Продукція > IPL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPL1-125-02-L-D-K | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPL1-125-02-L-D-K - Stiftleiste, Wire-to-Board, 2.54 mm, 2 Reihe(n), 50 Kontakt(e), Oberflächenmontage tariffCode: 85366930 rohsCompliant: YES Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kontaktmaterial: Phosphorbronze usEccn: EAR99 Steckverbinderkragen: Mit Kragen Anzahl der Kontakte: 50Kontakt(e) euEccn: NLR Steckverbindersysteme: Wire-to-Board Produktpalette: Mini Mate IPL1 productTraceability: No Kontaktanschluss: Oberflächenmontage Anzahl der Reihen: 2Reihe(n) Rastermaß: 2.54mm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL1-125-02-L-D-K | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Isolated Power Terminal Strip, Cable Mate | на замовлення 178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL1-125-02-L-D-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN HEADER SMD 50POS 2.54MM Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Header Voltage Rating: 675VAC, 954VDC Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 50 Number of Rows: 2 Style: Board to Cable/Wire Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Contact Type: Male Pin Fastening Type: Locking Ramp Number of Positions Loaded: All Termination: Solder Material Flammability Rating: UL94 V-0 Contact Material: Phosphor Bronze Insulation Color: Natural Pitch - Mating: 0.100" (2.54mm) Contact Finish - Mating: Gold Contact Finish Thickness - Mating: 10.0µin (0.25µm) Contact Finish - Post: Tin Part Status: Active Contact Shape: Square Insulation Height: 0.320" (8.13mm) Shrouding: Shrouded - 4 Wall Insulation Material: Liquid Crystal Polymer (LCP) Row Spacing - Mating: 0.100" (2.54mm) Contact Length - Mating: 0.215" (5.46mm) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL1-125-02-L-D-K-TR | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Isolated Power Terminal Strip, Cable Mate | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL1-125-02-L-D-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN HEADER SMD 50POS 2.54MM Packaging: Cut Tape (CT) Connector Type: Header Voltage Rating: 675VAC, 954VDC Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 50 Number of Rows: 2 Style: Board to Cable/Wire Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Contact Type: Male Pin Fastening Type: Locking Ramp Number of Positions Loaded: All Termination: Solder Material Flammability Rating: UL94 V-0 Contact Material: Phosphor Bronze Insulation Color: Natural Pitch - Mating: 0.100" (2.54mm) Contact Finish - Mating: Gold Contact Finish Thickness - Mating: 10.0µin (0.25µm) Contact Finish - Post: Tin Part Status: Active Contact Shape: Square Insulation Height: 0.320" (8.13mm) Shrouding: Shrouded - 4 Wall Insulation Material: Liquid Crystal Polymer (LCP) Row Spacing - Mating: 0.100" (2.54mm) Contact Length - Mating: 0.215" (5.46mm) | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL1-125-02-L-D-P | Samtec Inc. | Description: CONN HEADER SMD 50POS 2.54MM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL1-125-02-L-S-K | Samtec Inc. | Description: CONN HEADER SMD 25POS 2.54MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL1-125-02-L-S-K | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Isolated Power Terminal Strip, Cable Mate | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL1-125-02-L-S-K-FR | Samtec | Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Isolated Power Terminal Header | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL1-125-02-L-SH-K | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Isolated Power Terminal Strip, Cable Mate | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL1-125-02-L-SH-K | Samtec Inc. | Description: CONN HEADER SMD R/A 25POS 2.54MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL1-125-02-L-SH-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN HEADER SMD R/A 25POS 2.54MM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 125 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL1-125-02-S-D-K | Samtec Inc. | Description: CONN HEADER SMD 50POS 2.54MM Packaging: Tube Connector Type: Header Voltage Rating: 675VAC, 954VDC Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 50 Number of Rows: 2 Style: Board to Cable/Wire Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Contact Type: Male Pin Fastening Type: Locking Ramp Number of Positions Loaded: All Termination: Solder Material Flammability Rating: UL94 V-0 Contact Material: Phosphor Bronze Insulation Color: Natural Pitch - Mating: 0.100" (2.54mm) Contact Finish - Mating: Gold Contact Finish Thickness - Mating: 30.0µin (0.76µm) Contact Finish - Post: Tin Part Status: Active Contact Shape: Square Insulation Height: 0.320" (8.13mm) Shrouding: Shrouded - 4 Wall Insulation Material: Liquid Crystal Polymer (LCP) Row Spacing - Mating: 0.100" (2.54mm) Contact Length - Mating: 0.215" (5.46mm) | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL1-125-02-S-D-K | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Isolated Power Terminal Header | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL1-125-02-S-D-K-TR | Samtec Inc. | Description: CONN HEADER SMD 50POS 2.54MM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 125 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL1-125-02-S-D-P | Samtec Inc. | Description: CONN HEADER SMD 50POS 2.54MM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL1-125-02-S-D-P | Samtec | Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Isolated Power Terminal Strip, Cable Mate | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 104 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL1-125-02-S-S-K | Samtec Inc. | Description: CONN HEADER SMD 25POS 2.54MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL1-125-03-S-SH-K | Samtec Inc. | Description: .100" MINI MATE ISOLATED POWER T Contact Length - Mating: 0.215" (5.46mm) Insulation Material: Liquid Crystal Polymer (LCP) Shrouding: Shrouded - 4 Wall Insulation Height: 0.220" (5.60mm) Contact Shape: Square Contact Finish - Post: Tin Contact Finish Thickness - Mating: 30.0µin (0.76µm) Contact Finish - Mating: Gold Pitch - Mating: 0.100" (2.54mm) Insulation Color: Natural Contact Material: Phosphor Bronze Material Flammability Rating: UL94 V-0 Termination: Solder Number of Positions Loaded: All Fastening Type: Locking Ramp Contact Type: Male Pin Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Style: Board to Cable/Wire Number of Rows: 1 Number of Positions: 25 Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Voltage Rating: 675VAC, 954VDC Connector Type: Header Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL1-18-A | IDEC | Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators Intrinsically-Safe Pilot light 10mm mounting hole Extended Amber | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL1-18-G | IDEC | Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators Intrinsically-Safe Pilot light 10mm mounting hole Extended Green | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL1-18-R | IDEC | Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators Intrinsically-Safe Pilot light 10mm mounting hole Extended Red | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL1-18-W | IDEC | Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators Intrinsically-Safe Pilot light 10mm mounting hole Extended White | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL1-18-Y | IDEC | Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators Intrinsically-Safe Pilot light 10mm mounting hole Extended Yellow | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL1-69-A | IDEC | Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators 6mm PL Intrinsically-Safe | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL1-69-G | IDEC | Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators 6mm PL Intrinsically-Safe | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL1-69-R | IDEC | Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators 6mm PL Intrinsically-Safe | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL1-69-W | IDEC | Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators 6mm PL Intrinsically-Safe | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL1-69-Y | IDEC | Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators 6mm PL Intrinsically-Safe | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R060CFD7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R060CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.06 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2A - 4 Wochen Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 219W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm | на замовлення 4384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R060CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 2729 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R060CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Supplier Device Package: PG-VSON-4-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3193 pF @ 400 V | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R060CFD7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R060CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.06 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2A - 4 Wochen Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 219W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm | на замовлення 4384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R060CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Supplier Device Package: PG-VSON-4-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3193 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R065C7 | Infineon | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPL60R065C7 Код товару: 125681
