Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 28 32 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB144N12N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB144N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB144N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 56A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB147N03infineon07+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB147N03L GINFTO-263
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB147N03LGinfineon07+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB147N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A D2PAK
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
644+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 644 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB147N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB14N03INFINEONTO-263
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB14N03Linfineon04+
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB14N03LAInfineon TechnologiesMOSFET Discrete Semiconductor Products
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB14N03LAinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB14N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB14N03LA GINFTO-263
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB14N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB14N03LAGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB14N03LAP
на замовлення 734 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB14N03LATInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 220V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+436.09 грн
100+414.88 грн
500+392.48 грн
1000+358.01 грн
10000+311.49 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 220V; 72A; 300W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 220V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 12.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Drain current: 72A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 110 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 220 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+593.35 грн
10+388.94 грн
100+285.71 грн
500+238.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 220V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+724.21 грн
23+621.27 грн
26+551.44 грн
100+510.58 грн
500+468.43 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB156N22NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 72 A, 0.0129 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 220V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+436.09 грн
100+414.88 грн
500+392.48 грн
1000+358.01 грн
10000+311.49 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 220 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 110 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 220V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+436.09 грн
100+414.88 грн
500+392.48 грн
1000+358.01 грн
10000+311.49 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB156N22NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 72 A, 0.0129 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 220V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+722.97 грн
10+620.20 грн
25+550.49 грн
100+509.70 грн
500+467.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB156N22NFDE8187ATMA1Infineon TechnologiesIPB156N22NFDE8187ATMA1
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+434.91 грн
100+413.70 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB15N03
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB15N03Linfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB15N03LAinfineon07+
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB15N03LTINFINEONTO263
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S2-03infineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+183.87 грн
500+174.44 грн
1000+163.83 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Bulk
на замовлення 424282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+180.25 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.72 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4INFINEONDescription: INFINEON - IPB160N04S203ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.72 грн
500+222.76 грн
1000+210.97 грн
10000+190.94 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.72 грн
500+222.76 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+502.70 грн
10+348.74 грн
100+263.32 грн
500+234.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4INFINEONDescription: INFINEON - IPB160N04S203ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 390995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.72 грн
500+222.76 грн
1000+210.97 грн
10000+190.94 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+503.57 грн
41+349.34 грн
100+263.78 грн
500+234.60 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S2K-03infineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S2L03ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S2L03ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S2L03ATMA2Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S2L03ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S2L03ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S2L03ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S3-H2Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S3H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S3H2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S3H2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 83729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+167.23 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4-H1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+109.66 грн
3000+100.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+149.69 грн
1000+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10920 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+109.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB160N04S4H1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 8292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 167W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: TO263-7
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 167W
Drain current: 160A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+284.97 грн
89+160.38 грн
102+139.39 грн
500+115.13 грн
1000+91.65 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+109.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10920 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.63 грн
10+150.88 грн
50+116.01 грн
100+98.35 грн
500+79.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.11 грн
100+151.20 грн
500+126.00 грн
1000+111.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+108.16 грн
3000+98.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+149.69 грн
1000+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB160N04S4H1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 8292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 (IPB160N04S4-H1)
Код товару: 166065
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4L-H1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+128.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.63 грн
10+150.88 грн
50+116.01 грн
100+98.35 грн
500+79.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+97.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+149.69 грн
1000+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+81.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+149.69 грн
1000+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 30/40V
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TO263-7-3
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 167W
Technology: OptiMOS™ T2
Drain current: 160A
Gate-source voltage: -16...20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+98.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N08S4-03Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N08S4-03ATMA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N08S403ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 75/80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N08S403ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 28 32 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]