Продукція > FS5
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FS50R06KE3BOSA1 | Infineon Technologies | Description: FS50R06 - IGBT MODULE Packaging: Bulk | на замовлення 664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R06KE3BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 70A 190W 28-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R06KE3BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 600 V, 50 A sixpack IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R06KE3BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 600V 70A AG-ECONO2B Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 190 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 70 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: AG-ECONO2B NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Full Bridge Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R06W1E3 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 600V 70A | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R06W1E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 70A 205W 21-Pin EASY1B-2 Tray | на замовлення 1056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R06W1E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 70A 205W 21-Pin EASY1B-2 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R06W1E3B11BOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FS50R06W1E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 70 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V IGBT-Anschluss: Einpressmontage Verlustleistung: 205W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 70A Produktpalette: EasyPACK Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Sechserpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R06W1E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 600V 70A 205W MODULE Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 205 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Part Status: Active IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Configuration: Three Phase Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R06W1E3BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 70A 205W 21-Pin EASY1B-1 Tray | на замовлення 577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R06W1E3BOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FS50R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 70 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 205W Verlustleistung: 205W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Dauerkollektorstrom: 70A Produktpalette: EasyPack Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 70A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R06W1E3BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R06W1E3BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 70A 205W 21-Pin EASY1B-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R06W1E3BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 600V 70A 205W MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 205 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 95 pF @ 25 V | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R06W1E3BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 70A 205W 21-Pin EASY1B-1 Tray | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R06W1E3BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 70A 205W 21-Pin EASY1B-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 50A 600V | на замовлення 242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R06XL4 | EUPEC | MODULE | на замовлення 229 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R06YE3 | EUPEC | MODULE | на замовлення 5200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R06YE3 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 600V 60A | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R06YE3BOMA1 | Infineon Technologies | LOW POWER EASY | на замовлення 999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R06YE3BOMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - FS50R06YE3BOMA1 - FS50R06YE3 - LOW POWER EASY tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R06YL4 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 600V 55A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R06YL4 | EUPEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FS50R06YL4BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 600V 55A 202W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R07N2E4 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 190 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Part Status: Active IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Three Phase Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | на замовлення 858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R07N2E4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 50A 650V | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R07N2E4B11BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 650V 70A 190W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 190 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R07N2E4B11BOSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - FS50R07N2E4B11BOSA1 - FS50R07 - IGBT MODULE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R07N2E4BOSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - FS50R07N2E4BOSA1 - FS50R07 - IGBT MODULE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R07N2E4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 70A 190W 28-Pin ECONO2-6 Tray | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R07N2E4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 70A 190W 28-Pin ECONO2-6 Tray | на замовлення 858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R07N2E4_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 50A 650V | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R07N2E4_B11 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE Package / Case: Module Packaging: Bulk Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 190 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Part Status: Active IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Three Phase Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount | на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R07U1E4 | Infineon Technologies | IGBT Modules | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R07W1E3B11ABOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 70A 205W Automotive 21-Pin EASY1B-3 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R07W1E3B11ABOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULES Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 205 W Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R07W1E3B11ABOMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules N | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R07W1E3B11ABOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FS50R07W1E3B11ABOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 70 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 205W Verlustleistung: 205W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 70A Produktpalette: EasyPACK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: No usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 70A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R07W1E3_B11A | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY PACK SI | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12E3 | EUPEC | MODULE | на замовлення 87 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12IE3 | EUPEC | MODULE | на замовлення 207 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12KE3 Код товару: 30481
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT УКТЗЕД: 8541 29 00 10 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FS50R12KE3 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 50A 3-PHASE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 75A 270W MOD Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: NPT Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 270 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 270W 28-Pin ECONO2-6 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12KE3BOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FS50R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 75 A, 1.7 V, 270 W, 150 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Dauer-Kollektorstrom: 75 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 270 Verlustleistung: 270 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: EconoPACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] DC-Kollektorstrom: 75 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 270W 28-Pin ECONO2-6 Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 270W 28-Pin ECONO2-6 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 75A 270W MOD Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 270 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 270W 28-Pin ECONO2-6 Tray | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12KE3BOSA1 Код товару: 179171
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FS50R12KE3BOSA1 FS50R12KE3 | Infineon | Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12KE3BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 270W 28-Pin ECONO2B Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12KE3BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 270W 28-Pin ECONO2B Tray | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12KE3BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-311 Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 270 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Supplier Device Package: AG-ECONO2B NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Configuration: Full Bridge Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12KE3BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 270W 28-Pin ECONO2B Tray | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12KE3BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 270W 28-Pin ECONO2B Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12KE3BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 270W 28-Pin ECONO2B Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12KE3BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 270W 28-Pin ECONO2B Tray | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12KE3BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FS50R12KE3BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 75 A, 1.7 V, 270 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 270W euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 75A Produktpalette: EconoPACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12KE3BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 50 A sixpack IGBT module | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12KE3BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 270W 28-Pin ECONO2B Tray | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12KE3 | EUPEC IGBT | 50a1200v | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12KT3 | Infineon | Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12KT3 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 75A | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12KT3 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FS50R12KT3BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 28-Pin ECONO2-6 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12KT3BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 75A 280W | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12KT3BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 50 A sixpack IGBT module | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12KT3BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 28-Pin ECONO2B Tray | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12KT3BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-311 Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 280 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Part Status: Active IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: AG-ECONO2B NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Configuration: Full Bridge Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12KT3BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FS50R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 75 A, 1.7 V, 280 W, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 280W euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 75A Produktpalette: EconoPACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12KT3BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 28-Pin ECONO2B Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12KT4 | Infineon | Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12KT4B11BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W MOD Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 280 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Configuration: Full Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12KT4B11BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 25-Pin ECONO2-6 Tray | на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12KT4B11BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 280 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12KT4B11BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 25-Pin ECONO2-6 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12KT4B11BPSA1 | Infineon Technologies | Sixpack IGBT Module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12KT4B15BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12KT4B15BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 28-Pin ECONO2-6 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12KT4B15BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 28-Pin ECONO2-6 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12KT4B15BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FS50R12KT4B15BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.85 V, 280 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 280W euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 50A Produktpalette: EconoPACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 50A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12KT4B15BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 28-Pin ECONO2B Tray | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12KT4B15BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 28-Pin ECONO2B Tray | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12KT4B15BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 28-Pin ECONO2B Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12KT4B15BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 50 A sixpack IGBT module | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12KT4B15BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411 Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 280 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Part Status: Active IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: AG-ECONO2B NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Three Phase Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12KT4B15BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 28-Pin ECONO2B Tray | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12KT4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Easy PACK IGBT module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12KT4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 100A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12KT4P_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 50 A sixpack IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12KT4_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 50A | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12KT4_B15 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 50A | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12N2T7B15BPSA2 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 50A AG-ECONO2B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONO2B IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12N2T7B15BPSA2 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 50 A sixpack IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FS50R12N2T7B15BPSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - FS50R12N2T7B15BPSA2 - IGBT-Modul, Sechserpack, 50 A, 1.5 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 50A Produktpalette: EconoPACK 2 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 50A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FS50R12N2T7B15BPSA2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 28-Pin ECONO2B Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. |

