Продукція > AFT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AFT09MS015NT1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT09MS015NT1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V PLD-1.5W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 870MHz Power - Output: 16W Gain: 17.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Part Status: Active Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 12.5 V Current - Test: 100 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT09MS015NT1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 40V 3-Pin PLD-1.5W T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT09MS031GNR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MV9 800MHZ13.6V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT09MS031GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270BA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 870MHz Power - Output: 31W Gain: 17.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Part Status: Active Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 13.6 V Current - Test: 500 mA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AFT09MS031GNR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 40V 3-Pin TO-270 GULL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT09MS031GNR1 | NXP | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 317W; TO270G-2; Pout: 31W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 317W Case: TO270G-2 Kind of package: reel; tape Frequency: 870MHz Kind of channel: enhancement Output power: 31W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17.2dB Efficiency: 71% | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT09MS031GNR1 | NXP | Description: NXP - AFT09MS031GNR1 - RF FET, 40V, 150DEG C, 317W tariffCode: 85412900 MSL: MSL 3 - 168 hours productTraceability: No rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT09MS031GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2 Current - Test: 500 mA Voltage - Test: 13.6 V Voltage - Rated: 40 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Technology: LDMOS Gain: 17.2dB Power - Output: 31W Frequency: 870MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-270BA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AFT09MS031GNR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 40V 3-Pin TO-270 GULL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT09MS031NR1 | NXP | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 317W; TO270-2; Pout: 31W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 317W Case: TO270-2 Kind of package: reel; tape Frequency: 870MHz Kind of channel: enhancement Output power: 31W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17.2dB Efficiency: 71% | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT09MS031NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270AA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 870MHz Power - Output: 31W Gain: 17.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 Part Status: Active Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 13.6 V Current - Test: 500 mA | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AFT09MS031NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 40V 3-Pin TO-270 T/R | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AFT09MS031NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270AA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 870MHz Power - Output: 31W Gain: 17.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 Part Status: Active Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 13.6 V Current - Test: 500 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT09MS031NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 40V 3-Pin TO-270 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT09MS031NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MV9 800MHZ 13.6V | на замовлення 221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AFT09MS031NR1528 | NXP USA Inc. | Description: RF POWER LDMOS TRANSISTOR | на замовлення 1139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 31 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT09S200W02GNR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-780-2G Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 960MHz Power - Output: 56W Gain: 19.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-780-2 Gull Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 70 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.4 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT09S200W02GNR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT09S200W02NR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT09S200W02NR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-780-2 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 960MHz Power - Output: 56W Gain: 19.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-780-2 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 70 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.4 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT09S200W02S | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 716-960 MHz, 41 W Avg., 28 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT09S200W02SR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 716-960 MHz, 41 W Avg., 28 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT09S200W02SR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 4W PLD Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT09S220-02NR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-780-2 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 920MHz Power - Output: 54W Gain: 19.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-780-2 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 70 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.4 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT09S220-02NR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors HV9 900MHz 30W OM780-2L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT09S282NR3 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 70V 3-Pin OM-780 EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AFT09S282NR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors HV9 900MHZ 80W OM780-2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT09S282NR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-780-2 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 960MHz Power - Output: 80W Gain: 20dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-780-2 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 70 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.4 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT09S282NR3 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 70V 3-Pin OM-780 EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT09S282NR3 REEL | Freescale Semiconductor | Description: AFT09S282NR3 REEL Frequency: 720MHz ~ 960MHz Mounting Type: Surface Mount Current Rating (Amps): 10µA Package / Case: OM-780-2 Packaging: Bulk Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 70 V Part Status: Active Supplier Device Package: OM-780-2 Technology: LDMOS Gain: 20dB Power - Output: 80W Current - Test: 1.4 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT14A903A | Alps Alpine | Description: HAPTIC REACTOR 3V Usage: Motor Accessory Type: AC Line Reactor Specifications: 3V, 8Ohm Part Status: Active Packaging: Tray | на замовлення 736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AFT14A903A | Alps Alpine | AFT14A903A | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AFT14A903A | Alps Alpine | Solenoids & Actuators HAPTIC Reactor Hybrid Tough Type | на замовлення 835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AFT16V8BQL-15PI | на замовлення 328 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AFT18H356-24SR6 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230-4 Current - Test: 1.1 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L Gain: 15dB Power - Output: 63W Frequency: 1.88GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230-4LS2L Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT18H356-24SR6 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin NI-1230 T/R | на замовлення 203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AFT18H356-24SR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors AF HIP NI1230-4L2L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT18H357-24NR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM1230-42 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-1230-4L2L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.81GHz Configuration: Dual Power - Output: 63W Gain: 17.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-1230-4L2L Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 800 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT18H357-24NR6 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors 1805-1995 MHz, 63 W AVG., 28 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT18H357-24SR6 | NXP USA Inc. | Description: RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT18H357-24SR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 1805-1995 MHz 63 W AVG. 28 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT18HW355SR5 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230 Packaging: Bulk Package / Case: NI-1230S Frequency: 1.88GHz Configuration: Dual Power - Output: 63W Gain: 15.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230S Part Status: Active Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.1 A | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AFT18HW355SR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.88GHz Configuration: Dual Power - Output: 63W Gain: 15.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230S Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.1 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT18HW355SR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AFT18HW355SR5,178 | NXP USA Inc. | Description: RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT18HW355SR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230 Current - Test: 1.1 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-1230S Technology: LDMOS Gain: 15.2dB Power - Output: 63W Configuration: Dual Frequency: 1.88GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230S Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT18P350-4S2LR6 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin NI-1230 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT18P350-4S2LR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230-4LS2L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.81GHz Configuration: Dual Power - Output: 63W Gain: 16.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT18P350-4S2LR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors AIRFAST 1.8-2.0GHZ C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT18S230-12NR3 | NXP Semiconductors | RF POWER LDMOS TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT18S230-12NR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: IC TRANS RF LDMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT18S230-12NR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 1805--1880 MHz, 50 W AVG., 28 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT18S230SR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.88GHz Power - Output: 50W Gain: 19dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.8 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT18S230SR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors AF 1.8GHZ 230W NI780S-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT18S230SR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors AF 1.8GHZ 230W NI780S-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT18S230SR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Bulk Package / Case: NI-780S-6 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.88GHz Power - Output: 50W Gain: 19dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S-6 Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.8 A | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AFT18S230SR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin NI-780S T/R | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AFT18S230SR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Current - Test: 1.8 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NI-780S-6 Technology: LDMOS Gain: 19dB Power - Output: 50W Frequency: 1.88GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: NI-780S-6 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AFT18S230SR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S-6 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.88GHz Power - Output: 50W Gain: 19dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S-6 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.8 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT18S260W31GSR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 50 W Avg. 28 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT18S260W31GSR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: IC TRANS RF LDMOS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT18S260W31SR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 50 W Avg. 28 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT18S260W31SR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: IC TRANS RF LDMOS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT18S290-13SR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors AF1 1.8GHZ NI-880X-2L4S | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT18S290-13SR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI-880XS-2 Current - Test: 2 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-880XS-2L4S Technology: LDMOS Gain: 18.2dB Power - Output: 63W Frequency: 1.96GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-880XS-2L4S Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT18S290-13SR3 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin NI-880XS T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT20P060-4GNR3 | NXP | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 450mA 2.17GHz 18.9dB 6.3W OM-780G-4L Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT20P060-4GNR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 1805-2170 MHz 6.3 W Avg. 28 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT20P060-4GNR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780G-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-780G-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.17GHz Configuration: Dual Power - Output: 6.3W Gain: 18.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-780G-4L Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 450 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT20P060-4NR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors AF1 2GHz 60W OM780-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT20P060-4NR3 | NXP Semiconductors | Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-4 Packaging: Bulk Package / Case: OM-780-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.17GHz Configuration: 2 N-Channel Power - Output: 60W Gain: 18.9dB Technology: LDMOS (Dual) Supplier Device Package: OM-780-4L Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 450 mA | на замовлення 1730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AFT20P140-4WGNR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 1880-2025 MHz 24 W Avg. 28 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT20P140-4WGNR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780G-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-780G-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.88GHz ~ 1.91GHz Configuration: Dual Power - Output: 24W Gain: 17.8dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-780G-4L Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 500 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT20P140-4WNR3 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 65V 5-Pin OM-780 T/R | на замовлення 616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AFT20P140-4WNR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors HV9 2GHz 24W OM780-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT20P140-4WNR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-780-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.88GHz ~ 1.91GHz Configuration: Dual Power - Output: 24W Gain: 17.8dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-780-4L Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 500 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT20P140-4WNR3 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 65V 5-Pin OM-780 T/R | на замовлення 579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AFT20P140-4WNR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-4 Packaging: Bulk Package / Case: OM-780-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.88GHz ~ 1.91GHz Configuration: Dual Power - Output: 24W Gain: 17.8dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-780-4L Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 500 mA | на замовлення 10560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AFT20S015GNR1 | NXP | Description: NXP - AFT20S015GNR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2.7GHz Betriebsfrequenz, min.: 1.805GHz euEccn: NLR Verlustleistung: 11W Bauform - Transistor: TO-270G Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: AFT20S015GN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AFT20S015GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Technology: LDMOS Gain: 17.6dB Power - Output: 1.5W Frequency: 2.17GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-270BA Packaging: Cut Tape (CT) Current - Test: 132 mA | на замовлення 626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AFT20S015GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Power - Output: 1.5W Frequency: 2.17GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-270BA Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Technology: LDMOS Gain: 17.6dB Current - Test: 132 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT20S015GNR1 | NXP | Description: NXP - AFT20S015GNR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2.7GHz Betriebsfrequenz, min.: 1.805GHz euEccn: NLR Verlustleistung: 11W Bauform - Transistor: TO-270G Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: AFT20S015GN productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AFT20S015GNR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 65V 3-Pin TO-270 GULL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT20S015GNR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors AF 1.8-2.7G 15W TO270-2G | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT20S015NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270AA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.17GHz Power - Output: 1.5W Gain: 17.6dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 132 mA | на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AFT20S015NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 65V 3-Pin TO-270 T/R | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT20S015NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors AF 1.8-2.7G 15W TO270-2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT20S015NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270AA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.17GHz Power - Output: 1.5W Gain: 17.6dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 132 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT20S015NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 65V 3-Pin TO-270 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT21H350W03SR6 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin NI-1230S T/R | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AFT21H350W03SR6 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 65V 2.11GHZ NI1230S Current - Test: 750 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NI-1230S Technology: LDMOS Gain: 16.4dB Power - Output: 63W Frequency: 2.11GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230S Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT21H350W03SR6 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin NI-1230S T/R | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AFT21H350W03SR6 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin NI-1230S T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT21H350W03SR6 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 65V 2.11GHZ NI1230S Current - Test: 750 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NI-1230S Technology: LDMOS Gain: 16.4dB Power - Output: 63W Frequency: 2.11GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230S Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT21H350W04GSR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230 Current - Test: 750 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-1230S-4 GULL Technology: LDMOS Gain: 16.4dB Power - Output: 63W Frequency: 2.11GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230S-4 GW Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT21S140W02GSR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT21S140W02GSR3 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780GS-2L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.14GHz Power - Output: 32W Gain: 19.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780GS-2L Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 800 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT21S140W02SR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.14GHz Power - Output: 32W Gain: 19.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 800 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AFT21S140W02SR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

