Продукція > PBS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PBSS4041PT,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 2.7A 1100mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4041PT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4041PT,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2.7 A, 390 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 390mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2.7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4041PT,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 2.7A 1100mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041PT,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 2.7A; 390mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Power dissipation: 0.39W Collector current: 2.7A Pulsed collector current: 8A Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 35...300 Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 150MHz Polarisation: bipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041PT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 2.7A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.1 W Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 5550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4041PT,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 2.7A 1100mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4041PT-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT23 60V 2.7A PNP BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041PT-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS4041PT-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 390 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041PX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041PX,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 5A 2500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 58000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4041PX,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS4041PX/SOT89/MPT3 | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041PX,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 5A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041PX,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 5A 2500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 19500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4041PX,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 5A 2500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4041PX,115 Код товару: 60886
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| PBSS4041PX,115 | NXP | PNP, SOT-89 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041PX,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 5A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041PX,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 5A 2500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4041PX,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 5A 2500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041PX,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4041PX,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 600 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 600mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4041PX,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 5A 2500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4041PX-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS4041PX-Q/SOT89/MPT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041PX-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS4041PX-Q/SOT89/MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 600 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041PZ,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 5.7A 2600mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4041PZ,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 5.7A 2600mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041PZ,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4041PZ,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.7 A, 770 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 770mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 5.7A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 38293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4041PZ,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041PZ,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 5.7A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 285mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.6 W | на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4041PZ,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 5.7A 2600mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 1722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4041PZ,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 5.7A 2600mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 35398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4041PZ,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 5.7A 2600mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 1722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4041PZ,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4041PZ,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.7 A, 770 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5.7A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 770mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 39008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4041PZ,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 5.7A SOT-223 Power - Max: 2.6 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 5.7 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223 Frequency - Transition: 110MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 285mV @ 300mA, 6A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 14510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4041PZ,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 5.7A 2600mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 41000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4041PZ-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS4041PZ-Q/SOT223/SC-73 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 285mV @ 300mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 770 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041PZ-QX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 5.7A 2600mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041PZ-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT223 60V 5.7A PNP BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041SN | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041SN,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT Dual NPN 60V 6.7A 0.73W 130MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041SN,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2NPN 60V 6.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 2.3W Current - Collector (Ic) (Max): 6.7A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 350mA, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041SN,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 6.7A 2300mW 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041SP,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT Dual PNP -60V -5.9A 0.73W 110MHz | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041SP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP DUAL 60V 5.9A 8-SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 2.3W Current - Collector (Ic) (Max): 5.9A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041SP,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 60V 5.9A Automotive 8-Pin SO T/R | на замовлення 332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4041SPN | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PBSS4041SPN | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041SPN,115 Код товару: 128586
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| PBSS4041SPN,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4041SPN,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 60 V, 6.7 A, 2.3 W, 300 hFE, SOIC SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041SPN,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 6.7A/5.9A 2300mW 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041SPN,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN/PNP 60V 6.7A/5.9A 8-SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 2.3W Current - Collector (Ic) (Max): 6.7A, 5.9A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 350mA, 7A / 275mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 4A, 2V / 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz, 110MHz Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041SPN,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4041SPN,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 60 V, 6.7 A, 2.3 W, 300 hFE, SOIC Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 300 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.3 Bauform - Transistor: SOIC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN, PNP DC-Kollektorstrom: 6.7 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041SPN,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 6.7A/5.9A 2300mW 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4041SPN,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT Dual +/-60V +6.7A -5.9A 0.73W 130MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4112PAN,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS4112PAN/SOT1118/HUSON6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4112PAN,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2NPN 120V 1A 6HUSON Part Status: Active Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V Current - Collector (Ic) (Max): 1A Power - Max: 510mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4112PAN,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2NPN 120V 1A 6HUSON Part Status: Active Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V Current - Collector (Ic) (Max): 1A Power - Max: 510mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | на замовлення 608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4112PAN-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 120 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4112PAN-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS4112PAN-Q/SOT1118/HUSON6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4112PAN-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4112PAN-QX - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 1 A, 2 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Verlustleistung, NPN: 2W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4112PAN-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4112PAN-QX - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 1 A, 2 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 2W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4112PANP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN/PNP 120V 1A 6HUSON Part Status: Active Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V Current - Collector (Ic) (Max): 1A Power - Max: 510mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4112PANP,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 120V 1A 1450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4112PANP,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4112PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 120 V, 120 V, 1 A, 1 A, 510 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 510mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 30hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4112PANP,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 120V 1A 1450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4112PANP,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN/PNP SOT1118 120V | на замовлення 8367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4112PANP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN/PNP 120V 1A 6HUSON Current - Collector (Ic) (Max): 1A Power - Max: 510mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V | на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4112PANP,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 120V 1A 1450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4112PANP,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4112PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 120 V, 120 V, 1 A, 1 A, 510 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 510mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 30hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4112PANP,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 120V 1A 1450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4112PANP-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4112PANP-QX - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 120 V, 120 V, 1 A, 1 A, 2 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung, PNP: 2W usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 15hFE euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Verlustleistung, NPN: 2W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4112PANP-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 20 V; 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4112PANP-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4112PANP-QX - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 120 V, 120 V, 1 A, 1 A, 2 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 2W usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 15hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 2W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4112PANP-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS4112PANP-Q/SOT1118/HUSON6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 50mA, 1A / 480mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 100mA, 2V / 190 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz, 100MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4112PANP/S711X | Nexperia | PBSS4112PANP/S711X | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4120T | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4120T | PHILIPS | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4120T | Yangjie Electronic Technology | PBSS4120T | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4120T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 20V 1A TO-236AB Power - Max: 480 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4120T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4120T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 470hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4120T,215 | NXP | Trans GP BJT NPN 20V 1A 480mW Automotive 3-Pin SOT-23 PBSS4120T TPBSS4120T кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4120T,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 1A; 300mW; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.3W Collector current: 1A Pulsed collector current: 3A Collector-emitter voltage: 20V Current gain: 420...470 Frequency: 100MHz Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: bipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4120T,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4120T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 20V 1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 480 mW Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 2186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4120T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4120T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 470hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4120T,215 | NXP | Trans GP BJT NPN 20V 1A 480mW Automotive 3-Pin SOT-23 PBSS4120T TPBSS4120T кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 540 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4120T,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS4120T/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4120T-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS4120T-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: TO-236AB Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TA) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 300 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4120T-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS4120T-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: TO-236AB Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TA) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 300 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4120T/S500,215 | NXP USA Inc. | Description: PBSS4120T/S500,215 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4130PAN,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2NPN 30V 1A 6HUSON Part Status: Active Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Frequency - Transition: 165MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 50mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Current - Collector (Ic) (Max): 1A Power - Max: 510mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | на замовлення 2914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4130PAN,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4130PAN,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4130PAN,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4130PAN,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4130PAN,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 1 A, 2 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 2W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4130PAN,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS4130PAN/SOT1118/HUSON6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4130PAN,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4130PAN,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2NPN 30V 1A 6HUSON Part Status: Active Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Frequency - Transition: 165MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 50mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Current - Collector (Ic) (Max): 1A Power - Max: 510mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4130PAN,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |

