Продукція > BSS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 26623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 89546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 153000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS214NWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS214NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 185992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS214NWH6327XTSA1 X5. | Infineon | Transstor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS214NW L6327; BSS214NWH6327XTSA1; BSS214NWH6327XTSA1 INFINEON TBSS214nw кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS214NWL6327XT | Infineon technologies | на замовлення 2613 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS215P | Infineon | 09+ SOP-8 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS215P H6327 | Infineon | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS215P H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3 | на замовлення 12558 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS215P H6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 11µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk FET Type: P-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS215PH6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS215PH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3 | на замовлення 25489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS215PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS215PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.105 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 15419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 48037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS215PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS215PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 10902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS215PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P2 Gate-source voltage: ±12V Kind of channel: enhancement Case: PG-SOT23 Drain current: -1.5A Drain-source voltage: -20V On-state resistance: 0.15Ω Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.5W | на замовлення 1234 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3 | на замовлення 216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS215PH6327XTSA1-ML | MOSLEADER | Description: P -20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS215PL6327 | Infineon technologies | на замовлення 260 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS215PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS215PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS22 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS223PW H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -390mA SOT-323-3 | на замовлення 10429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS223PW L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS223PW L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -20V 390mA SOT-323-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 66260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS223PWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 43478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS223PWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323 Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.39A Power dissipation: 0.25W On-state resistance: 1.2Ω Gate-source voltage: ±12V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P Case: PG-SOT-323 | на замовлення 1095 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 12658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 12658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -390mA SOT-323-3 | на замовлення 464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS223PWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 39983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 33782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PW | Infineon | P-CH, MOSFET, Uds=20V, Id=390mA, SOT-323 Транзистори | на замовлення 7 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS223PWL6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Supplier Device Package: PG-SOT323-3-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS223PWL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS223PWL6327XT | Infineon technologies | на замовлення 2729 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS225 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-SOT89 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS225 H6327 | Infineon | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS225 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 90mA SOT-89-3 | на замовлення 5388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS225 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 600V 90mA SOT-89-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT89 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 2146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT89 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS225H6327FTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS225H6327FTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 2146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 90mA SOT-89-3 | на замовлення 4419 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS225H6327FTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89 Mounting: SMD Case: SOT89 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 90mA On-state resistance: 45Ω Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement | на замовлення 262 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS225H6327FTSA1 | Infineon | N-MOSFET 600V 0.09A 45Ω 1W BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327 Infineon TBSS225 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 997 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS225H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS225H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS225H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT89 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS225L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT89 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS229 | INF | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS23 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS24 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS25 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| Bss250 | HBE | Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 250mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.250MXP; 179020.0,25; 0034.1510 Fuse: fast-acting; 250mA Bss250 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| Bss250 | HBE | Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 250mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.250MXP; 179020.0,25; 0034.1510 Fuse: fast-acting; 250mA Bss250 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS26 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS27 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS28 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS29 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS295 транзистор Код товару: 64622
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS296 | SIEMENS | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS30 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS306N H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS306N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS306NH6327 | Infineon technologies | на замовлення 5810 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS306NH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS306NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 9870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS306NH6327XTSA1 | Infineon | Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 93mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS306NH6327HTSA1; BSS306NH6327; RC2304A; MOT3400AB2; YFW3404B; PT3404; LGE3404; BSS306N-VB; BSS306NH6327 Infineon TBSS306n кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2413 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 133085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. |

