Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFR5305TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+94.10 грн
156+91.29 грн
157+90.38 грн
262+52.30 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 218000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.01 грн
4000+40.12 грн
6000+39.74 грн
10000+37.93 грн
14000+34.77 грн
20000+33.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+90.13 грн
165+86.11 грн
250+82.65 грн
500+76.83 грн
1000+68.82 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 64264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.62 грн
10+79.13 грн
100+52.74 грн
500+38.86 грн
1000+35.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.20 грн
4000+40.32 грн
6000+39.93 грн
10000+38.11 грн
14000+34.93 грн
20000+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR5305TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 47039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.31 грн
12+73.64 грн
100+48.88 грн
500+35.71 грн
1000+30.17 грн
5000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 пФ @ 25 В, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF
Код товару: 4177
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+31.00 грн
10+27.80 грн
100+24.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3311 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+105.91 грн
10+62.53 грн
25+52.78 грн
100+41.61 грн
200+37.32 грн
500+32.78 грн
1000+29.92 грн
2000+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.15 грн
10+94.56 грн
25+91.72 грн
50+87.56 грн
100+48.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.31 грн
4000+39.45 грн
6000+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+36.03 грн
4000+32.11 грн
6000+30.80 грн
10000+27.52 грн
14000+26.70 грн
20000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
на замовлення 40172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.16 грн
10+81.10 грн
100+46.51 грн
500+36.87 грн
1000+32.75 грн
2000+29.89 грн
4000+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.31 грн
4000+39.45 грн
6000+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR530SIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 28,5mOhm; 35A; 91W; -55°C ~ 175°C; IRFR540Z TIRFR540z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 35 А, Ptot, Вт = 91, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1690 @ 25, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 28,5 мОм @ 21 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 50 мкA,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+77.64 грн
150+66.54 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V SINGLE N-CH 28.5mOhms 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZPBF
Код товару: 54258
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 35A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+51.79 грн
1000+46.43 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+40.89 грн
1000+38.41 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; DPAK
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.90 грн
10+82.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.66 грн
6000+36.30 грн
9000+36.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 35 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1690 @ 25, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 28,5 мОм @ 21 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 50 мкА, Р, Вт = 91, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V SINGLE N-CH 28.5mOhms 39nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.03 грн
54000+45.72 грн
81000+42.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+51.77 грн
1000+46.41 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.67 грн
6000+36.31 грн
9000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBF
Код товару: 170490
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+71.97 грн
548+64.78 грн
1000+59.73 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.33 грн
12+68.84 грн
100+41.55 грн
500+32.53 грн
1000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBFInfineonMOSFET N-CH 100V 35A DPAK Транзистори
на замовлення 31 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+76.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 41194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+71.97 грн
548+64.78 грн
1000+59.73 грн
10000+51.36 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 35A 28.5mOhm 39nC Qg
на замовлення 21333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.84 грн
10+67.45 грн
100+35.33 грн
500+31.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+165.38 грн
136+104.90 грн
200+92.23 грн
500+68.07 грн
1000+61.76 грн
5000+45.85 грн
12000+41.96 грн
24000+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+71.97 грн
548+64.78 грн
1000+59.73 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.55 грн
500+32.53 грн
1000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+71.97 грн
548+64.78 грн
1000+59.73 грн
10000+51.36 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.26 грн
10+91.31 грн
100+61.31 грн
500+45.46 грн
1000+41.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 13A; 66W; -55°C~175°C; Replacement: IRFR5410TR; IRFR5410TRL; IRFR5410; IRFR5410-GURT IRFR5410 TIRFR5410 TEC
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+28.89 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410International RectifierTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.19 грн
25+117.18 грн
100+85.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410
Код товару: 1670
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 5,9 A
Rds(on),Om: 0,6 Ohm
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410International RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 205mOhm; 13A; 66W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5410; IRFR5410TRL; IRFR5410TR; IRFR5410TRR; IRFR5410 smd TIRFR5410
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410HRInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410PBF
Код товару: 37144
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR5410PBF - IRFR5410 100V SINGLE P-CHANNEL POWER MO
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 37100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+155.60 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 38820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+191.36 грн
500+181.91 грн
1000+171.28 грн
10000+156.05 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 13 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25, Qg, нКл = 58, Rds = 205 мОм @ 7,8 A, 10 В, Ugs(th) = 10, Р, Вт = 66 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 12A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5410; IRFR5410TRL; IRFR5410TR; IRFR5410TRR; SP001557110; SP001578112; SP001557100; SP001557118; IRFR5410TR JSMICRO TIRFR5410 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRInternational RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 205mOhm; 13A; 66W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5410; IRFR5410TRL; IRFR5410TR; IRFR5410TRR; IRFR5410 smd TIRFR5410
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRHRInternational RectifierTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.66 грн
2001+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -100V 13A 205mOhm 38.7nC
на замовлення 11644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.56 грн
10+95.56 грн
100+68.36 грн
3000+57.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR5410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+51.97 грн
1000+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.36 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR5410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.87 грн
10+87.17 грн
100+68.02 грн
500+51.97 грн
1000+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+60.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.53 грн
4000+37.11 грн
6000+35.64 грн
10000+31.90 грн
14000+30.98 грн
20000+30.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 27895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.90 грн
10+85.54 грн
100+57.35 грн
500+42.06 грн
1000+35.40 грн
5000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+96.60 грн
154+92.28 грн
250+88.57 грн
500+82.33 грн
1000+73.74 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 13 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 760, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 205 мОм @ 7,8 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 66, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 588 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 588 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF
Код товару: 185744
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+176.80 грн
120+118.51 грн
179+79.47 грн
500+60.51 грн
1000+51.17 грн
2000+45.21 грн
4000+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 22061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.90 грн
10+89.79 грн
100+60.18 грн
500+44.58 грн
1000+40.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.61 грн
4000+47.02 грн
6000+45.00 грн
10000+40.03 грн
14000+36.67 грн
20000+34.85 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 27895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.35 грн
500+42.06 грн
1000+35.40 грн
5000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInternational RectifierD-PAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4032 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+111.34 грн
10+65.73 грн
100+44.30 грн
250+38.66 грн
500+35.13 грн
1000+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+57.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC
на замовлення 23466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.16 грн
10+76.69 грн
100+47.76 грн
500+37.71 грн
1000+34.49 грн
2000+31.70 грн
4000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF -100 В -13 А (TO-252)International RectifierD-Pak Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.12 грн
6000+43.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR5410TRRPBF - IRFR5410 - HEXFET POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+59.96 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+98.46 грн
500+88.60 грн
1000+81.72 грн
10000+70.26 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]