Продукція > FQP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQP15P12ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP15P12 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP15P12onsemiDescription: MOSFET P-CH 120V 15A TO220-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP15P12onsemi / FairchildMOSFETs 120V P-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP15P12ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 120V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N15Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 16.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 4866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+62.05 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.80 грн
10+105.81 грн
100+85.74 грн
500+72.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP16N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.18 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 142
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 142
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.68 грн
10+96.91 грн
100+80.45 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25onsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel QFET
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.56 грн
10+127.02 грн
100+88.36 грн
500+73.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10A; Idm: 64A; 142W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 142W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 64A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
On-state resistance: 0.23Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 10A
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25ConsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25C-F105Fairchild SemiconductorDescription: FQP16N25 - POWER FIELD-EFFECT TR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25C-F105onsemiDescription: FQP16N25 - POWER FIELD-EFFECT TR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N08ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP17N08 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N08ON SemiconductorFQP17N08
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
842+42.14 грн
1000+38.85 грн
Мінімальне замовлення: 842 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 8.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N08onsemiMOSFETs 80V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N08Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 8.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
888+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 888 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N08LON SemiconductorFQP17N08L
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.58 грн
1000+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N08LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+32.87 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N08LONSEMIDescription: ONSEMI - FQP17N08L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
782+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 782 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N08LON SemiconductorFQP17N08L
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.58 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N08LonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N08Lonsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Channel QFET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.20 грн
50+116.35 грн
100+105.29 грн
500+80.59 грн
1000+74.74 грн
2000+70.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N40
Код товару: 43558
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP17N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 16 A, 0.27 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 16
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N40onsemiMOSFETs 400V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06onsemiMOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 14922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.38 грн
10+101.62 грн
100+67.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+121.39 грн
129+110.57 грн
133+106.62 грн
500+84.64 грн
1000+70.73 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06ONSEMICategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.97 грн
10+84.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.30 грн
50+83.61 грн
100+75.23 грн
500+56.82 грн
1000+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06
Код товару: 126278
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.57 грн
50+111.65 грн
100+107.66 грн
500+85.46 грн
1000+71.42 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP17P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 17 A, 0.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.34 грн
10+82.96 грн
100+78.93 грн
500+66.56 грн
1000+60.61 грн
5000+59.37 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06TUFAIRCHILDTO-220 04+
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06_Qonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P10onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 16.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 5828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.89 грн
50+70.02 грн
100+62.80 грн
500+47.07 грн
1000+43.26 грн
2000+40.05 грн
5000+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P10onsemiMOSFETs 100V P-Channel QFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P10ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 16.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P10ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 16.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP18N20V2Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP18N50
Код товару: 118942
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP18N50V2FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP18N50V2Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+330.68 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP18N50V2ONS/FAIN-кан. MOSFET 500V, 18A, TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP18N50V2onsemi / FairchildMOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP18N50V2_Qonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N10
на замовлення 9080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N10LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20Fairchild
на замовлення 6855 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20onsemiMOSFETs 200V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 19.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20
Код товару: 35440
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 200 V
Струм стоку Idd, A: 19,4 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1220/31
Монтаж: THT
у наявності: 3 шт
  • 3 шт - склад
1+72.00 грн
10+64.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20 /FSCFSC08+;
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20-TonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
375+94.72 грн
500+85.24 грн
Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20ConsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20CONSEMIDescription: ONSEMI - FQP19N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 139W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.53 грн
10+102.29 грн
100+72.97 грн
500+54.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20Consemi / FairchildMOSFETs 200V N-Channel Advance Q-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20CTSTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20C_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20C_Qonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20LonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP1N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 1.4A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP1N60Fairchild
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP1N60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1.2A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP1N60onsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP1N60Consemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP1P50
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP1P50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 500V 1.5A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP20N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.23 грн
11+77.72 грн
100+68.22 грн
500+47.41 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+72.66 грн
212+66.88 грн
222+64.03 грн
236+58.01 грн
1000+51.54 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.48 грн
11+72.66 грн
25+66.88 грн
50+61.75 грн
100+53.71 грн
1000+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06LFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 70mOhm; 21A; 53W; -55°C ~ 175°C; FQP20N06L TFQP20n06l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.03 грн
50+61.12 грн
100+54.72 грн
500+40.81 грн
1000+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.29 грн
10+79.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06L
Код товару: 114280
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06Lonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06LONSEMIDescription: ONSEMI - FQP20N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 53
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.70 грн
10+109.53 грн
100+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06TSTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06TSTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06_Qonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP22N30ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP22N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+268.20 грн
10+206.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP22N30ONS/FAIMOSFET N-CH 300V 21A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP22N30onsemi / FairchildMOSFETs 300V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP22N30onsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 21A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]