Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7440TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7440TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 125A; Idm: 760A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 125A Pulsed drain current: 760A Power dissipation: 140W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7440TRPBF | International Rectifier | MOSFET N CH 40V 90A DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7440TRPBF Код товару: 208603
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) | на замовлення 1586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 110220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 90A 2.5mOhm 89nC StrongIRFET | на замовлення 4831 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7440TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V | на замовлення 1586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1586 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7446 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7446PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFET N-CH 40V 56A DPAK | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7446PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 56A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 56A, 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7446PBF Код товару: 164478
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7446TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 8398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 56A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V | на замовлення 10837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7446TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 98W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm | на замовлення 7698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N-CH 40V 56A DPAK | на замовлення 14712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7446TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 40V 56A DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7540 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFR7540 | Infineon | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK IRFR7540-GURT IRFR7540TRL IRFR7540TR IRFR7540TR TIRFR7540 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7540PBF | International Rectifier | MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet, TO-252-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7540PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7540PBF | Infineon / IR | MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7540PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7540TRLPBF | Infineon / IR | MOSFET TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7540TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet | на замовлення 5710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7540TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 12506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 28180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7540TRPBF Код товару: 118952
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V | на замовлення 6928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7540TRPBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7540TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 12506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7540TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 110A Power dissipation: 140W Case: DPAK On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7546 | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 17mOhm; 80A; 100W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR7546; IRFR7546TR; SP001552228; SP001567604; IRFR7546TR HXY MOSFET TIRFR7546 HXY кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7546 | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7546PBF | Infineon Technologies | MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7546PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7546TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,5mOhm; 71A; 99W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR7546; IRFR7546TR; SP001552228; SP001567604; IRFR7546TR UMW TIRFR7546 UMW кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7546TR | JGSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 45A; 63W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR7546; IRFR7546TR; SP001552228; SP001567604; IRFR7546TR JGSEMI TIRFR7546 JGS кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7546TR | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,5mOhm; 71A; 99W; -55°C ~ 175°C; IRFR7546, IRFR7546TR IRFR7546 TIRFR7546 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7546TR-ML | MOSLEADER | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 13mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR7546; IRFR7546TR; SP001552228; SP001567604; IRFR7546TR-ML MOSLEADER TIRFR7546 MOS кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7546TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 7900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 99W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF Код товару: 115259
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 34000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF | International Rectifier | N-MOSFET, полевой, 60В, 71А, 99Вт, DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V | на замовлення 689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7546TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 7900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 99W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 34000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet | на замовлення 2153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7740 | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7740PBF | Infineon / IR | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7740PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 87A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7740TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7740TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 87 A, 0.006 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 140W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7740TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 87A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7740TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7740TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 87A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7740TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7740TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 87 A, 0.006 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 140W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7740TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 87A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R | на замовлення 3759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7746 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7746PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7746PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA Tube | на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7746PBF | Infineon Technologies | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET | на замовлення 189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7746PBF | International Rectifier | Description: HEXFET POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7746PBF-INF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFR7746TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFR7746TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

