Продукція > NDT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NDT3055L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT3055L | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDT3055L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm | на замовлення 55600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT3055L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT3055L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V | на замовлення 35846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT3055L | ON-Semiconductor | N-MOSFET 4A 60V 0.1Ω NDT3055L smd TNDT3055l кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 166 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT3055L | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDT3055L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm | на замовлення 55600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT3055L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT3055L | onsemi | MOSFETs SOT-223 N-CH LOGIC | на замовлення 41601 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT3055L Код товару: 216835
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NDT3055L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT3055L | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - NDT3055L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm | на замовлення 4908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT3055L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 16450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT3055L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT3055L | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4A Power dissipation: 3W Case: SOT223 On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 20nC Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 4595 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT3055L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT3055L | ONS/FAI | Транзистор MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Транзистори | на замовлення 1 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT3055L | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDT3055L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT3055L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT3055L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT3055L | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - NDT3055L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm | на замовлення 4908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT3055L-NL | Fairchild | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NDT3055L-NL************ | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDT3055LTF | на замовлення 65200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDT3055L_NL | FSC | 07+; | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT3055L_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs SOT-223 N-CH LOGIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT3055_NL | FAIRCHIL | 07+ SIP | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT410 | на замовлення 40950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDT410EL | FAI | SOT-223 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT410EL-NL | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDT431AN | на замовлення 470 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDT439 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDT451A | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDT451AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT451AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT451AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT451AN | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Supplier Device Package: SOT-223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | на замовлення 40194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT451AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT451AN | onsemi | MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode | на замовлення 5440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT451AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT451AN | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4 Supplier Device Package: SOT-223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT451AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT451AN | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDT451AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.2 A, 0.035 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 1.1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm | на замовлення 5039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT451AN-NL | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDT451AN-NL********** | на замовлення 57500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDT451AN. | на замовлення 34000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDT451AN/451 | FAIR | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NDT451AN/451A | на замовлення 22500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDT451AN_J23Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT451AN_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT451N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A SOT-223-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: SOT-223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT451N | FAI | SOT-223 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT451N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A SOT-223-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: SOT-223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT451N-NL | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDT451N. | на замовлення 54000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDT452A | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDT452AD | на замовлення 1107 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDT452AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT452AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT452AP Код товару: 36888
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NDT452AP | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm | на замовлення 4906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT452AP | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5A Power dissipation: 3W Case: SOT223 On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 2273 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT452AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT452AP | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm | на замовлення 25574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT452AP | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 49961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT452AP | Fairchild/ON Semiconductor | P-канальный ПТ (Vds=30V, Id=5A, P=3W , Rds=0.065R).... Транзистори Корпус: SOT-223 Очікується: 62 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT452AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT452AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT452AP | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm | на замовлення 4906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT452AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT452AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT452AP | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm | на замовлення 25574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT452AP | onsemi / Fairchild | MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode | на замовлення 21513 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT452AP | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT452AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT452AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NDT452AP************ | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDT452AP-NL | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDT452AP/452A | FAIRCHILD | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NDT452P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT-223-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT452P | FAI | 07+ SOT-223 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT452P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT-223-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT453 | на замовлення 153 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDT453N | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 8A SOT-223-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT453N | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 8A SOT-223-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT453N | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 8A SOT-223-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT453N | FAIRCHILD | SOT-223 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT453N-NL | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDT453N-NL************ | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDT453N/453 | NS | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NDT454 | на замовлення 994 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDT454P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223 | на замовлення 69074000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT454P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT454P | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode | на замовлення 1342 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT454P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223 | на замовлення 69074000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT454P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT454P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223 | на замовлення 40004000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NDT454P-NL | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDT454P-NL************ | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NDT454P/454 | FAIRCHILD | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NDT454P_NL | FAIRCHIL | 09= TO220 | на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

