Продукція > NSF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NSF060120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 38A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1088.06 грн
10+738.37 грн
100+626.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+670.90 грн
50+582.59 грн
100+500.50 грн
250+490.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 38A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 38A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+947.15 грн
5+809.42 грн
10+670.90 грн
50+582.59 грн
100+500.50 грн
250+490.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 38A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+966.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0JNexperiaSiC MOSFETs NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+843.25 грн
10+573.19 грн
100+414.89 грн
800+260.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 183W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+786.87 грн
50+646.16 грн
100+518.45 грн
250+508.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 183W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1121.11 грн
5+954.40 грн
10+786.87 грн
50+646.16 грн
100+518.45 грн
250+508.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNexperiaSiC MOSFETs NSF060120L3A0/SOT429-2/TO247-3
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+883.52 грн
10+599.39 грн
30+521.21 грн
100+398.33 грн
500+362.43 грн
1000+340.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0QNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1088.06 грн
10+738.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNexperiaSiC MOSFETs NSF060120L4A0/SOT8071/TO247-4L
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+912.52 грн
10+621.62 грн
30+540.54 грн
100+403.16 грн
500+374.16 грн
1000+351.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 183W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+825.53 грн
50+676.82 грн
100+541.23 грн
250+530.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1152.52 грн
10+784.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 183W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1173.46 грн
5+999.50 грн
10+825.53 грн
50+676.82 грн
100+541.23 грн
250+530.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120T1A0-QHPNexperiaSiC MOSFETs NSF040120T1A1-Q/SOT8114/QDPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120T1A0-QHPNexperia USA Inc.Description: NSF060120T1A0-Q/SOT8114/QDPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120T1A0HPNexperia USA Inc.Description: 1200 V, 60 M, N-CHANNEL SIC MOSF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120T1A0HPNexperiaSiC MOSFETs NSF060120T1A0/SOT8114/QDPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120T1A0HPNexperia USA Inc.Description: 1200 V, 60 M, N-CHANNEL SIC MOSF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120T2A0JNexperia USA Inc.Description: NSF060120T2A0/SOT8107/X.PAK
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+720.72 грн
10+477.89 грн
100+366.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120T2A0JNexperia USA Inc.Description: NSF060120T2A0/SOT8107/X.PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120T2A0JNexperiaSiC MOSFETs SOT8107 1200V 36A N-CH
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+749.83 грн
10+509.68 грн
100+340.34 грн
500+319.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF0610
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+715.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+959.14 грн
10+646.68 грн
100+532.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF080120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+981.78 грн
5+851.31 грн
10+720.03 грн
50+605.77 грн
100+501.19 грн
250+490.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperiaSiC MOSFETs NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+768.35 грн
10+525.56 грн
100+371.40 грн
800+238.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF080120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+720.03 грн
50+605.77 грн
100+501.19 грн
250+490.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 35A TO247-3
Packaging: Tube
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+592.57 грн
10+388.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+550.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF080120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 202W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+772.38 грн
5+708.75 грн
10+644.32 грн
50+539.21 грн
100+442.51 грн
250+387.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNexperiaSiC MOSFETs TO247 1.2KV 36A N-CH SIC
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+637.07 грн
10+360.43 грн
510+246.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1716.39 грн
3+1199.08 грн
10+1075.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+550.46 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 35A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1152.52 грн
10+784.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+829.48 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF080120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 183W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1159.77 грн
5+1040.57 грн
10+920.57 грн
50+812.93 грн
100+712.43 грн
250+673.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0QNexperiaSiC MOSFETs NSF080120L4A0/SOT8071/TO247-4L
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+869.02 грн
10+676.40 грн
510+367.95 грн
1020+339.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120T1A1-QHPNexperia USA Inc.Description: NSF080120T1A1-Q/SOT8114/QDPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120T1A1-QHPNexperiaSiC MOSFETs NSF060120T1A0-Q/SOT8114/QDPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120T1A1HPNexperia USA Inc.Description: NSF080120T1A1/SOT8114/QDPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120T1A1HPNexperiaSiC MOSFETs NSF017120T1A0-Q/SOT8114/QDPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF150
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF2250WT1
на замовлення 5495 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF2250WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSF2250WT1G - NSF2250WT1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 32950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3210+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 3210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF2250WT1G
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF25 YEAR 2002 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Part Status: Active
Type: Starter
Packaging: Retail Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF25 YEAR 2003 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Part Status: Active
Type: Starter
Packaging: Retail Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF25 YEAR 2004 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Part Status: Active
Type: Starter
Packaging: Retail Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF25 YEAR 2005 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Part Status: Active
Type: Starter
Packaging: Retail Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF250
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF350
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF360
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF460
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8BT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8BT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8BTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8BTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8BTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8DT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8DT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8DTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8DTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8DTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8GT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8GT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 400 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8GTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8GTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8GTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8JT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8JT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8JTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8JTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8JTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8KT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 800 Volt
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8KT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8KTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8KTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8KTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8MT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8MT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8MTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8MTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF8MTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC102J100TRB2F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC103J100TRC3F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC104J16TRC3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC104J16TRC3F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC104J50TRD2NIC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC123J100TRD1F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSFC123J16TRB2F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]