Продукція > BSP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSP109 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP10TCQ | CIT Relay and Switch | Description: SWITCH PB SPST-NO 3A 120V Packaging: Bulk Current Rating (Amps): 3A (AC/DC) Mounting Type: Through Hole Circuit: SPST-NO Type: Standard Switch Function: Off-Mom Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: PC Pin Actuator Type: Round, Plunger Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Color - Actuator/Cap: Black Actuator Marking: No Marking Part Status: Active Voltage Rating - AC: 120 V Voltage Rating - DC: 28 V | на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP110 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP110,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP110,115 | Nexperia | MOSFET TAPE-7 MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP110,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP1109-05H1.7 | BeStar Technologies, Inc. | Description: BUZZER PIEZO 5V 11X9MM SMD Input Type: Peak-Peak Signal Current - Supply: 1mA Sound Pressure Level (SPL): 70dB @ 5V, 10cm Operating Temperature: -20°C ~ 70°C Frequency: 4.1kHz Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.433" L x 0.354" W (11.00mm x 9.00mm) Packaging: Box Voltage - Rated: 5 V Part Status: Active Height - Seated (Max): 0.067" (1.70mm) Driver Circuitry: Transducer, Externally Driven Port Location: Top Termination: Solder Tabs Technology: Piezo Voltage Range: 1 ~ 25V Operating Mode: Single Tone | на замовлення 1814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP1109-05H1.7 LF | BeStar Electronics | Audio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 4.5mA 5Vp-p 70dB 3600Hz to 4600Hz Surface Mount Solder Pad T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP120 | BROADFIX | Description: BROADFIX - BSP120 - BROADFIX FLAT PACKERS 120 PER BAG MIXED tariffCode: 83024200 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP120 | PH | 09+ | на замовлення 32430 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP121 | PH | 09+ | на замовлення 18318 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP1212-03H03-01 LF | BeStar Electronics | Audio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP1212-03H03-06 | BeStar Technologies, Inc. | Description: 12X12 MM PIEZOELECTRIC BUZZER Frequency: 4 kHz Part Status: Active Termination: Solder Pads Voltage - Input (Max): 3V p-p Capacitance @ Frequency: 16000pF @ 120Hz Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: Standard Size / Dimension: 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm) Packaging: Box | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP1212-03H03-06 LF | BESTAR | Case: SMD; Frequency: 4000Hz; Sound pressure: 75dB; Dimensions: 12.2/12/3.1 mm; Voltage: 3 V BSP1212-03H03-06 LF FHD PBBSP1212-03H03-06 LF кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP1212-03H03-06 LF | BeStar Electronics | Audio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP1212-03H03-06 LF | BeStar Electronics | Audio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP1212-05H2.5 LF | BeStar Electronics | Audio Sounder Piezo 1Vp-p 25Vp-p 3mA 5Vp-p 78dB Surface Mount Solder Pad T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP122 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP122 | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP122,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 14855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP122,115 | Infineon | MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP122,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP122,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP122,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP122,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SC73; SOT223 Polarisation: unipolar Drain current: 0.55A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.5W Gate-source voltage: ±2V On-state resistance: 2.5Ω Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 200V | на замовлення 65 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP122,115 | Nexperia | MOSFETs BSP122/SOT223/SC-73 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP122,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP122,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) FET Type: N-Channel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP122,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP122,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP122T/R | PHILIPS | O6 TO223 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP123 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP123 | INFLNEON | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP123 L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 370mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP123E6327T | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4 Grade: Automotive Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 370mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP123L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 370mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP124 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP125 Код товару: 25351
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSP125 | INFINEON | TO-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP125 E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) FET Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP125 E6327 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP125 E6433 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP125 E6433 | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP125 H6327 | Infineon | MOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP125 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | на замовлення 5718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP125 H6433 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | на замовлення 1509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP125 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP125 L6433 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP125-L6327 | Infineon | N-MOSFET 0.12A 600V 1.8W 45Ω BSP125 TBSP125 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP125H6327 | Infineon technologies | на замовлення 77 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSP125H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Case: SOT223 Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain current: 0.12A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45Ω Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V | на замовлення 745 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 103000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP125H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm | на замовлення 3450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 103000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP125H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm | на замовлення 3450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | на замовлення 4097 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP125H6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm | на замовлення 7930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 29 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | на замовлення 10917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP125H6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm | на замовлення 7930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP125L6327 | Infineon technologies | на замовлення 1190 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSP125L6327 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Bulk Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP125L6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.12A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP125L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP125L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 343141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP125L6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP125L6327HTSA1 - BSP125 250V-600V SMALL SIGNALOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP125L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 343141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP125L6433 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | на замовлення 211159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP125L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP125L6433HTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP125L6433HTMA1 - BSP125 250V-600V SMALL SIGNALOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 88000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP125L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 130700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP125L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 22359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP126 | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP126 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP126,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP126,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | на замовлення 51225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP126,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SC73; SOT223 Polarisation: unipolar Drain current: 0.375A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.5W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 250V | на замовлення 259 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP126,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP126,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP126,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 5156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP126,115 | Nexperia | MOSFETs BSP126/SOT223/SC-73 | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP126,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP126,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP126,135 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP126,135 | Nexperia | MOSFETs BSP126/SOT223/SC-73 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP126,135 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP126,135 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP126,135 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP126,135 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSP126/S911,115 | NXP Semiconductors | BSP126/S911,115 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

