Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFS3006TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 168A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8850 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+138.30 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+204.87 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+126.93 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 253600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+263.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 33600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+204.87 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS3006TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+126.56 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+204.87 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+263.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.42 грн
10+207.82 грн
25+170.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 168A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8850 pF @ 50 V
на замовлення 4395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.84 грн
10+196.03 грн
100+160.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+224.85 грн
68+207.92 грн
100+202.27 грн
200+175.76 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 38400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+263.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS3006TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+214.50 грн
75+188.16 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+205.59 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+453.18 грн
10+304.44 грн
25+302.00 грн
100+162.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS3006TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2500 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+211.68 грн
500+199.92 грн
1000+189.34 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+280.91 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+453.18 грн
47+302.00 грн
100+162.84 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+113.07 грн
1600+101.80 грн
2400+98.19 грн
4000+90.90 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+178.98 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+222.61 грн
66+214.14 грн
100+206.86 грн
250+193.42 грн
500+174.22 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+175.79 грн
1600+171.82 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 488000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+211.68 грн
500+199.92 грн
1000+189.34 грн
10000+171.23 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+218.31 грн
73+194.32 грн
100+187.13 грн
200+179.29 грн
500+155.29 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+252.84 грн
66+216.38 грн
100+215.21 грн
200+200.72 грн
500+172.20 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS3006TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2500 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+174.33 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+201.59 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+195.95 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
на замовлення 4503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.26 грн
10+197.39 грн
100+139.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+175.56 грн
1600+171.59 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107
Код товару: 99507
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 190 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,1 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 9200/160
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+91.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107-7PPBF
Код товару: 35899
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK-7 (TO-263-7)
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+125.00 грн
10+121.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107-7PPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS3107-7PPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 260 A, 0.0021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 260
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 370
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 370
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107-7PPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 75V 240A D2PAK-7 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 160A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+567.68 грн
10+514.15 грн
25+480.94 грн
100+446.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107-7PPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 2.6mOhms 160nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+673.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107PBFInfineon TechnologiesMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 160nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS3107PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 230 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 230
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 370
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35
Verlustleistung: 370
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3mOhm; 230A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRFS3107, IRFS3107TRL; IRFS3107 TIRFS3107
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+231.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS3107TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 260 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+205.40 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
на замовлення 5160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.68 грн
10+261.18 грн
100+187.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+252.84 грн
500+238.73 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+495.80 грн
50+352.80 грн
100+347.16 грн
200+255.83 грн
500+221.76 грн
800+208.86 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS3107TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 260 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+205.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+154.78 грн
1600+140.08 грн
2400+139.49 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+252.84 грн
500+238.73 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+495.80 грн
50+352.80 грн
100+347.16 грн
200+255.83 грн
500+224.28 грн
800+208.86 грн
1600+176.16 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PPInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 260A 2.6mOhm 160nC
на замовлення 3759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+421.48 грн
51+278.48 грн
100+272.83 грн
500+188.70 грн
800+154.56 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS3107TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+210.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V
на замовлення 8842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.05 грн
10+238.73 грн
100+170.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+210.31 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC Qg
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS3107TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+206.98 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+179.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+149.01 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+179.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20D
Код товару: 126396
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DHRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DHRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.49 грн
10+236.05 грн
25+233.69 грн
100+223.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 31 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2370 @ 25, Qg, нКл = 107 @ 10 В, Rds = 82 мОм @ 18 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DPBFInternational RectifierD2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DPBFJSMicroD2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 200V SINGLE N-CH 82mOhms 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLPINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 31A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLPInternational RectifierD2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLPInternational RectifierN-MOSFET 31A 200V 3,1W IRFS31N20D TIRFS31N20D
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+61.48 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLPInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLP (D2-PAK)
Код товару: 160050
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRRPInfineon / IRMOSFET 200V SINGLE N-CH 82mOhms 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRRPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20NS
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]