Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFR9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+269.73 грн
75+124.78 грн
150+112.74 грн
525+92.19 грн
1050+78.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 3582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.89 грн
75+85.07 грн
150+76.86 грн
525+61.16 грн
1050+56.42 грн
2025+52.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.30 грн
75+43.70 грн
150+41.21 грн
525+39.35 грн
1050+35.82 грн
2025+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+66.55 грн
239+59.40 грн
300+54.64 грн
525+51.03 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+269.73 грн
114+124.78 грн
150+112.74 грн
525+92.19 грн
1050+78.75 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.89 грн
10+118.69 грн
100+81.49 грн
500+61.53 грн
1000+57.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 P-CH 60V 8.8A
на замовлення 8492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.41 грн
10+127.68 грн
100+76.11 грн
500+61.24 грн
1000+57.54 грн
3000+53.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR9024TRPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBFIR0625
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 P-CH 60V 8.8A
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.22 грн
10+113.23 грн
100+67.24 грн
500+56.84 грн
1000+50.35 грн
3000+47.55 грн
6000+47.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 5946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.89 грн
10+118.69 грн
100+81.49 грн
500+61.53 грн
1000+57.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9024TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.16 грн
10+94.50 грн
100+59.55 грн
500+45.84 грн
1000+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 4332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.89 грн
10+118.69 грн
100+81.49 грн
500+61.53 грн
1000+57.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.37 грн
10+113.17 грн
100+72.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9024TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.55 грн
500+45.84 грн
1000+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 P-CH 60V 8.8A
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.16 грн
10+83.51 грн
100+47.76 грн
500+44.83 грн
2000+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+58.31 грн
4000+52.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+49.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 P-CH 60V 8.8A
на замовлення 6165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.16 грн
10+83.51 грн
100+47.76 грн
500+46.85 грн
4000+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+58.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 3443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.89 грн
10+118.69 грн
100+81.49 грн
500+61.53 грн
1000+57.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
554+48.88 грн
Мінімальне замовлення: 554 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110HARRISIRFR9110
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
531+66.80 грн
Мінімальне замовлення: 531 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR91109AHARRISIRFR91109A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
879+40.31 грн
1000+38.07 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR91109AHarris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
761+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 761 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 3759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.19 грн
75+61.85 грн
150+55.65 грн
525+43.94 грн
1050+40.35 грн
2025+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.53 грн
11+80.08 грн
100+62.89 грн
500+46.30 грн
1000+37.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+44.42 грн
330+43.06 грн
337+42.18 грн
525+39.95 грн
1050+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 320 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 100V 3.1A P-CH MOSFET
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.17 грн
10+45.13 грн
100+36.66 грн
500+32.96 грн
1000+29.89 грн
3000+28.98 грн
6000+28.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.95 грн
75+42.61 грн
150+41.73 грн
525+39.53 грн
1050+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TFFAIRCHILDIRFR9110TF
на замовлення 4469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1164+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 1164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TF
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TFFairchild SemiconductorDescription: 100V P-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 4469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 952 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TFONSEMIDescription: ONSEMI - IRFR9110TF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TM
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFR9110TRPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRLIRSOT25
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.33 грн
10+83.67 грн
100+64.63 грн
500+50.15 грн
1000+41.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRLPBFIR07+ CAN
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.90 грн
10+94.76 грн
100+55.65 грн
500+44.34 грн
1000+39.45 грн
3000+35.96 грн
6000+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W
Power dissipation: 25W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -12A
Drain current: -2A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.05 грн
10+63.77 грн
100+49.60 грн
500+39.40 грн
1000+37.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 100V 3.1A P-CH MOSFET
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.86 грн
10+85.12 грн
100+49.37 грн
500+39.24 грн
1000+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.30 грн
10+101.83 грн
100+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W
Power dissipation: 25W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -12A
Drain current: -2A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
275+51.60 грн
353+40.16 грн
367+38.65 грн
500+36.81 грн
1000+32.57 грн
2000+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs P-CHANNEL 100-V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120HARRISIRFR9120
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+135.84 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120HARRISIRFR9120
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+135.84 грн
500+121.67 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR91209AR3603Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR91209AR3603HARRISIRFR91209AR3603
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+71.77 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NIRTO-252
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NInternational RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 480mOhm; 6,6A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120N; IRFR9120NTRL; IRFR9120NTR; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120N TIRFR9120n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120N
Код товару: 57603
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 6,6 A
Rds(on),Om: 480 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/27
Монтаж: SMD
у наявності: 266 шт
  • 210 шт - склад
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 36 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+20.00 грн
10+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NCPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V -100V P-CH FET 480mOhms 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NPBFInternational RectifierP-CH. 100V 6.6A DPAK=TO-252AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRJSMSEMITransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 12A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120N; IRFR9120NTRL; IRFR9120NTR; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120NTR JSMICRO TIRFR9120n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRUMWDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.62 грн
10+65.74 грн
100+43.73 грн
500+32.17 грн
1000+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRInternational RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 480mOhm; 6,6A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120N; IRFR9120NTRL; IRFR9120NTR; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120N TIRFR9120n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRUMWDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 235mOhm; 8A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9120N; IRFR9120NTRL; IRFR9120NTR; SP001578344; SP001576108; SP001557182; IRFR9120N UMW TIRFR9120n UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR9120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.28 грн
12+73.64 грн
100+52.22 грн
500+38.20 грн
1000+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
601+59.01 грн
1000+54.42 грн
Мінімальне замовлення: 601 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]