Продукція > NTN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTNS3190NZT5GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.8 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 224mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 120mW (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3190NZT5GONSEMIDescription: ONSEMI - NTNS3190NZT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 0.75 ohm, XLLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: XLLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 12735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3190NZT5GONSEMIDescription: ONSEMI - NTNS3190NZT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 0.75 ohm, XLLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: XLLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6234243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3190NZT5GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.8 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 120mW (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 224mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3190NZT5GonsemiMOSFET NFET XLLGA3 20V 230MA 1.4
на замовлення 6653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.66 грн
10+41.90 грн
100+27.24 грн
500+21.39 грн
1000+16.58 грн
2500+15.40 грн
5000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3193NZT5GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 224mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 120mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.8 pF @ 15 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.21 грн
16000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3193NZT5GONN
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3193NZT5GonsemiMOSFET NFET XLLGA3 20V 230MA
на замовлення 33702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.80 грн
10+35.73 грн
100+23.06 грн
500+19.86 грн
1000+15.82 грн
2500+15.68 грн
8000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3193NZT5GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 224mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 120mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.8 pF @ 15 V
на замовлення 34572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
15+20.38 грн
100+12.94 грн
500+9.10 грн
1000+8.12 грн
2000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3A65PZT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 155mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 281mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3A65PZT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 155mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 281mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3A65PZT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 281mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 155mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 10 V
на замовлення 315809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3957+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 3957 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3A65PZT5GONN
на замовлення 5455 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3A65PZT5GonsemiMOSFET PFET SOT883 20V 235MA
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3A65PZT5GHWonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 281mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 155mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3A65PZT5GHWONSEMIDescription: ONSEMI - NTNS3A65PZT5GHW - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 42363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3A67PZT5GONSEMIDescription: ONSEMI - NTNS3A67PZT5G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 78986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3A67PZT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V SOT883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3A67PZT5GonsemiMOSFET PFET SOT883 20V 281MA 1.3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3A67PZT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V SOT883
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Part Status: Active
на замовлення 35963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4157+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 4157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3A67PZT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V SOT883
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3A91PZT5GON SemiconductorMOSFET PFET XLLGA3 20V 2A 1.6OHM
на замовлення 6482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3A91PZT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 223MA 3XLLGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 223mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 121mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3A91PZT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 223MA 3XLLGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 223mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 121mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3A91PZT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 223MA 3XLLGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 223mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 121mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
на замовлення 352961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1346+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 1346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3A91PZT5GONSEMIDescription: ONSEMI - NTNS3A91PZT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 223 A, 0.0016 ohm, XLLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 121mW
Bauform - Transistor: XLLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 359840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3A91PZT5G.ONSEMIDescription: ONSEMI - NTNS3A91PZT5G. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 223 A, 0.0016 ohm, XLLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 223
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 121
Bauform - Transistor: XLLGA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3A92PZT5GONSEMIDescription: ONSEMI - NTNS3A92PZT5G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 816000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1041+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 1041 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3A92PZT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V SPCL XLLGA3
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 256000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+26.92 грн
16000+24.96 грн
24000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3A92PZT5GonsemiMOSFET PFET XLLGA3 20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3A92PZT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V SPCL XLLGA3
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1072000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
866+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 866 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3C68NZT5GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL SMALL SIGNAL MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 269117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2965+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 2965 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3C94NZT5GonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 12V 384MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 384mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 120mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 9.6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3C94NZT5GON SemiconductorMOSFET 12V 480 mo SMALL SIGNAL MOSFET
на замовлення 10276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3CS68NZT5GONSEMIDescription: ONSEMI - NTNS3CS68NZT5G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3CS68NZT5GonsemiDescription: 4.3A, 20V, 0.06OHM, 2-ELEMENT, N
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1652+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 1652 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS3CS94NZT5GonsemiDescription: 2.8A, 20V, 0.09OHM, N-CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2420+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 2420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS41006PZTCGonsemiDescription: NTNS41006 - SINGLE P?CHANNEL SMA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2959+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 2959 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS41S006PZTCGonsemiDescription: NTNS41S006PZ - MOSFET 3-SON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2959+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 2959 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS4C69NTCGonsemiDescription: MOSFET N-CH SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 178mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS4CS69NTCGON SemiconductorTRENCH 6 30V NFET
на замовлення 1092350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4066+8.70 грн
10000+7.76 грн
100000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 4066 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS4CS69NTCGFairchild SemiconductorDescription: NTNS4CS69NTCG - TRENCH 6 30V NFE
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Bulk
на замовлення 228155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3957+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 3957 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS4CS69NTCGON SemiconductorTRENCH 6 30V NFET
на замовлення 3461078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4066+8.70 грн
10000+7.76 грн
100000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 4066 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS4CS69NTCGonsemiDescription: NTNS4CS69NTCG - TRENCH 6 30V NFE
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3457078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3957+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 3957 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS4CS69NTCGON SemiconductorTRENCH 6 30V NFET
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4066+8.70 грн
10000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 4066 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNS4CS69NTCGonsemiMOSFETs TRENCH 6 30V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTNTP30N06LG
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTNUS3171PZT5GON Semiconductor
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTNUS3171PZT5GONSEMIDescription: ONSEMI - NTNUS3171PZT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, SOT-1123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 7235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+21.05 грн
55+14.96 грн
100+10.73 грн
500+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNUS3171PZT5GON SemiconductorMOSFET T1 20V P-CH SOT-1123
на замовлення 3882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTNUS3171PZT5GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 150MA SOT1123
на замовлення 324166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTNUS3171PZT5G---MOSFET P-CH 20V 0.15A SOT-1123 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTNUS3171PZT5GONSEMIDescription: ONSEMI - NTNUS3171PZT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, SOT-1123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 7235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNUS3171PZT5GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 150MA SOT1123
на замовлення 324166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTNZYY01GLITE
на замовлення 407 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2