Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+165.23 грн
1600+156.62 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+248.37 грн
78+182.52 грн
100+176.87 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+135.32 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+123.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+126.72 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+106.59 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.09 грн
10+123.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+132.55 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+156.61 грн
4800+143.11 грн
9600+133.15 грн
14400+121.10 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+110.94 грн
1600+99.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+133.33 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+165.03 грн
1600+156.42 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+278.48 грн
69+206.98 грн
100+201.33 грн
500+154.22 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRRPInfineon / IRMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 54mOhms 60nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRRPInfineon
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRRPBFIR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010
Код товару: 99512
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 130 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,3 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 9830/150
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+139.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010-7P
Код товару: 99513
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK-7 (TO-263-7)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 130 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,3 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 9830/150
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+139.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010-7PInfineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010-7PPBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010-7PPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 190A 4.0mOhm 150nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9830 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010PBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 4.7mOhms 143nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010PBFInternational RectifierD2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLimportN-MOSFET 180A 100V 375W Substitute: IRFS4010TRL; IRFS4010-GURT; IRFS4010; IRFS4010TRR; IRFS4010 TIRFS4010
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLJGSEMITransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4mOhm; 150A; 312W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFS4010; IRFS4010TRL; IRFS4010TRR; SP001578304; SP001550124; SP001576222; IRFS4010TRL JGSEMI TIRFS4010 JGS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+61.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+313.29 грн
50+301.06 грн
100+234.26 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4010TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9830 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PPInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PPInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 190A 4.0mOhm 150nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PP
Код товару: 142952
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4010TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9830 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 46064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.47 грн
500+135.24 грн
1000+128.18 грн
10000+115.67 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 92800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+111.56 грн
1600+111.21 грн
2400+110.64 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+93.81 грн
1600+84.22 грн
2400+81.11 грн
4000+73.37 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC Qg
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+114.69 грн
1600+113.55 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+130.64 грн
1600+119.49 грн
2400+117.44 грн
4000+109.59 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.47 грн
500+135.24 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+337.75 грн
64+221.09 грн
100+185.34 грн
500+148.78 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+194.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+293.62 грн
65+219.86 грн
108+131.70 грн
800+122.15 грн
1600+110.35 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+112.99 грн
1600+105.87 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
на замовлення 5897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.34 грн
10+166.66 грн
100+116.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+130.32 грн
1600+119.20 грн
2400+117.16 грн
4000+109.32 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020PBFInfineon / IRMOSFET 200V 1 N-CH DIGITAL AUDIO HEXFET SWITCH
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; D2PAK
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 100W
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 200V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4020TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+76.80 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs Aud MOSFT 200V 18A 105mOhm 18nC Qg
на замовлення 5876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+77.16 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4020TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+207.92 грн
105+135.48 грн
112+127.01 грн
200+90.72 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115
Код товару: 99514
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Idd, А: 105 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 10 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5320/73
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+110.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115-7PInternational RectifierN-MOSFET 105A 150V 380W IRFS4115-7P TIRFS4115-7P
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+203.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115-7P
Код товару: 99515
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK-7 (TO-263-7)
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Idd, А: 105 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 10 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5320/73
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+125.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 12.1mOhms 77nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115PBFInfineonMOSFET N-CH 150V 195A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+137.77 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+221.09 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 105A 11.8mOhm 73nC Qg
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+221.09 грн
500+209.33 грн
1000+197.57 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInfineon
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+372.63 грн
57+250.89 грн
100+191.80 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+221.09 грн
500+209.33 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4115TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0118 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 41638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+221.09 грн
500+209.33 грн
1000+197.57 грн
10000+179.17 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+221.09 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+221.09 грн
500+209.33 грн
1000+197.57 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+221.09 грн
500+209.33 грн
1000+197.57 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInfineonMOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-7 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+372.63 грн
10+250.89 грн
100+191.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+221.09 грн
500+209.33 грн
1000+197.57 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4115TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0118 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInfineonMOSFET N-CH 150V 195A D2PAK-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+181.13 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+407.58 грн
37+390.07 грн
50+375.21 грн
100+349.54 грн
250+313.82 грн
500+293.08 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.88 грн
10+189.86 грн
100+132.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+189.34 грн
500+170.52 грн
1000+157.58 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Id = 195 A, Ptot, Вт = 375, Udss, В = 150, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 5270 @ 50, Qg, нКл = 120 @ 10 В, Rds = 12.1 мОм @ 62 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]