Продукція > IPB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 220V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+724.21 грн
23+621.27 грн
26+551.44 грн
100+510.58 грн
500+468.43 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDE8187ATMA1Infineon TechnologiesIPB156N22NFDE8187ATMA1
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+434.91 грн
100+413.70 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB15N03
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB15N03Linfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB15N03LAinfineon07+
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB15N03LTINFINEONTO263
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S2-03infineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+183.87 грн
500+174.44 грн
1000+163.83 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 424282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+193.92 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.72 грн
500+222.76 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+502.70 грн
10+348.74 грн
100+263.32 грн
500+234.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 390995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.72 грн
500+222.76 грн
1000+210.97 грн
10000+190.94 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4INFINEONDescription: INFINEON - IPB160N04S203ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+503.57 грн
41+349.34 грн
100+263.78 грн
500+234.60 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.72 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.72 грн
500+222.76 грн
1000+210.97 грн
10000+190.94 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4INFINEONDescription: INFINEON - IPB160N04S203ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S2K-03infineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S2L03ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S2L03ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S2L03ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S2L03ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S2L03ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S2L03ATMA2Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S3-H2Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S3H2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 83729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+179.89 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S3H2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S3H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4-H1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+284.97 грн
89+160.38 грн
102+139.39 грн
500+115.13 грн
1000+91.65 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+109.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB160N04S4H1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 8292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.11 грн
100+151.20 грн
500+126.00 грн
1000+111.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+108.16 грн
3000+98.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 167W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 167W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+149.69 грн
1000+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB160N04S4H1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 8292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+109.66 грн
3000+100.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.14 грн
10+147.71 грн
50+113.58 грн
100+96.28 грн
500+78.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+149.69 грн
1000+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+109.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 (IPB160N04S4-H1)
Код товару: 166065
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4L-H1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 30/40V
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+149.69 грн
1000+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.14 грн
10+147.71 грн
50+113.58 грн
100+96.28 грн
500+78.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+98.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+128.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+80.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+97.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+149.69 грн
1000+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-7-3
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 640A
Technology: OptiMOS™ T2
Gate-source voltage: -16...20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N08S4-03Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N08S4-03ATMA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N08S403ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 75/80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N08S403ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB16CN10N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 53A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB16CN10NGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB16CNE8N GINFTO-263
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB16CNE8NGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6Infineon Technologies IFX FET >150 - 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 9.7A D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 9.7A D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6ATMA1InfineonN-Channel 200 V 9.7A (Ta), 61A (Tc) 3.8W (Ta), 203W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-U01 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 203W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPB175N20NM6ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 38A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.28 грн
10+187.41 грн
50+145.37 грн
100+123.70 грн
500+104.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 9.7A D2PAK T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+187.50 грн
16000+172.15 грн
24000+161.03 грн
32000+147.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPB175N20NM6ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 38A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+104.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3-100Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 17A D2PAK-2
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+193.84 грн
86+165.08 грн
87+163.08 грн
105+130.26 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+270.68 грн
76+186.61 грн
107+132.54 грн
500+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.84 грн
10+165.08 грн
25+163.08 грн
100+130.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB17N25S3100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.36 грн
10+146.50 грн
50+112.39 грн
100+95.14 грн
500+72.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+193.56 грн
90+157.49 грн
100+146.67 грн
500+125.20 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 17A D2PAK-2
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.32 грн
100+143.47 грн
500+116.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB17N25S3100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+78.83 грн
3000+68.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L-01Infineon TechnologiesDescription: IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L-01Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L-H0Infineon TechnologiesDescription: IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L-H0Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L01ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+193.29 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L01ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.