Продукція > FQP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQP14N30ON Semiconductor / FairchildMOSFET 300V N-Channel QFET
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP14N30onsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 14.4A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP15P12onsemiDescription: MOSFET P-CH 120V 15A TO220-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP15P12ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP15P12 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP15P12ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 120V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP15P12onsemi / FairchildMOSFETs 120V P-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP15P12ONSEMICategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -120V; -10.6A; Idm: -60A; 100W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -120V
Drain current: -10.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N15Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 16.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 4866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+62.62 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25onsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel QFET
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10A; Idm: 64A; 142W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10A
Power dissipation: 142W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 64A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.43 грн
10+96.69 грн
100+80.27 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP16N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.18 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 142
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 142
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.53 грн
10+105.58 грн
100+85.55 грн
500+72.17 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25CFAIRCHILDFQP16N25C
на замовлення 18181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.86 грн
500+135.54 грн
1000+124.93 грн
10000+107.65 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25ConsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25C-F105onsemiDescription: FQP16N25 - POWER FIELD-EFFECT TR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25C-F105Fairchild SemiconductorDescription: FQP16N25 - POWER FIELD-EFFECT TR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N08Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 8.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+36.83 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N08ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP17N08 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N08onsemiMOSFETs 80V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N08FAIRCHILDFQP17N08
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
842+42.04 грн
1000+38.76 грн
Мінімальне замовлення: 842 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 8.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N08Lonsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Channel QFET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N08LON SemiconductorFQP17N08L
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.45 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N08LonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N08LON SemiconductorFQP17N08L
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.45 грн
1000+52.98 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N08LONSEMIDescription: ONSEMI - FQP17N08L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 782 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N40
Код товару: 43558
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP17N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 16 A, 0.27 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 16
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17N40onsemiMOSFETs 400V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+98.53 грн
151+93.91 грн
500+84.27 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06
Код товару: 126278
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP17P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 17 A, 0.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 3728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.55 грн
50+76.14 грн
100+73.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06onsemiMOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 14512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+121.80 грн
250+115.51 грн
500+111.84 грн
1000+105.33 грн
2500+95.72 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.01 грн
10+126.80 грн
50+96.96 грн
100+81.97 грн
500+66.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.73 грн
10+96.20 грн
50+94.65 грн
100+88.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+98.53 грн
100+93.91 грн
500+84.27 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06ONSEMICategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+170.70 грн
5+118.25 грн
10+97.28 грн
50+83.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+82.65 грн
185+76.49 грн
186+76.07 грн
187+73.17 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06TUFAIRCHILDTO-220 04+
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06_Qonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P10onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 16.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P10ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 16.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P10onsemiMOSFETs 100V P-Channel QFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P10ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 16.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP18N20V2onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP18N50
Код товару: 118942
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP18N50V2onsemi / FairchildMOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP18N50V2Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+366.63 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP18N50V2FAIRCHILDFQP18N50V2
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+469.09 грн
100+445.52 грн
500+421.95 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP18N50V2ONS/FAIN-кан. MOSFET 500V, 18A, TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP18N50V2onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP18N50V2_Qonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N10onsemiMOSFETs 100V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N10
на замовлення 9080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N10LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20Fairchild
на замовлення 6855 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20
Код товару: 35440
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 19,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,15 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1220/31
Монтаж: THT
у наявності: 3 шт
  • 3 шт - склад
1+72.00 грн
10+64.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 19.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20onsemiMOSFETs 200V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20 /FSCFSC08+;
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20-TonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20Consemi / FairchildMOSFETs 200V N-Channel Advance Q-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20CONSEMIDescription: ONSEMI - FQP19N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 139W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20ConsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20CTSTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20C_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20C_Qonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP19N20LonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP1N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 1.4A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP1N60Fairchild
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP1N60onsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP1N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1.2A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP1N60Consemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP1P50onsemiDescription: MOSFET P-CH 500V 1.5A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP1P50
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP20N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+72.50 грн
212+66.73 грн
222+63.89 грн
236+57.88 грн
1000+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.29 грн
11+72.50 грн
25+66.73 грн
50+61.61 грн
100+53.59 грн
1000+49.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.98 грн
10+79.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06LFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 70mOhm; 21A; 53W; -55°C ~ 175°C; FQP20N06L TFQP20n06l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06Lonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.25 грн
50+61.68 грн
100+55.23 грн
500+41.19 грн
1000+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06L
Код товару: 114280
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP20N06LONSEMIDescription: ONSEMI - FQP20N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 53
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.