Продукція > MSC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MSCD36-08 | Microsemi | Rectifiers Power Module - Diode | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD36-08 | Microsemi Corporation | Description: DIODE MODULE GP 800V 36A D1 Packaging: Bulk Package / Case: D1 Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 36A Supplier Device Package: D1 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 800 V | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCD36-12 | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE MODULE 1.2KV 36A D1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 56 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD36-12 | Microsemi | Rectifiers Power Module - Diode | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD36-16 | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE MODULE 1.6KV 36A D1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD36-18 | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE MODULE 1.8KV 36A D1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD43-2R2M | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MSCD43-470K | на замовлення 10500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MSCD54 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MSCD54-101K | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MSCD60-08 | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - Diode | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD60-08 | Microsemi Corporation | Description: DIODE MODULE 800V 60A D1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD60-12 | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - Diode | на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD60-12 | Microsemi Corporation | Description: DIODE MODULE GP 1200V 60A D1 Packaging: Bulk Package / Case: D1 Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: D1 Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD60-16 | Microsemi Corporation | Description: DIODE MODULE GP 1600V 60A D1 Packaging: Bulk Package / Case: D1 Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: D1 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 1600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD60-16 | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - Diode | на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD60-18 | Microsemi Corporation | Description: DIODE MODULE GP 1800V 60A D1 Packaging: Bulk Package / Case: D1 Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: D1 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 1800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD70-08 | Microsemi Corporation | Description: DIODE MODULE 800V 70A D1 Packaging: Bulk Package / Case: D1 Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A Supplier Device Package: D1 Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.48 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD70-12 | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE MODULE 1.2KV 70A D1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD70-16 | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE MODULE 1.6KV 70A D1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 49 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD70-18 | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE MODULE 1.8KV 70A D1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 44 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD73-220K | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MSCDB-1305H-220M | на замовлення 233080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MSCDC100A120D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC100A120D1PAG | Microchip Technology | Description: DIODE MODULE SIC 1200V 100A D1P Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: D1P Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC100A170D1PAG | Microchip Technology | Description: DIODE MODULE SIC 1700V 100A D1P Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: D1P Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1700 V | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC100A170D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC100A70D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC100A70D1PAG | Microchip Technology | Description: DIODE MODULE SIC 700V 100A D1P Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: D1P Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 700 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC100H120AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC100H170AG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC100H170AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC100H70AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC100KK120D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC100KK120D1PAG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC100KK170D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC100KK170D1PAG | Microchip Technology | Description: DIODE MOD SIC SCHOT 1700V D1P Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: D1P Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1700 V | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC100KK70D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC150A120D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC150A170D1PAG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC150A170D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC150A70D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC150KK120D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC150KK120D1PAG | Microchip Technology | Description: DIODE MODULE SIC 1200V 150A D1P Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: D1P Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 1200 V | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC150KK170D1PAG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC150KK170D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC150KK70D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC150KK70D1PAG | Microchip Technology | Description: DIODE MOD SIC SCHOTT 700V D1P Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: D1P Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 700 V | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC200A120D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC200A120D1PAG | Microchip Technology | Description: DIODE MOD SIC SCHOT 1200V D1P Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Supplier Device Package: D1P Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 1200 V | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC200A170D1PAG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC200A170D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC200A70D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC200A70D1PAG | Microchip Technology | Description: DIODE MODULE SIC 700V 200A D1P Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Supplier Device Package: D1P Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 700 V | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC200H120AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC200H170AG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide Schottky Supplier Device Package: SP6 Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 1.7 kV Current - Average Rectified (Io): 200 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 1700 V | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC200H170AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC200H70AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC200H70AG | Microchip Technology | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 700V 200A SP6 Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide Schottky Supplier Device Package: SP6 Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 700 V Current - Average Rectified (Io): 200 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 700 V | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC200KK120D1PAG | Microchip Technology | Description: DIODE MODULE SIC 1200V 200A D1P Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Supplier Device Package: D1P Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 1200 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC200KK120D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC200KK170D1PAG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC200KK170D1PAG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC200KK70D1PAG | Microchip Technology | Description: DIODE MODULE SIC 700V 200A D1P Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Supplier Device Package: D1P Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 700 V | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC200KK70D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC300A120AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC300A170AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC300A170AG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC300A70AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC300A70AG | Microchip Technology | Description: DIODE MOD SIC SCHOTT 700V SP6 Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: SP6 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 700 V | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC450A120AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC450A120AG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC450A170AG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC450A170AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC450A70AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC450A70AG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC50H1201AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC50H1201AG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC50H1701AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC50H1701AG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide Schottky Voltage - Peak Reverse (Max): 1.7 kV Current - Average Rectified (Io): 50 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1700 V | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC50H701AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC50H701AG | Microchip Technology | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 700V 50A Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide Schottky Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 700 V Current - Average Rectified (Io): 50 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 700 V | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC50X1201AG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Three Phase Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide Schottky Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV Current - Average Rectified (Io): 50 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC50X1201AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC50X1701AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC50X1701AG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Three Phase Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide Schottky Voltage - Peak Reverse (Max): 1.7 kV Current - Average Rectified (Io): 50 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1700 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC50X701AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC50X701AG | Microchip Technology | Description: BRIDGE RECT 3PHASE 700V 50A Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Three Phase Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide Schottky Voltage - Peak Reverse (Max): 700 V Current - Average Rectified (Io): 50 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 700 V | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC600A120AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC600A120AG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC600A170AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC600A170AG | Microchip Technology | Description: DIODE MODULE SIC 1700V 600A SP6C Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 600A Supplier Device Package: SP6C Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 600 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.4 mA @ 1700 V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC600A70AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC600A70AG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDD-12 | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: MSCDD-12=RELAY | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDR-EFUSE-001 | Microchip Technology | MSCDR-EFUSE-001 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDR-EFUSE-001 | Microchip Technology | Description: 400V10A SIC E-FUSE DEMONSTRATOR Packaging: Box Function: Electronic Fuses (eFuse) Type: Circuit Protection Contents: Board(s) Embedded: No | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDR-EFUSE-001 | Microchip Technology | Power Management IC Development Tools 400V10A SiC E-Fuse Demonstrator | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDR-EFUSE-001 | Microchip Technology | MSCDR-EFUSE-001 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDR-EFUSE-001 | Microchip Technology | MSCDR-EFUSE-001 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

