Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFR9220PBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
на замовлення 7810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRIR4
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 200V 3.6 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
828+17.06 грн
841+16.78 грн
855+16.52 грн
869+15.67 грн
1000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 828 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.32 грн
10+133.14 грн
100+95.86 грн
500+68.50 грн
1000+62.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.23 грн
107+133.11 грн
148+95.85 грн
500+68.09 грн
1000+62.42 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.90 грн
10+140.03 грн
100+96.82 грн
500+73.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF
Код товару: 166997
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+153.93 грн
10+115.36 грн
25+114.20 грн
100+72.63 грн
250+66.58 грн
500+48.95 грн
1000+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishayMOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp, TO-252-3 Транзистори
на замовлення 300 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 1.5Ω
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+138.57 грн
5+99.55 грн
10+86.85 грн
50+64.33 грн
100+57.56 грн
125+55.62 грн
250+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+155.03 грн
123+114.85 грн
138+102.74 грн
143+95.76 грн
250+80.20 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+70.01 грн
4000+63.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 1.5 Ом @ 2.2 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9220TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.75 грн
127+111.62 грн
188+75.32 грн
250+71.90 грн
500+50.99 грн
1000+41.80 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFInternational RectifierMOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp, TO-252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 4059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.90 грн
10+140.03 грн
100+96.82 грн
500+73.52 грн
1000+70.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 3121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.90 грн
10+140.03 грн
100+96.82 грн
500+73.52 грн
1000+70.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
на замовлення 7645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+70.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF-BE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.90 грн
10+140.03 грн
100+96.82 грн
500+73.52 грн
1000+70.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310SiliconixP-MOSFET 1,8A 400V 50W IRFR9310 TIRFR9310
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310
Код товару: 31820
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Id, А: 1,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 7 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 270/13
Монтаж: SMD
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+22.00 грн
10+19.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310SiliconixP-MOSFET 1,8A 400V 50W IRFR9310 TIRFR9310
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 4422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 513 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+106.66 грн
10+51.38 грн
75+43.85 грн
150+41.82 грн
375+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+108.40 грн
149+94.72 грн
152+93.41 грн
375+78.15 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 3133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.10 грн
10+105.29 грн
75+74.92 грн
150+63.34 грн
525+53.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 5120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.07 грн
11+74.55 грн
100+65.87 грн
500+57.24 грн
1000+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 13077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+72.06 грн
221+63.92 грн
500+57.78 грн
1000+52.47 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFIRFR9310PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 945 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+63.63 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.81 грн
11+72.06 грн
100+63.92 грн
500+55.72 грн
1000+48.59 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+155.44 грн
10+93.47 грн
100+76.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+54.93 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TR
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.10 грн
10+105.29 грн
50+79.87 грн
100+67.27 грн
500+53.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 13684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 400V 1.8A P-CH MOSFET
на замовлення 18152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRFR9310TRLPBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.10 грн
10+105.29 грн
50+79.87 грн
100+67.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRFR9310TRLPBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRFR9310 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+64.28 грн
222+63.83 грн
239+59.10 грн
250+56.42 грн
500+51.29 грн
1000+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.92 грн
12+64.28 грн
25+63.83 грн
100+56.99 грн
250+52.24 грн
500+49.24 грн
1000+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishayP-CH 400V 1.8A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 12901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -400V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 7Ω
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+141.30 грн
5+105.14 грн
10+92.10 грн
50+66.87 грн
100+59.09 грн
500+46.73 грн
1000+43.17 грн
2000+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+137.24 грн
142+99.72 грн
161+88.11 грн
500+67.13 грн
1000+57.41 грн
2000+51.71 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.10 грн
10+105.29 грн
50+79.87 грн
100+67.27 грн
500+53.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs TO252 400V 1.8A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9920
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20D
Код товару: 31144
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DIR07+ TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 380mOhms 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DPBF
Код товару: 132758
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRLPBFInfineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]