Продукція > NSB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSB8BT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8BT-E3/81 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8BT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8BT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8BT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8BTHE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8BTHE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8BTHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8BTHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8BTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8BTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8BTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100V 125A AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8BTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Current - Average Rectified (Io): 8A Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8BTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8BTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100V 125A AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8DT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8DT-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8DT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8DT-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8DT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8DT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8DT-E3/81 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8DT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8DTHE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8DTHE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8DTHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8DTHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8DTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8DTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8DTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Current - Average Rectified (Io): 8A Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8DTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200V 125A AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8DTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200V 125A AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8DTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8GT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 400V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8GT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8GT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 400V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8GT-E3/81 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8GTHE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8GTHE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8GTHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8GTHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8GTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8GTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8GTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8GTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400V 125A AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8GTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8GTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400V 125A AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8JT | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A,600V,GPP,PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8JT-E3 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NSB8JT-E3/45 | Vishay | Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8JT-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | на замовлення 473 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8JT-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8JT-E3/45 | Vishay | Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8JT-E3/81 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers RECOMMENDED ALT NSB8 | на замовлення 1343 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8JT-E3/81 | на замовлення 49600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NSB8JT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8JT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8JT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| NSB8JT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8JT-M3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8JT-M3/I | Vishay | Rectifiers 8A,600V,GPP,PLASTIC RECT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8JTHE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8JTHE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8JTHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8JTHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8JTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8JTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8JTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600V 125A AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8JTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8JTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600V 125A AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8JTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8JTHM3/I | Vishay | Rectifiers 8A,600V,GPP,PLASTIC RECT,TO263 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8JTHM3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8KT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8KT-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8KT-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8KT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8KT-E3/81 | Vishay | Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8KT-E3/81 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8KT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8KT-M3/I | Vishay | Vishay 8A,800V,GPP,PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8KT-M3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8KTHE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8KTHE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8KTHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8KTHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8KTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8KTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8KTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800V 125A AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8KTHE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8KTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800V 125A AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8KTHE3_B/P | Vishay | Rectifier Diode 800V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8KTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8KTHM3/I | Vishay | Vishay 8A,800V,GPP,PLASTIC RECT,TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8KTHM3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8MT | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A,1000V,GPP,PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8MT-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8MT-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8MT-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NSB8MT-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |