Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 12 16 20 24 28 32 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB014N06NATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+272.56 грн
10+213.56 грн
20+186.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB014N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.05 грн
10+221.48 грн
50+189.27 грн
200+145.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+145.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.73 грн
10+265.95 грн
100+167.75 грн
500+139.45 грн
1000+129.78 грн
2000+124.95 грн
5000+113.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+114.81 грн
2000+103.73 грн
3000+101.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+384.62 грн
50+296.73 грн
200+270.27 грн
500+196.83 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NE8197ATMA1Infineon TechnologiesIPB014N06NE8197ATMA1
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+369.73 грн
102+350.83 грн
500+333.11 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.96 грн
10+364.40 грн
100+256.81 грн
500+227.81 грн
1000+201.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+370.45 грн
10+238.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04N
Код товару: 62499
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04N GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+310.08 грн
10+256.43 грн
25+210.55 грн
100+180.18 грн
250+169.82 грн
500+160.85 грн
1000+136.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04N GInfineonN-channel, 40V, 120A, 1.5mOhm Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGUMWDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGUMWDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+36.16 грн
1600+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+187.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+196.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.84 грн
10+216.36 грн
100+154.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+186.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+386.59 грн
10+253.25 грн
100+157.40 грн
500+131.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.20 грн
10+173.07 грн
100+109.07 грн
500+91.12 грн
800+84.91 грн
2400+79.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.88 грн
10+100.67 грн
100+85.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.19 грн
10+154.36 грн
100+107.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5InfineonMOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+200.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-2
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+583.91 грн
10+405.68 грн
100+285.11 грн
500+253.36 грн
1000+224.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB015N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+264.98 грн
500+237.07 грн
1000+204.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+357.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+532.77 грн
10+346.94 грн
100+252.96 грн
500+222.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB015N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+515.45 грн
10+345.52 грн
100+264.98 грн
500+237.07 грн
1000+204.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1InfineonMOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+384.17 грн
10+248.49 грн
100+161.54 грн
500+135.31 грн
1000+124.95 грн
2000+118.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+347.82 грн
10+244.76 грн
100+196.95 грн
500+178.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB016N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.05 грн
10+215.85 грн
100+166.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+167.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+113.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+170.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+165.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1InfineonMOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+186.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+375.32 грн
10+207.21 грн
100+144.97 грн
500+126.33 грн
1000+124.95 грн
2000+116.67 грн
5000+105.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.96 грн
10+152.62 грн
25+151.01 грн
100+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB016N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+136.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+350.22 грн
58+246.45 грн
100+198.31 грн
500+179.50 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+163.96 грн
93+152.62 грн
94+151.01 грн
100+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+314.54 грн
10+200.58 грн
100+142.50 грн
500+125.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.94 грн
10+218.30 грн
100+155.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+329.41 грн
10+227.05 грн
100+146.35 грн
500+131.16 грн
800+118.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+126.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB017N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+268.20 грн
10+175.58 грн
100+132.09 грн
500+100.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
на замовлення 5663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.99 грн
10+194.67 грн
100+137.96 грн
500+120.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 5482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.20 грн
10+173.07 грн
100+110.45 грн
500+91.12 грн
1000+85.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+108.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3GXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+444.58 грн
10+335.82 грн
100+236.10 грн
500+211.24 грн
1000+185.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+499.35 грн
10+332.64 грн
100+209.86 грн
500+198.82 грн
1000+185.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+362.43 грн
100+312.49 грн
500+272.22 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.00 грн
10+293.46 грн
100+215.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+425.97 грн
5+231.01 грн
10+211.07 грн
25+193.62 грн
50+184.47 грн
100+177.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+390.62 грн
10+310.88 грн
100+257.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5Infineon
на замовлення 987 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+778.51 грн
25+742.56 грн
50+712.68 грн
100+663.00 грн
250+594.84 грн
500+555.41 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5InfineonMOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+570.31 грн
39+364.01 грн
100+275.93 грн
250+250.85 грн
500+214.08 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+462.30 грн
10+310.08 грн
50+267.39 грн
200+208.66 грн
500+179.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+196.98 грн
2000+178.99 грн
3000+173.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+245.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+244.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-2
на замовлення 25981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+506.60 грн
10+334.23 грн
100+233.34 грн
500+207.10 грн
1000+184.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+522.58 грн
40+355.51 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+352.26 грн
68000+323.44 грн
102000+302.52 грн
136000+276.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+310.08 грн
50+267.39 грн
200+208.66 грн
500+179.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.01 грн
10+335.12 грн
100+242.07 грн
500+189.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+290.59 грн
500+275.23 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+570.31 грн
10+367.60 грн
25+364.01 грн
100+275.93 грн
250+250.85 грн
500+214.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFInfineonMOSFET N-CH 100V D2PAK-7 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 12270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+574.25 грн
10+378.69 грн
100+265.09 грн
500+235.41 грн
1000+208.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 12 16 20 24 28 32 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]