Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFRC20PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
на замовлення 4571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 600V 2A N-CH
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.19 грн
23+33.45 грн
100+32.98 грн
500+31.14 грн
1000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 4.4Ω
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+104.53 грн
10+46.94 грн
75+39.75 грн
150+37.91 грн
525+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
422+33.45 грн
428+32.98 грн
500+32.29 грн
1000+30.45 грн
Мінімальне замовлення: 422 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBFVishay SiliconixDPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 600V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 8749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.67 грн
10+104.61 грн
100+71.62 грн
500+53.95 грн
1000+53.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRVishay SiliconixDPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFRC20TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.18 грн
10+156.80 грн
100+107.03 грн
500+82.75 грн
1000+76.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 600V 2.0 Amp
на замовлення 7212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+71.69 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFRC20TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+156.80 грн
132+107.03 грн
500+85.82 грн
1000+82.12 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 600V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 4783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.49 грн
10+81.18 грн
100+59.71 грн
500+53.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFRC20TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.81 грн
4000+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+55.48 грн
8000+50.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.50 грн
10+59.34 грн
100+57.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 600V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.81 грн
4000+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF
Код товару: 40234
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
1+29.00 грн
10+25.60 грн
100+22.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+34.25 грн
4000+33.93 грн
6000+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+34.31 грн
4000+33.98 грн
6000+33.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.47 грн
4000+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 600V 2A N-CH
на замовлення 14855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.47 грн
4000+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.37 грн
10+58.67 грн
100+57.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRO24NTR-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 25A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR024N; IRFR024NTRL; IRFR024NTR; IRFR024NTRR; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980; IRFR024NTR-CN CHIPNOBO TIRFR024 CNB
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRQ9220TRPBF
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-040.6-NONC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.6MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2338.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-040.6-PONC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.6MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2338.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-040.8-NONC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2338.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-040.8-PONC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2338.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-050.8-NNWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2224.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-050.8-NNWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2224.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-050.8-NOWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2224.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-050.8-NOWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2224.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-050.8-PNWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2224.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-050.8-PNWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2224.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-050.8-POWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2224.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-050.8-POWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
Part Status: Active
Indicator: LED
Ingress Protection: IP67
Sensor Type: Inductive
Material - Body: Polyamide (PA), Stainless Steel
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Shielding: Unshielded
Sensing Distance: 0.031" (0.8mm)
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Package / Case: Cylinder, Threaded - M5
Packaging: Bulk
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2307.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-0501-NNWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2224.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-0501-NNWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2224.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-0501-NOWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2224.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-0501-NOWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2224.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-0501-PNWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
Part Status: Active
Indicator: LED
Ingress Protection: IP67
Sensor Type: Inductive
Material - Body: Polyamide (PA), Stainless Steel
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Termination Style: Cable Leads
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Shielding: Unshielded
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Output Type: PNP-NC, 3-Wire
Package / Case: Cylinder, Threaded - M5
Packaging: Bulk
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2307.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-0501-PNWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2224.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-0501-POWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2224.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS-0501-POWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2224.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50AVishayN-MOSFET 500V 11A 170W IRFS11N50A TIRFS11N50A
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+116.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50AVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFS11N50APBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50ASiliconixN-MOSFET 500V 11A 170W IRFS11N50A TIRFS11N50A
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+116.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50A(94-2401)
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+315.07 грн
49+291.71 грн
83+170.91 грн
100+151.52 грн
500+125.40 грн
1000+105.78 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+171.99 грн
91+156.62 грн
150+133.34 грн
525+122.75 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.21 грн
75+156.83 грн
150+133.52 грн
525+122.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.26 грн
19+40.12 грн
75+39.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+236.10 грн
5+138.07 грн
10+130.54 грн
50+113.80 грн
100+112.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+249.86 грн
60+236.22 грн
91+155.34 грн
100+139.67 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+155.10 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+193.49 грн
91+155.98 грн
100+142.20 грн
500+124.04 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+164.86 грн
88+160.48 грн
89+158.87 грн
90+151.67 грн
101+125.40 грн
500+97.22 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFS11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 7215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+239.72 грн
68+208.10 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+123.72 грн
150+123.43 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.57 грн
75+123.72 грн
150+123.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.12 грн
75+122.49 грн
150+111.50 грн
525+89.96 грн
1050+83.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50ATRLIR01+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50ATRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50ATRLPVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50ATRLPVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 11 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50ATRLPVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.80 грн
10+182.03 грн
100+127.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50ATRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50ATRRPVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 11 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50ATRRPVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50ATRRPVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS140AON Semiconductor / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS150AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]