539DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.54A SC70-6 Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 420mA Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 270mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1539DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1539DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.54A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 420mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1539DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.54A SC70-6 Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 420mA Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 270mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1539DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.54A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 420mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1539DL-T1SOT363-RCK | VISHAY | на замовлення 1106 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| Si154CT64 | на замовлення 67 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1550 | Fairview Microwave | Description: MATCHING PAD TYPE N PLUG-TYPE F Packaging: Bag For Use With/Related Products: General Purpose Accessory Type: Impedance Matching Pad | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1551 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1551-T1 | на замовлення 132000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1551DL-S6-E3 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1551DL-T1 | VISHAY | 05+ SOT-363 | на замовлення 372000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1551DL-T1(RDY) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1551DL-T1* | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1551DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1551DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1551DL-T1-E3 | VISHAY | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI1551DL-T1-E3 SOT363-RDQ PB-FREE | VISHAY | на замовлення 15200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI1551DL-T1-E3 SOT363-RDY PB-FREE | VISHAY | на замовлення 39200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI1551DL-T1-E3SOT363-RDQPB-FREE | VISHAY | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI1551DL-T1-E3SOT363-RDYPB-FREE | VISHAY | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI1551DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1551DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1551DL-T1SOT353-RD | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1551DL-T1SOT363-RD | VISHAY | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI1551DL-TI-E3 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1551DL-TL SOT363-RD | VISHAY | на замовлення 120200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI1551DL-TLSOT363-RD | VISHAY | на замовлення 114000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI1553 | VISHAY | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI1553CDL-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6 Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V, 3nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V, 850mOhm @ 400mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V, 43pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 700mA (Tc), 400mA (Ta), 500mA (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 290mW (Ta), 340mW (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1553CDL-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs SOT363 NPCH 20V .7A | на замовлення 99129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1553CDL-T1-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-BE3 - MOSFET, N & P-CH, 20V, 0.7A, SC-70 tariffCode: 0 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm Verlustleistung, p-Kanal: 340mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N and P Channel Verlustleistung, n-Kanal: 340mW Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 | на замовлення 2998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2998 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1553CDL-T1-BE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1553CDL-T1-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V, 3nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V, 850mOhm @ 400mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V, 43pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 700mA (Tc), 400mA (Ta), 500mA (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 290mW (Ta), 340mW (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1553CDL-T1-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1553CDL-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1553CDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6 Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 340mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1553CDL-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1553CDL-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm Verlustleistung, p-Kanal: 340mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 340mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1553CDL-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1553CDL-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R | на замовлення 2668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1553CDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6 FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 340mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1553CDL-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR | на замовлення 24773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1553CDL-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R | на замовлення 2668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1553CDL-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm Verlustleistung, p-Kanal: 340mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 340mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 4779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1553CDL-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SI1553CDL-T1-GE3 (транзистор) Код товару: 72648
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI1553DL | VISAY | 00+ SOT-23-6 | на замовлення 249999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1553DL-T1 | VISHAY | на замовлення 412370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SI1553DL-T1 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.66A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA, 410mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-70-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |

