Продукція > IPB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB35N10S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB35N10S3L26ATMA1 | Infineon | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPB35N10S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB35N10S3L26ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0203 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB35N10S3L26ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB35N10S3L26ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB35N12S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 100+ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB35N12S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_100+ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB35N12S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_100+ Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB407N30NATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB407N30NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB407N30NATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 300V 44A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 44A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB407N30NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB407N30NATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB407N30NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB407N30NATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 300V 44A D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 44A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Vgs (Max): ±20V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB407N30NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB407N30NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MV POWER MOS | на замовлення 493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB45N04S4L-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 45A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | на замовлення 435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB45N04S4L-08 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +20V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB45N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2 Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +20V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB45N06S3-16 | INF | 09+ | на замовлення 95 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB45N06S3-16 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 45A TO263-3 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 23A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB45N06S3L-13 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 45A TO263-3 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 26A, 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB45N06S4-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | на замовлення 1074 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB45N06S409ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB45N06S409ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB45N06S409ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB45N06S409ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 353 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB45N06S4L-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | на замовлення 910 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB45N06S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB45N06S4L08ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB45N06S4L08ATMA3 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB45N06S4L08ATMA3 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB45N06S4L08ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe OptiMOS-T2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB45N06S4L08ATMA3 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_)40V 60V) | на замовлення 1314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB45N06S4L08ATMA3 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Power Dissipation (Max): 71W (Tc) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB45N06S4L08ATMA3 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB45N06S4L08ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 71W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe OptiMOS-T2 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB45P03P4L-11 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -45A D2PAK-2 OptiMOS-P2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB45P03P4L11ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 45A TO263-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +5V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: P-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB45P03P4L11ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +5V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 45A, 10V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB45P03P4L11ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB47N10S-33 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 47A D2PAK-2 SIPMOS | на замовлення 532 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB47N10S-33 | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPB47N10S-33 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB47N10S33 | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPB47N10S33ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB47N10S33ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 | на замовлення 446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB47N10S33ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB47N10SL-26 | Infineon Technologies | Description: IPB47N10 - 75V-100V N-CHANNEL AU Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 33A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB47N10SL-26 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 47A D2PAK-2 SIPMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB47N10SL26ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 33A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| iPB48003A150V-001-R | TDK-Lambda | Isolated DC/DC Converters 45W 15V 3A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| iPB48004A120V-001-R | TDK-Lambda | Isolated DC/DC Converters 48W 12V 4A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| iPB48010A033V-001-R | TDK-Lambda | Isolated DC/DC Converters 33W 3.3V 10A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50CN10NG | infineon | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 50 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB50CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50N10S3L-16 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T | на замовлення 255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB50N10S3L-16 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3 | на замовлення 1544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50N10S3L-16 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50N10S3L-16 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3 | на замовлення 1544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50N10S3L16ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50N10S3L16ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50N10S3L16ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50N10S3L16ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50N12S3L15ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_100+ Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50N12S3L15ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 100+ | на замовлення 999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB50R140CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP | на замовлення 829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB50R140CPATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB50R140CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 550V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB50R140CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50R140CPATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V | на замовлення 1356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB50R140CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB50R140CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50R140CPATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB50R140CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 550V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB50R140CPATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB50R140CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB50R199CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50R199CP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO263-3-2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 213 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50R199CPATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 17A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50R199CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP | на замовлення 12661 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB50R199CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50R250CP | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50R250CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 550V 13A D2PAK-2 CoolMOS CP | на замовлення 829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50R250CP | infineon | 07+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50R250CPATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 13A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50R299CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 550V 12A D2PAK-2 CoolMOS CP | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50R299CPATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB50R299CPATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO263-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V | на замовлення 65886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB530N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 21A D2PAK-2 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB530N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |