Продукція > AUI
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRFS8409 Код товару: 107555
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS8409 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| AUIRFS8409 | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFS8409 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 970 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 195 Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9 Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 970 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFS8409 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| AUIRFS8409 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 3441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| AUIRFS8409-7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| AUIRFS8409-7P | Infineon | N-Channel 40 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) Силові MOSFET-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFS8409-7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| AUIRFS8409-7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| AUIRFS8409-7P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| AUIRFS8409-7P | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A | на замовлення 6696 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFS8409-7P Код товару: 116207
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| AUIRFS8409-7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| AUIRFS8409-7P | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFS8409-7P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm | на замовлення 4769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFS8409-7TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFS8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFS8409-7TRL | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| AUIRFS8409-7TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFS8409-7TRL | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A | на замовлення 730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFS8409-7TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFS8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFS8409-7TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFS8409-7TRR | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFS8409TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| AUIRFS8409TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFS8409TRL | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFS8409TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| AUIRFS8409TRR | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSA8409-7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 523A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSA8409-7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 523A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| AUIRFSA8409-7P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 523A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 523A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSA8409-7P | Infineon / IR | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSA8409-7TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 523A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 523A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSA8409-7TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFSA8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 523 A, 0.0005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 523A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSA8409-7TRL | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSA8409-7TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 523A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSA8409-7TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFSA8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 523 A, 0.0005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 523A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSA8409-7TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 523A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 523A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL3004 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL3206 | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-262 Grade: Automotive Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| AUIRFSL3206 | Infineon Technologies | MOSFET 60V 210A 3 mOhm Automotive MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL4010 | Infineon Technologies | MOSFETs Automotive MOSFET 10 hm, 143 nC Qg, D2Pa | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL4010 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL4010 | Infineon | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| AUIRFSL4010 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 100V 180A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Not For New Designs Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL4010-306 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL4010-306 | Infineon / IR | MOSFET AUTO D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL4010-313 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL4010-313TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO262 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262-3 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL4115 | Infineon / IR | MOSFET MOSFET_(120V 300V) | на замовлення 1552 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL4115 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 99A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL4115 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFSL4115 - AUIRFSL4115 120V-300V NCHANNELAUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL4310 | Infineon / IR | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 7mOhms | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL4310 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL6535 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 300V 19A TO262-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-901 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| AUIRFSL6535 | Infineon / IR | MOSFET MOSFET_(120V 300V) | на замовлення 435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL6535 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 300V 19A TO262-3-901 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-901 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| AUIRFSL6535 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 300V 19A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-901 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL8403 | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 2.6mOhm 123A | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL8403 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 123A TO262 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| AUIRFSL8403 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFSL8403 - AUIRFSL8403 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 14750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 296 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL8405 | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.9mOhm 120A | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL8405 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 163W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5193 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL8405-306TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO262 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 163W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5193 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL8407 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-262 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| AUIRFSL8407 | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 1.4mOhm 195A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL8407 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL8408 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFSL8408 - AUIRFSL8408 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 160 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL8408 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| AUIRFSL8408 | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.3mOhm 195A | на замовлення 395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL8409 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFSL8409 | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.2 mOhms 195A | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFU024N | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFU1010Z | Infineon / IR | MOSFET N-CHANNEL 55 / 60 | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFU1010Z | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 55V 42A TO251-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| AUIRFU1010Z-701 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFU3607 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 75V 56A I-PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFU3607 | Infineon / IR | MOSFET Automotive MOSFET 7 mOhm, 56 nC Qg, IPAK | на замовлення 706 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFU4104 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFU4104 | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFU4105Z | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFU4292 | Infineon Technologies | MOSFET Automotive Logic Le mOhm, 13 nC Qg, IPAK | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFU4292 | International Rectifier | Description: MOSFET_(120V,300V) Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| AUIRFU540Z | Infineon Technologies | MOSFET Automotive MOSFET 1 100V, 26 mOhm, IPAK | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFU540Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFU8401 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFU8401 | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 3.2mOhm 100A | на замовлення 322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFU8401 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 100A I-PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: IPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| AUIRFU8403 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 100A I-PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 76A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3171 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 17422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| AUIRFU8403 | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 2.4mOhm 100A | на замовлення 2849 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFU8403 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFU8403 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFU8403 - AUIRFU8403 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 301 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFU8403-701TRL | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 76A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO251-3-901 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3171 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 11512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| AUIRFU8403-701TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFU8405 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFU8405 | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.65mOhm 100A | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFU8405 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 100A I-PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 163W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5171 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFZ24NS | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFZ24NS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 2694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFZ24NS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFZ24NSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFZ24NSTRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFZ24NSTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 45W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 45W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 97 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| AUIRFZ24NSTRL | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK | на замовлення 112727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|