Продукція > IPB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB013N06NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 60V; 198A; 300W; D2PAK,TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Gate charge: 203nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 198A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 1.3mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N10NM8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPB013N10NM8ATMA1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+411.50 грн
10+264.48 грн
50+207.97 грн
100+178.10 грн
500+161.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N10NM8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPB013N10NM8ATMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N10NM8ATMA1Infineon Technologies OptiMOS 8 power MOSFET 100 V Normal Level in D2PAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.80 грн
14+57.90 грн
25+57.72 грн
100+53.31 грн
250+48.50 грн
500+42.14 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+80.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.41 грн
10+151.11 грн
50+116.04 грн
100+98.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 40V; 188W; D2PAK,TO263
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 1.03mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 188W
Gate charge: 159nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB014N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 191 A, 0.00103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+80.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+83.80 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+57.90 грн
246+57.72 грн
256+55.28 грн
261+52.38 грн
500+43.90 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB014N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 191 A, 0.00103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.07 грн
10+265.46 грн
50+208.94 грн
100+179.02 грн
500+163.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+275.08 грн
10+215.53 грн
20+188.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+176.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB014N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+383.76 грн
50+296.07 грн
200+269.67 грн
500+196.39 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+145.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+412.37 грн
49+288.92 грн
50+286.41 грн
100+204.62 грн
500+165.54 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+385.46 грн
10+277.40 грн
25+275.14 грн
100+194.57 грн
250+178.39 грн
500+162.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+154.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+411.66 грн
10+288.43 грн
50+285.92 грн
100+204.28 грн
500+165.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB014N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+145.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+385.46 грн
51+277.40 грн
52+275.14 грн
100+194.57 грн
250+178.39 грн
500+162.12 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+176.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NE8197ATMA1Infineon TechnologiesIPB014N06NE8197ATMA1
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+368.91 грн
102+350.05 грн
500+332.37 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+160.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N08NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB014N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.88 грн
10+240.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04N
Код товару: 62499
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04N GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04N GInfineonN-channel, 40V, 120A, 1.5mOhm Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGUMWDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGUMWDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+38.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+186.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+186.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+195.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+113.60 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 2087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+305.15 грн
78+182.10 грн
79+180.25 грн
109+126.05 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+367.73 грн
50+288.51 грн
100+263.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+226.81 грн
14400+208.26 грн
21600+194.79 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+115.18 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.50 грн
10+245.15 грн
50+192.33 грн
100+164.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5InfineonMOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+300.73 грн
3000+300.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB015N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+537.70 грн
10+350.60 грн
50+279.15 грн
100+240.40 грн
500+232.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+304.90 грн
3000+304.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+328.32 грн
10+313.23 грн
25+298.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-2
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+658.85 грн
37+392.56 грн
100+362.05 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+210.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+295.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+295.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB015N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+657.72 грн
10+391.88 грн
100+361.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+328.32 грн
46+313.23 грн
48+298.05 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
на замовлення 997 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+360.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1InfineonMOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+195.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+164.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB016N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V
на замовлення 5465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.12 грн
10+250.89 грн
50+196.88 грн
100+168.44 грн
500+151.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+360.70 грн
52+273.20 грн
54+266.78 грн
100+201.44 грн
500+176.55 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+185.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.69 грн
10+175.66 грн
25+174.63 грн
100+165.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 1.6mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1InfineonMOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+349.44 грн
58+245.90 грн
100+197.87 грн
500+179.10 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+186.69 грн
81+174.63 грн
100+165.21 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+144.62 грн
3000+131.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.