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPL60R065C7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET HIGH POWER_NEW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Supplier Device Package: PG-VSON-4-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V | на замовлення 4538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R065C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 29A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R065C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 29A 4-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R065C7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R065C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.056 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R065C7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET HIGH POWER_NEW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Supplier Device Package: PG-VSON-4-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R065C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 29A 4-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R065C7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R065C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.056 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R065C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 2871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R065P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R065P7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 41A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V Power Dissipation (Max): 201W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R065P7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 3621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R065P7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 201W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 32A Power dissipation: 201W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 67nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R065P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R065P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 5857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R065P7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R065P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.065 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 201W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R065P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 5819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R065P7AUMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 4VSON Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R065P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 1341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R065P7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 41A 4VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-VSON-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Power Dissipation (Max): 201W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 9635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R065P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R065P7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R065P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.065 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 201W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R065P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R075CFD7 | Infineon Technologies | Infineon HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R075CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.1A, 10V Power Dissipation (Max): 189W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R075CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 2814 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R075CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R075CFD7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R075CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.066 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 189W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R075CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R075CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.1A, 10V Power Dissipation (Max): 189W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V | на замовлення 5402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R075CFD7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R075CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.066 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 189W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R085P7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R085P7AUMA1 | Infineon Technologies | IPL60R085P7AUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 39A 4-Pin VSON EP T/R - Arrow.com | на замовлення 1979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R085P7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 39A 4VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 154W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R085P7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R085P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 39 A, 0.073 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 154W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R085P7AUMA1 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 650, Id = 39 А, Ptot, Вт = 154, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2180 @ 400, Qg, нКл = 51 @ 10 В, Rds = 85 мОм @ 11,8 A, 10 D, Tексп, °C = -40...+150, Ugs(th) = 4 В @ 590 мкА,... Транзистори Корпус: PG-VSON-4 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R085P7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 39A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 154W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R085P7AUMA1 | Infineon Technologies | IPL60R085P7AUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 39A 4-Pin VSON EP T/R - Arrow.com | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R085P7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R085P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 39 A, 0.073 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 154W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R095CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R095CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA Supplier Device Package: PG-VSON-4-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V | на замовлення 4363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R095CFD7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R095CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.076 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 147W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R095CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | на замовлення 3094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R095CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA Supplier Device Package: PG-VSON-4-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R095CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 4-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R095CFD7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R095CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.076 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 147W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R104C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R104C7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R104C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.09 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 122W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R104C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R104C7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R104C7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 122W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V | на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R104C7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R104C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.09 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 122W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R104C7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 122W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R105P7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPL60R105P7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R105P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.085 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 137W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 5894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V | на замовлення 3017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R105P7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R105P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.085 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 137W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R | на замовлення 2978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

