Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFS4115TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+106.72 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.27 грн
10+227.60 грн
100+129.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+122.01 грн
1600+120.79 грн
2400+119.59 грн
4000+105.21 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 70A; Idm: 396A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg
на замовлення 12790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+189.34 грн
500+170.52 грн
1000+157.58 грн
10000+134.95 грн
100000+104.82 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInfineonMOSFET N-CH 150V 195A D2PAK-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+181.13 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+407.58 грн
37+390.07 грн
50+375.21 грн
100+349.54 грн
250+313.82 грн
500+293.08 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127PBF
Код товару: 99017
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 72 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 18,6 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5380/100
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+82.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127PBFInfineon TechnologiesMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRL IRFS4127International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 22mOhm; 72A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRFS4127, IRFS4127TRL IRFS4127 TIRFS4127
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+119.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+116.04 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+119.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4127TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+97.38 грн
1600+87.48 грн
2400+84.28 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+119.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+121.93 грн
1600+120.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.53 грн
500+143.47 грн
1000+135.24 грн
10000+122.47 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4127TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+122.99 грн
1600+121.75 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+385.65 грн
39+369.09 грн
50+355.02 грн
100+330.73 грн
250+296.94 грн
500+277.30 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.94 грн
10+172.23 грн
100+120.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+170.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.53 грн
500+143.47 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF
Код товару: 147925
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS41N15DIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS41N15DHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS41N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS41N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 11550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.06 грн
500+121.13 грн
1000+111.28 грн
10000+95.66 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS41N15DPBFInfineon / IRMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 72nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS41N15DTRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS41N15DTRLPInternational RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS41N15DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS41N15DTRLPInfineon / IRMOSFET MOSFT 150V 41A 45mOhm 72nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS41N15DTRLPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS41N15DTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS41N15DTRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227IR
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 26mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 62 А, Ptot, Вт = 330, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 4600 @ 25, Qg, нКл = 98 @ 10 В, Rds = 26 мОм @ 46 A, 10 В, Tексп, °C = -40...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227PBFInfineonIRFS4227PBF IRFS4227TRLPBF MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 26mOhm; 62A; 330W; -40°C ~ 175°C; IRFS4227, IRFS4227TRL IRFS4227 TIRFS4227
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+103.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+172.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+261.54 грн
75+188.16 грн
100+179.69 грн
500+130.34 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+92.99 грн
1600+92.18 грн
2400+91.26 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+127.18 грн
1600+76.31 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+329.68 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+94.24 грн
2400+93.92 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+131.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.61 грн
10+198.89 грн
100+140.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+94.33 грн
2400+94.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+94.21 грн
2400+93.93 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+129.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+292.37 грн
51+281.23 грн
100+271.69 грн
250+254.04 грн
500+228.82 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+187.16 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+95.61 грн
1600+73.75 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+114.02 грн
1600+102.67 грн
2400+99.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 31200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+94.40 грн
2400+93.99 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4228PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4228TRLPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4228TRLPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4228TRLPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229PBF
Код товару: 145099
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229PBFInfineon TechnologiesMOSFET 250V 1 N-CH HEXFET PDP SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineonMOSFET N-CH 250V 45A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+325.52 грн
10+237.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 45A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 45A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+410.67 грн
51+278.02 грн
100+203.59 грн
500+193.80 грн
800+150.81 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+178.75 грн
500+169.34 грн
1000+159.94 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+168.46 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.52 грн
10+201.46 грн
100+142.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+167.59 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+431.49 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+410.67 грн
10+278.02 грн
100+203.59 грн
500+193.80 грн
800+150.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+115.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ir
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310HRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.96 грн
25+136.42 грн
100+95.96 грн
500+88.91 грн
1000+78.96 грн
2500+73.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310PBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 170nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310PBFIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+154.27 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]