Продукція > LSI

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
LSI53C1030TLSILOGICBGA
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1030T-A0LSI
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1030T-A2INTELBGA
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1030T-C0LSI
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1030T-E1-A2/62070A1LSI LogicEPBGA 456/LSI53C1030T REV A.2 (LEAD-FREE) PCI-X TO DUAL CHANNEL U320 TARGET 62070
кількість в упаковці: 24 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C120LSILOGIC2000
на замовлення 7041 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C120B1LSILOGIC
на замовлення 7041 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C140LSI03+ QFP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C141CONEXANTQFP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C1510
на замовлення 852 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C180LSILOGIC0052+
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C180 C1LSIBGA
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C180-C1
на замовлення 632 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C180C1N/A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C180C1YLSI2004
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C180YLSI
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C320/62030D1LSI LogicPBGA 272/LSI53C320 U320 BUS EXPANDER 53C320 LSI62074A1
кількість в упаковці: 40 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C320/62074A1LSI LogicPBGA 272/LSI53C320 (LEAD-FREE) U320 BUS EXPANDER 53C320 LSI62030D1
кількість в упаковці: 40 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C710LSI99+ QFP
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C720LSIQFP
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C770LFPLSIQFP
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C80S
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C810AE
на замовлення 508 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C825ALSI
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C875LSI0424+ PQFP-160
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C875ALSI03+ QFP
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C875JLSI04+ MQFP208
на замовлення 768 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C875JBELSIBGA169
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C875YLSILOGIC2001
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C876LSIQFP160
на замовлення 384 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C876-208QFPLSILOGIC01+ BGA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C885LSI
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C895LSI
на замовлення 504 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C895-208QFPLSILOGIC5
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C895A BOQFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C895A-208QFP
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C895A208QFPLSI
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C896
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53C896-328BGALSILOGIC
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53CF92ALSI
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53CF96-2LSI99+
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI53CU98LSA0631LSI0515+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI5512VA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI62N02LSI LOGIC87+
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI64005MOT03+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI64108MOT03+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI64363C1
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI64364A1
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI64712A0LSI9904+
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI64733MAXIMQFP
на замовлення 771 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI65073B1-004(L64060C)LSIQFP176
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI65181A1LSILOGICBGA
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI68042A1LSILOGIG2002
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI69207A1QFP
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI7240
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI80225LSIPLCC44
на замовлення 387 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI8101D
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSI901PCLSI
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0080IXYSSiC MOSFETs 1200V 80mOhm SiC MOSFET
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0080Littelfuse Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 800 V
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1509.63 грн
30+1022.20 грн
120+948.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0080LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0080LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC1MO120E0080 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0080LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0080
Код товару: 138007
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1016.16 грн
15+985.52 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120LittelfuseMOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1016.16 грн
10+985.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120
Код товару: 183409
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 1200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 120 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1130/63
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120IXYSMOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0120Littelfuse Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7mA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1224.32 грн
30+954.25 грн
120+898.11 грн
510+763.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0160LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0160Littelfuse Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+616.86 грн
30+498.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0160SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0160LittelfuseMOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0160LittelfuseTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120E0160IXYSSiC MOSFETs 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0025IXYSSiC MOSFETs TO247 1.2KV 70A N-CH SIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0025LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 70A; Idm: 200A; 500W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 25mΩ
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 500W
Gate charge: 265nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0025Littelfuse Inc.Description: MOSFET SIC 1200V 70A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0040LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - LSIC1MO120G0040 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: LSIC1MO120 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0040LITTELFUSECategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 357W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 357W
Gate charge: 175nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0040MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0040LittelfuseMOSFET SIC MOSFET 1200V 80MO
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0040Littelfuse Inc.Description: MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 317 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0040IXYSSiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 40mO TO247-4L
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0040Littelfuse1200 V, 40m Ohm N-Channel SiC MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0080Littelfuse Inc.Description: MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0080MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0080LittelfuseMOSFET 1200 V, 80 mOhm N-Channel SiC MOSFET (TO247-4L)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0120LittelfuseMOSFET 1200 V, 120 mOhm N-Channel SiC MOSFET (TO247-4L)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0120Littelfuse Inc.Description: MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0160LittelfuseMOSFET SIC MOSFET 1200V 160MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120G0160Littelfuse Inc.Description: MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120T0080-TULITTELFUSECategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; TO263-7
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Drain current: 39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 80mΩ
Gate charge: 95nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120T0120-TULITTELFUSECategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; TO263-7
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Drain current: 27A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.12Ω
Gate charge: 80nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120T0120-TULittelfuseSiC MOSFETs 1200V/120mohm SiC MOSFET TO-263-7L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO120T0160-TULITTELFUSECategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 22A; TO263-7
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 57nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO170E0750IXYSSiC MOSFETs TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO170E0750LittelfuseMOSFET SIC MOSFET 1700V 750MO
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC1MO170E0750Littelfuse Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+551.81 грн
30+312.05 грн
120+264.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.