Продукція > IRL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 28 32 36 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLI640GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.9A; Idm: 40A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.9A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 479 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+210.44 грн
5+150.96 грн
10+126.64 грн
25+99.80 грн
50+85.54 грн
100+76.32 грн
250+69.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+116.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLI640GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.9 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 25939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+258.48 грн
10+125.99 грн
100+105.67 грн
500+78.50 грн
1000+68.91 грн
5000+64.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 9.9A N-CH MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+115.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+180.85 грн
91+155.77 грн
103+138.61 грн
250+122.20 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.74 грн
50+172.41 грн
100+147.78 грн
500+123.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIB4343
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIB4343Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 19A TO220AB FP
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIB4343PBFIR
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIB9343Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 14A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIB9343PBFInfineon / IRMOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 105mOhms 31nC
на замовлення 7182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIB9343PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.38 грн
10+124.26 грн
100+91.32 грн
500+77.11 грн
1000+56.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIB9343PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 14A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIB9343PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLIB9343PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 14 A, 0.093 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 33
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 33
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.093
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ14G(MFET,N-CH,60V,8A,TO-220) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ14GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ14GIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ14GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+107.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ14GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ14GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ14GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ14GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 N-CH 60V 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ14GPBF(MFET,N-CH,60V,8A,TO-220) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ14GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 32A; 27W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.4nC
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±10V
Power dissipation: 27W
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ14GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+56.27 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ14GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+83.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ14GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ14GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.8A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.09 грн
10+121.60 грн
100+97.74 грн
500+75.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ24GVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ24GIR
на замовлення 11045 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ24GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ24GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ24GPBFVishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 3rd Gen TO-220 Fullpak
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ24NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 14A TO220AB FP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ34IR01+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ34GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ34GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLIZ34GPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ34GIR01+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ34GPBFVishay SemiconductorsMOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ34GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ34GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 12A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.71 грн
50+106.12 грн
100+93.59 грн
500+78.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ34NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 22A TO220AB FP
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ34NPBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ34NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 22A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ34NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLIZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 20 A, 0.035 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.54 грн
10+86.97 грн
100+68.12 грн
500+52.23 грн
1000+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ34NPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 20A 35mOhm 16.7nC LogLvl
на замовлення 2627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ34NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 22 А, Ptot, Вт = 37, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 880 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 5 В, Rds = 35 мОм @ 12 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+37.35 грн
100+32.01 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 28689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+85.80 грн
220+64.49 грн
258+54.88 грн
500+45.37 грн
1000+39.82 грн
2000+35.72 грн
4000+30.15 грн
Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ34NPBF
Код товару: 169761
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ44GVishay / SiliconixMOSFETs 60V 28mOhms@5V 30A N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ44GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ44GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+132.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ44GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLIZ44GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+272.30 грн
10+130.06 грн
100+125.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ44GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ44GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 120A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+234.82 грн
10+151.80 грн
50+114.06 грн
100+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ44GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.88 грн
50+126.09 грн
100+114.24 грн
500+87.71 грн
1000+81.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ44GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+127.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ44GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 60V 30 Amp
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ44GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ44NPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 28A 22mOhm 32nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ44NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ44NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLIZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.022 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ44NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ44NPBF-IRInternational RectifierDescription: IRLIZ44N - HEXFET POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014IR07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ, Vdss В = 55, Id = 2 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Rds = 140 мОм, Qg,нКл = 14, Tэксп, °C = -55...+150, Vgs(th) = 10, Входная ёмкость = 230 пФ (при напряжении 25 В),... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NIRSOT-223
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7273+0.10 грн
Мінімальне замовлення: 7273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5001 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLL014NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NPBF
Код товару: 36808
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-223
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 2,7 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 400/8,4
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NPBFInfineon TechnologiesMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms 9.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 2 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 230 @ 25, Qg, нКл = 14 @ 10 В, Rds = 140 мОм @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -65 ...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 80 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NPBFInternational Rectifier(MFET,N-CH,55V,2.0A,0.14 OM,SOT-223) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 280mOhm; 2,8A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL014N smd TIRLL014n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 280mOhm; 2,8A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL014N smd TIRLL014n
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 280mOhm; 2,8A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL014N smd TIRLL014n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRJGSEMITransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm; 5A; 1,79W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLL014; IRLL014TR; IRLL014TR-BE3; IRLL014N; IRLL014NTR; SP001550472; SP001578654; IRLL014NTR JGSEMI TIRLL014n JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRLIR
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBFIRLL014NTRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal
на замовлення 4526 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF
Код товару: 75405
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.35 грн
5000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 2A 140mOhm 9.5nC LogLvl
на замовлення 16491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 2 A, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 230 @ 25, Qg, нКл = 14 @ 10 В, Rds = 140 мОм @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -65...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 8026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.71 грн
500+17.59 грн
1000+14.63 грн
5000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 30489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+41.29 грн
100+26.67 грн
500+19.14 грн
1000+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.30 грн
5000+16.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBFINTERNATIONAL RECTIFIERn-Ch, 55V, 0.14, SOT223, Pb-Free
на замовлення 183 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
13+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 28 32 36 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]