Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+129.94 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+293.68 грн
51+282.49 грн
100+272.91 грн
250+255.18 грн
500+229.85 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+188.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+96.04 грн
1600+74.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 3123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.95 грн
10+164.91 грн
100+114.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 31200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+94.82 грн
2400+94.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+173.18 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+262.71 грн
75+189.00 грн
100+180.50 грн
500+130.92 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+93.40 грн
1600+92.59 грн
2400+91.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+127.75 грн
1600+76.65 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4228PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4228TRLPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4228TRLPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4228TRLPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229PBF
Код товару: 145099
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229PBFInfineon TechnologiesMOSFET 250V 1 N-CH HEXFET PDP SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg
на замовлення 5023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+337.27 грн
10+207.98 грн
100+131.97 грн
500+128.48 грн
800+105.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+179.55 грн
500+170.10 грн
1000+160.65 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+102.65 грн
1600+97.54 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+140.39 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+445.45 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+148.27 грн
250+134.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.79 грн
10+250.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+203.91 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineonMOSFET N-CH 250V 45A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+201.98 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+324.23 грн
10+219.96 грн
50+189.81 грн
100+148.27 грн
250+134.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.87 грн
10+184.12 грн
100+130.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+140.57 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+266.99 грн
500+198.19 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 45A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 45A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ir
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310HRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.03 грн
25+137.02 грн
100+96.39 грн
500+89.30 грн
1000+79.31 грн
2500+73.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310PBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 170nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310PBFIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+155.59 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+203.18 грн
500+194.91 грн
1000+184.28 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
на замовлення 4525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+325.86 грн
10+223.24 грн
25+192.72 грн
100+135.47 грн
800+113.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+155.54 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4310TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.007 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+154.96 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+194.91 грн
500+185.46 грн
1000+174.82 грн
10000+158.33 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+407.30 грн
53+269.32 грн
100+204.12 грн
200+184.07 грн
500+159.47 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBFInfineonMOSFET N-CH 100V 130A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4310TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.007 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+344.60 грн
10+229.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZInfineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310Z
Код товару: 99516
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6860/120
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+256.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 120nC
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.84 грн
10+146.64 грн
50+127.90 грн
100+100.61 грн
250+90.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+124.35 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+70.52 грн
1600+63.02 грн
2400+60.53 грн
4000+54.18 грн
5600+52.63 грн
8000+52.57 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+243.81 грн
90+157.82 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.61 грн
250+90.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+85.41 грн
2400+70.19 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
на замовлення 8854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.60 грн
10+128.83 грн
100+88.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.85 грн
10+130.09 грн
100+83.79 грн
500+71.22 грн
800+59.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321-7PInfineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321-7PPBFInfineon / IRMOSFET TRENCH MOSFET - PACKAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321PBFInfineon
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4321PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 83
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 330
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 71nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+179.59 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+101.16 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 34A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+200.81 грн
500+190.18 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4321TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 86 A, 0.0117 ohm, TO-263CB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+134.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+101.27 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 34A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+200.81 грн
500+190.18 грн
1000+179.55 грн
10000+162.89 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4321TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 86 A, 0.0117 ohm, TO-263CB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-263CB
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0117ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.78 грн
10+184.11 грн
25+164.56 грн
100+134.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.56 грн
10+139.20 грн
25+136.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRL7PPInfineon TechnologiesMOSFET MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.29 грн
10+210.39 грн
25+180.85 грн
100+180.16 грн
250+140.35 грн
500+131.97 грн
800+121.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.48 грн
500+139.39 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]