Продукція > MSC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MSCD102 | SUPERCHIP | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| MSCD104 | SUPERCHIP | на замовлення 32754 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| MSCD104H | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MSCD104SH | ZOWIE | SOD323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD106 | на замовлення 51000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MSCD120-08 | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE MODULE 800V 120A D1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 44 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD120-12 | Microsemi Corporation | Description: DIODE MODULE 1.2KV 120A D1 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD120-16 | MICROSEMI | SD1/120 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE MSCD120 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD120-16 | Microsemi Corporation | Description: DIODE MODULE 1.6KV 120A D1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD120-18 | Microsemi Corporation | Description: DIODE MODULE 1.8KV 120A D1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD16-4148 | 04+ DIP-40P | на замовлення 294 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| MSCD16-4150 | 04+ DIP-48P | на замовлення 163 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| MSCD165-08 | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE MODULE 800V 165A SD2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD165-12 | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE MODULE 1.2KV 165A SD2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD165-16 | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE MODULE 1.6KV 165A SD2 | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD165-16 | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - Diode | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD165-18 | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE MODULE 1.8KV 165A D2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD200-08 | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE MODULE 800V 200A SD2 | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD200-08 | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - Diode | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD200-12 | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - Diode | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD200-12 | Microsemi Corporation | Description: DIODE MODULE GP 1200V 200A SD2 Packaging: Bulk Package / Case: D2 Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Supplier Device Package: SD2 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 mA @ 1200 V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCD200-16 | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE MODULE 1.6KV 200A SD2 | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD200-16 | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - Diode | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD200-18 | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE MODULE 1.8KV 200A D2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD202 | ZOWIE | 09+ | на замовлення 2818 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD32-100KT 10 мкГн | --- | 10uH ±10% SMD Power Inductors Індуктивності | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD36-08 | Microsemi | Rectifiers Power Module - Diode | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD36-08 | Microsemi Corporation | Description: DIODE MODULE GP 800V 36A D1 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Supplier Device Package: D1 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 36A Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: D1 Packaging: Bulk | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCD36-12 | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE MODULE 1.2KV 36A D1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 56 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD36-12 | Microsemi | Rectifiers Power Module - Diode | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD36-16 | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE MODULE 1.6KV 36A D1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD36-18 | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE MODULE 1.8KV 36A D1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD43-2R2M | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MSCD43-470K | на замовлення 10500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MSCD54 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MSCD54-101K | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MSCD60-08 | Microsemi Corporation | Description: DIODE MODULE 800V 60A D1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD60-08 | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - Diode | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD60-12 | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - Diode | на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD60-12 | Microsemi Corporation | Description: DIODE MODULE GP 1200V 60A D1 Packaging: Bulk Package / Case: D1 Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: D1 Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD60-16 | Microsemi Corporation | Description: DIODE MODULE GP 1600V 60A D1 Packaging: Bulk Package / Case: D1 Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: D1 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 1600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD60-16 | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - Diode | на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD60-18 | Microsemi Corporation | Description: DIODE MODULE GP 1800V 60A D1 Packaging: Bulk Package / Case: D1 Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: D1 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 1800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD70-08 | Microsemi Corporation | Description: DIODE MODULE 800V 70A D1 Packaging: Bulk Package / Case: D1 Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A Supplier Device Package: D1 Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.48 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD70-12 | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE MODULE 1.2KV 70A D1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD70-16 | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE MODULE 1.6KV 70A D1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 49 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD70-18 | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE MODULE 1.8KV 70A D1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 44 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCD73-220K | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MSCDB-1305H-220M | на замовлення 233080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MSCDC100A120D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC100A120D1PAG | Microchip Technology | Description: DIODE MODULE SIC 1200V 100A D1P Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Box Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: D1P Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Series Connection | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC100A170D1PAG | Microchip Technology | Description: DIODE MODULE SIC 1700V 100A D1P Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: D1P Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Box | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC100A170D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC100A70D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC100A70D1PAG | Microchip Technology | Description: DIODE MODULE SIC 700V 100A D1P Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: D1P Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC100H120AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC100H170AG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC100H170AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC100H70AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC100KK120D1PAG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC100KK120D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC100KK170D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC100KK170D1PAG | Microchip Technology | Description: DIODE MOD SIC SCHOT 1700V D1P Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: D1P Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Box | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC100KK70D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC150A120D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC150A170D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC150A170D1PAG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC150A70D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC150KK120D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC150KK120D1PAG | Microchip Technology | Description: DIODE MODULE SIC 1200V 150A D1P Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: D1P Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 1200 V | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC150KK170D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC150KK170D1PAG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC150KK70D1PAG | Microchip Technology | Description: DIODE MOD SIC SCHOTT 700V D1P Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: D1P Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 700 V | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC150KK70D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC200A120D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC200A120D1PAG | Microchip Technology | Description: DIODE MOD SIC SCHOT 1200V D1P Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: D1P Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Box | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC200A170D1PAG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC200A170D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC200A70D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC200A70D1PAG | Microchip Technology | Description: DIODE MODULE SIC 700V 200A D1P Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Box Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: D1P | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC200H120AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC200H170AG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 200 A Current - Average Rectified (Io): 200 A Voltage - Peak Reverse (Max): 1.7 kV Part Status: Active Supplier Device Package: SP6 Technology: Silicon Carbide Schottky Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Diode Type: Single Phase Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 1700 V | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC200H170AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC200H70AG | Microchip Technology | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 700V 200A SP6 Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 200 A Current - Average Rectified (Io): 200 A Voltage - Peak Reverse (Max): 700 V Part Status: Active Supplier Device Package: SP6 Technology: Silicon Carbide Schottky Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Diode Type: Single Phase Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC200H70AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC200KK120D1PAG | Microchip Technology | Description: DIODE MODULE SIC 1200V 200A D1P Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Supplier Device Package: D1P Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 1200 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC200KK120D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC200KK170D1PAG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC200KK170D1PAG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC200KK70D1PAG | Microchip Technology | Description: DIODE MODULE SIC 700V 200A D1P Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Box Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: D1P Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC200KK70D1PAG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC300A120AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC300A170AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC300A170AG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC300A70AG | Microchip Technology | Description: DIODE MOD SIC SCHOTT 700V SP6 Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: SP6 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 700 V | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC300A70AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC450A120AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| MSCDC450A120AG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC450A170AG | Microchip Technology | Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| MSCDC450A170AG | Microchip Technology | Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

